【課題】電気的に切断されやすいヒューズ素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のヒューズ素子４は、回路を遮断する部分である第１の領域４ａと、第１の領域４ａの両端に接し、第１の領域４ａよりもパターン幅の広い第２の領域４ｂおよび第３の領域４ｃとからなる。ヒューズ素子４のうち第２の領域４ｂ、第１の領域４ａおよび第３の領域４ｃのうちの一部は厚膜絶縁膜２の上に設けられているのに対し、第３の領域４ｃのうちの他部は薄膜絶縁膜３の上に設けられている。ヒューズ素子４で発生した熱は、厚膜絶縁膜２を介して半導体基板１へ放熱しにくいのに対し薄膜絶縁膜３を介して放熱しやすいため、ヒューズ素子４内の温度変化および温度勾配が大きくなるため、第１の領域４ａが電気的に切断されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドの下面にも電子部品を配置することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 外部接続端子を構成するボンディングパッド２４と、ボンディングパッド２４の下面に、少なくとも二層の銅膜４４，１６と、前記隣接する銅膜４４，１６同士を接続するように設けられる接続ビア１８から形成されるボンディングパッド下部領域４８と、ボンディングパッド下部領域４８を取り囲むように銅膜および隣接する銅膜同士を接続する環状導体より構成されるシールリング４２と、シールリング４２の外側においてボンディングパッド２４に接続される配線２６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属磁性体を用いたより高周波域での利用が可能なマイクロ波伝送線路およびマイクロ波フィルタを提供すること。
【解決手段】マイクロ波伝送線路１００は、半導体基板１０上に、順に、接地層１２、絶縁層１４、磁性層２０、導電層１６が積層された構造を有する。ストリップラインは、絶縁層１４、磁性層２０、および、導電層１６によって形成される。磁性層２０は、非磁性層２２を強磁性層２１および強磁性層２３で挟んだ積層膜であり、人工反強磁性体として機能する。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値および低い直列抵抗を有するインダクターを提供する。
【解決手段】平面インダクターは基板（３００、３１０）の上に金属元素（１１−１４）を含み、該金属元素は、該元素の少なくとも一つの面（２）から該元素に沿っておよび該元素まで延びる少なくとも一個の溝（２０）を備える。該溝（単数または複数）（２０）は、基板（３００、３１０）の表面に対して略直角方向に延び、より高いＱ値を提供するとともに、より低い直列抵抗もまた達成される。インダクターは溝の付いた層（１１、１３、１４）および溝の付いていない層（１２）を含んでもよい。本発明はまたインダクターの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 導電性のパターンを配置することができない領域があっても、ＣＭＰ後の表面の平坦度を高めることが可能な多層配線構造を提供する。
【解決手段】 支持基板（２０）の表面に、第１の領域（１０）、該第１の領域を取り囲む環状の第２の領域（１１）、及び該第２の領域を取り囲む第３の領域（１２）が画定されている。支持基板の上に第１の配線層（Ｍ８Ｌ）が配置されている。第１の配線層の第３の領域内に配線が形成され、第２の領域内にダミーパターンが形成され、第１の領域内には導電パターンが形成されていない。第１の配線層の上であって、かつ第１の領域内に機能素子（１）が配置されている。 （もっと読む）

半導体装置を形成する方法は、半導体基板であって、パターニング済み配線層（１２０，５２０，１０２０，１６２０）が当該半導体基板の上に形成される構成の半導体基板（１１０，５１０，１０１０，１６１０）を設ける工程と、第１誘電体材料（１３０，５３０，１０３０，１６３０）を配線層の上に堆積させる工程と、第１電極材料（１４０，５４０，１０４０，１６４０）を第１誘電体材料の上に堆積させる工程と、第２誘電体材料（１５０，５５０，１０５０，１６５０）を第１電極材料の上に堆積させる工程と、第２電極材料（１６０，５６０，１０６０，１６６０）を第２誘電体材料の上に堆積させる工程と、第２電極材料をパターニングして第１キャパシタ（２１０，７１０，１３１０，１６１５）の上部電極（２１１，６１１，１１１１，１６１１）を形成する工程と、そして第１電極材料をパターニングして第２キャパシタ（２２０，７２０，１３２０，１６２５）の上部電極（２２１，７２１，１２２１，１６２１）を形成し、第１キャパシタの一の電極（２１２，７１２，１２１２，１６１２）を形成し、そして抵抗体（２３０，７３０，１３３０）を画定する工程と、を含む。
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【課題】 高温で保持されても動作不良を起こさない、信頼性の高い多層配線構造を実現する。
【解決手段】 第１配線１０２Ａと第２配線１１１とは、層間絶縁膜（ＳｉＯ₂ 膜１０４及びＦＳＧ膜１０５）中に形成されたビア１１０Ａを介して接続されている。第２配線１１１におけるビア１１０Ａの接続部分の近傍にダミービア１１０Ｂが接続されている。ダミービア１１０Ｂは、実使用時において閉回路の一部分とはならない。 （もっと読む）

集積回路の中にキャパシタを作製する方法。本発明の基本形態にかかるキャパシタは、容量を増大させるために強いフリンジング電界を利用する。これは平面に平行な平板ではなくて、集積回路の中の２つの面の間に垂直な、重畳している導電性電極を持ったキャパシタを作製することによって達成される。本発明のキャパシタは水平な平板、すなわち平行な平板を付加的に備えていてもよい。本方法によるキャパシタも開示されている。
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半導体装置（１）は、集積回路（３，４）が形成された半導体基板（２）と、集積回路（３，４）と外部の接地電極とを電気的に接続する第１の接地端子（７）及び第２の接地端子（８）と、第１の接地端子（７）と第２の接地端子（８）とを電気的に接続する静電破壊保護素子（５）とを備える。第１の接地端子（７）は、半導体基板（２）に電気的に接続され、第２の接地端子（８）は、半導体基板（２）に電気的に接続されない。 （もっと読む）

【課題】集積回路および印刷配線板のための可変インダクタ。
【解決手段】１次コンダクタ、２次コンダクタ、及びスイッチを用いて集積回路上に可変インダクタを形成することが可能である。１次コンダクタはインダクタを実現しそして種々のパターン（例えば渦巻）に形成されることが可能である。２次コンダクタは１次コンダクタに近接して（例えば外側に）ループを形成する。スイッチは２次コンダクタに直列に結合し、ループを開きあるいは閉じる。インダクタのインダクタンスは、スイッチを用いてループを閉じそして開くことによって変えられる。電流源もまた２次コンダクタと直列に結合され、インダクタンスを増加しあるいは減少する何れかのために２次コンダクタ内の電流を制御するために使用されることが可能である。２個以上の別々なステップでインダクタンスを変化するために複数のループが形成されることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 銅相互接続技術と両立性があるＭＩＭ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＩＭキャパシタのための方法及び構造体であり、この構造体は、半導体基板上に形成された層間誘電体層と、層間誘電体層内に形成され、上面が層間誘電体層の上面と同一平面にある銅製下部電極と、該下部電極の上面と直接接する導電性拡散障壁と、導電性拡散障壁の上面と直接接するＭＩＭ誘電体と、ＭＩＭ誘電体の上面と直接接する上部電極とを備える電子デバイスを含む。銅の下部電極内に導電性拡散障壁を凹ませることができ、又は付加的な凹まされた導電性拡散障壁を設けることもできる。 （もっと読む）

本発明は、多機能誘電体層を基板上、特に基板上に露出している金属配線系上に形成する方法に関する。本発明の目的は、銅による配線を形成するための多機能パッシベーション層を容易に形成する方法を提供するとともに、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、および接着性を向上させる方法を提供することにある。本発明によれば、更なる金属層（５）を、露出した金属配線（３）の表面上に堆積することによって、本発明の目的は達せられる。この金属層は少なくともその一部が非導電性の金属酸化物に変換され、誘電体層となっている。
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半導体（１０）はトランジスタのような能動素子を有し、この能動素子はキャパシタ（７５，７７，７９）のような受動素子の直下に位置し、能動素子及び受動素子はビアまたは導電領域（５２）及び配線（６８，９９）によって接続される。ビアまたは導電領域（５２）はトランジスタの拡散領域またはソース領域（２２）の底面にコンタクトし、更にキャパシタ電極の内の第１電極（７５）にコンタクトする。横方向に位置する縦型ビア（３２，５４，６８）及び配線（９９）はキャパシタ電極の内の第２電極（７９）にコンタクトする。金属配線または導電材料（６８）は電源プレーンとして使用することができ、この電源プレーンは、電源プレーンをトランジスタに隣接させるのではなくトランジスタの下に位置するように用いることによって回路面積を節約するように作用する。
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半導体装置（１０）は、ワイヤボンディングのために周囲に多数のボンド・パッド（２４）を有する。半導体装置（１０）は、モジュール（１２）およびその他の回路を有するが、モジュール（１２）は検査のために他の回路よりも遥かに長い時間を必要とする。比較的少数のボンド・パッド（２０）、モジュール・ボンド・パッド（２０）が、少なくとも部分的に、内蔵自己検査（ＢＩＳＴ）（１６）回路を有する半導体装置によるモジュール検査のために必要である。これらのモジュール・ボンド・パッド（２２）の機能性は、半導体装置（１０）の上面上および内部に二重化されており、モジュール検査パッド（２２）は周辺のボンド・パッド（２４）よりも遥かに大きい。検査のために大きなパッド（２２）を有することにより、プローブ・ニードルを長くすることができ、したがって並行検査機能が向上する。機能性の二重化は、モジュール・ボンド・パッド（２０）およびモジュール検査パッド（２２）が互いに短絡しなくてよいように、検査パッド・インターフェースを介して達成する。
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【課題】 レイアウト設計上の自由度が大きく、しかも経済的に形成できる構成を備えた配線構造、インダクタ及びそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】 本多層インダクタ６０は、１層目のインダクタ６４と、第１の層間絶縁膜６６を介して１層目のインダクタ上に形成された２層面のインダクタ６８と、第２の層間絶縁膜７０を介して２層目のインダクタ上に形成された３層目のインダクタ７２とを備えている。１層目のインダクタは、第１の層間絶縁膜を貫通するコンタクト７６を介して２層目のインダクタに接続されている。２層目のインダクタは、第２の層間絶縁膜を貫通するコンタクト７８を介して３層目のインダクタに接続されている。３層目のインダクタは、コイル巻線が接続配線７４上をエアーブリッジ構造で跨いでいる。接続配線は、コイル巻線の下を通り、コイル巻線の中心部の接続端からコイル巻線に電気的に接触することなく多層インダクタの外部に出ることができる。 （もっと読む）