【課題】明るさセンサからの検出信号に基づくフィードバック制御によりＬＥＤ光源の明るさを一定にするＬＥＤ光源点灯装置において、点灯直後におけるＬＥＤ光源の光ちらつきの低減を図る。
【解決手段】ＬＥＤ光源点灯装置１は、ＬＥＤモジュールからなるＬＥＤ部１０に電力を供給するＬＥＤ電源部３と、ＬＥＤ部１０の発光強度を検出する明るさセンサ６と、明るさセンサ６による検出信号をフィードバック制御してＬＥＤ部１０の発光強度を一定に保つようにＬＥＤ電源部３から出力される電力を制御する制御部５とを備える。制御部５は、点灯直後から所定時間ｔ１が経過した後、明るさセンサ６からフィードバックされた検出信号を基に、ＬＥＤ部１０の発光強度を一定に保つようにＬＥＤ電源部３から出力される電力を制御する。これにより、ＬＥＤ部１０の点灯直後の光ちらつきの低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】輝度変動率が低減され、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる発光層と、Ｉｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるｐ型クラッド層と、半導体からなる接着層と、を少なくとも有する積層体と、前記接着層との間の接着界面における格子のずれが、前記発光層と前記接着層との間の格子のずれよりも大きい基板と、を備え、前記接着界面からみて、前記ｐ型クラッド層は前記発光層よりも遠くに設けられ、前記ｐ型クラッド層のキャリア濃度は、０．５×１０^１７ｃｍ^−３以上、３×１０^１７ｃｍ^−３以下であることを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】広い電圧範囲で、ＬＥＤを安定に駆動する。
【解決手段】駆動回路１００は、直列に接続された複数のＬＥＤ４を含むＬＥＤアレイ２を駆動する。電源３０は、複数のＬＥＤ４に直流の駆動電圧Ｖｄｒｖを供給する。第１定電流回路１０は、複数のＬＥＤ４の駆動経路上に設けられ、ＬＥＤ４に流れる駆動電流Ｉｄｒｖを安定化させる。バイパススイッチＳＷ１は、複数のＬＥＤ４の少なくともひとつＬＥＤ４＿ｎと並列に設けられる。制御部２０は、バイパススイッチＳＷ１のオン、オフを制御する。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤのＶｆバラツキに対応して、ＬＥＤの出力電力を所定範囲となるように、ＬＥＤを駆動する出力電流を制御できるＬＥＤ点灯制御回路、及びこれを備えた車両用灯具を提供することができる。
【解決手段】 ＬＥＤ点灯制御回路１０は、例えば、バッテリを入力とする直流電源と、直流電源に接続されたトランス１６と、複数のＬＥＤ光源１４の出力電圧を検出する電圧検出部１８と、ＬＥＤ光源１４の出力電流を検出する電流検出部２０と、電圧検出部１８で検出された出力電圧値に基づいてＬＥＤ光源１４を駆動する電流値を設定する演算部２２と、電流検出部２０の出力電流値と演算部２２の設定電流値からＬＥＤ光源１４を駆動する出力電流を制御するＰＷＭ制御部２４と、ＰＷＭ制御部２４の信号によりスイッチング素子Ｑ１をオン・オフするＦＥＴドライバ２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度が過度に上昇しないように駆動電流を減少させる制御を安定的に行う。
【解決手段】降下電圧が負の温度特性を有する半導体素子Ｄの駆動電流を制御する電流制御回路であって、半導体素子Ｄに駆動電流を供給する定電流発生回路２と、半導体素子Ｄの降下電圧を検出する電圧検出回路４と、降下電圧を横軸とし駆動電流を縦軸とした座標平面において、電圧検出回路４により検出された降下電圧の値と定電流発生回路２により供給される駆動電流の値とを持つ座標点が、半導体素子Ｄの電圧電流特性の傾きよりも小さい傾きを持った境界線上又は該境界線よりも降下電圧の値が小さい領域に存在するか否かを判定し、存在すると判定された場合に定電流発生回路２が供給する駆動電流を減少させる制御を行う制御回路６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子が配設された基板の温度上昇を効果的に抑制できる照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、発光素子２０が配設された基板２１と、この基板２１が設けられるとともに、基板２１と熱的に結合される熱伝導性の背面部８を有し、前記発光素子から出射される光の照射角度の変更が可能な本体ケース４と、この本体ケース４の背面部８に形成され、前記照射角度の変更の方向に沿って複数の対流通路１０ｄを形成する放熱フィン１０ａを備えた放熱フィン部１０とを備える照明装置１である。 （もっと読む）

【課題】各発光ダイオードにおいて必要照度以上となるように維持でき、発光ダイオードの寿命の長期化を図ることができるようにすること。
【解決手段】エネルギー線照射装置１０は、接着シートＳに相対する位置に設けられた複数の発光ダイオード２１を有する発光手段１３と、発光ダイオード２１から照射されるエネルギー線の照度を検出する検出手段１４と、発光ダイオード２１の必要照度と、各発光ダイオード２１に供給する電流や電圧の上昇値とを入力する入力手段１６と、検出手段１４が検出した照度が必要照度未満となった場合、電流や電圧を前記上昇値に応じて上昇し、発光ダイオード２１の照度を必要照度以上に補正する制御を行う制御手段１７とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】電力損失を低減しながら明るさが低照度まで安定して制御できるＬＥＤ照明装置を提供することである。
【解決手段】電流制御手段１６は、ＬＥＤ１３と半導体素子であるトランジスタ１４と抵抗１５とが直列接続されたＬＥＤユニット１２を流れる電流が所定値になるようにトランジスタ１４のベース電圧を制御し、スイッチ手段１８は制御信号によりトランジスタ１４をオンオフ制御する。入力電力制御手段２０は、ＬＥＤ非通電検出手段２１がＬＥＤ電流の非通電状態を検出していないときは、トランジスタ１４のコレクタ電圧Ｖａ〜Ｖｃが予め定めた基準値Ｖ１となるように直流電源１１の出力電圧を制御し、ＬＥＤ非通電検出手段２１がＬＥＤ電流の非通電状態を検出している期間中は、直流電源１１の出力電圧を非通電状態の直前の値または予め定めた固定値に保持する。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐光性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、高輝度が要求される用途に用いた場合にも光半導体の輝度低下を効果的に防止することができる光半導体用熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、下記一般式で表されるフェノール化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。


Ｒ^ａは炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ^ｂは任意の置換基、Ｒ^ｃは水素又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。 （もっと読む）

【課題】安定した調光制御を得られるとともに、電力損失も低減できる電源装置及び照明器具を提供する。
【解決手段】調光深度の浅い領域で発光ダイオード１９に流れる電流を検出するインピーダンスの低い高電流検出部２０と、調光深度の深い領域で発光ダイオード１９に流れる電流を検出するインピーダンスの高い低電流検出部２１をそれぞれ設け、調光信号の調光深度に応じて高電流検出部２０及び低電流検出部２１を選択し、これら高電流検出部２０及び低電流検出部２１の検出信号により発光ダイオード１９に流れる電流を一定に制御する。 （もっと読む）

【課題】 耐光性（特に耐紫外線性）及び密着性に優れると共に、十分な耐熱性・耐水熱性及び成膜性を有し、さらに硬化する際に発泡が少なく、長期間使用してもクラックや剥離、着色、発泡を生じない硬化性ポリシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】 特定のヒドロシリル基含有ポリシロキサン化合物、特定のシラノール基を一分子中に２個以上含有するポリシロキサン化合物、並びに、脱水素縮合反応触媒を含むことを特徴とする硬化性ポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

本発明は、ある光源波長の光源光を発する光源2であって、前記光源光の強度が信号によって制御可能である、光源2を含む発光装置1に関する。装置は更に、前記光源光の少なくとも一部を、前記光源波長とは異なる少なくとも第１の波長の光へ変換することが可能である第１蛍光体材料3,4と、前記光源光の少なくとも一部を、前記光源波長及び前記第１の波長とは異なる少なくとも第２の波長の光へ変換することが可能である第２蛍光体材料3,4と、を含む。第１及び第２蛍光体材料3,4は、信号によって制御可能である、それぞれ第１及び第２変換効率を有するように構成される。前記第１及び第２の波長のそれぞれの光の強度の比率は前記信号に依存する。更に、本発明は、本発明の実施例に従う発光装置を含むＬＥＤバルブ、ＬＥＤパッケージ及び発光システムに関する。
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【課題】光の減衰を抑制可能な半導体装置及び光源装置を提供する。
【解決手段】突起状のストライプ１７を上部に有する導波路１９を配し、断面が凸字状に形成され、ストライプ１７の伸長方向を横断する突起頭頂部の下部の端面が光の入口であるシリコン膜１５と、導波路１９をなす実質的な真性半導体を間に挟んで対向し、導波路１９の両側のシリコン膜１５表面に形成されたｎ型拡散層２１及びｐ型拡散層２２と、ｎ型及びｐ型の拡散層２１、２２にそれぞれ電気的に接続された電極２５と、シリコン膜１５のストライプ１７に対向する側に形成された下部クラッドである絶縁層１３と、ストライプ１７、すなわち、導波路１９の側面及び上面を被う上側部クラッドである保護膜とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多重化することなく、蛍光型ＬＥＤを使用する可視光通信の通信速度を向上し、かつ安定した通信動作を実現することができる可視光通信装置を提供することにある。
【解決手段】蛍光型ＬＥＤ１４を有する可視光通信装置において、送信信号１１に応じて蛍光型ＬＥＤ１４から可視光１５を送信する場合に、蛍光型ＬＥＤ１４を消灯状態から点灯状態に変化させるときには、ＬＥＤ電流１３を定常値より増大させるように制御する。また、蛍光型ＬＥＤ１４を点灯状態から消灯状態に変化させるときに、点灯時間に基づいてＬＥＤ電流１３を先行してオフさせるように制御する構成。 （もっと読む）

【課題】所望の光量の紫外光を再現性良く得ることが可能な紫外光発光装置を提供する。
【解決手段】紫外光発光装置は、紫外光を放射する紫外光ＬＥＤチップ１と、紫外光ＬＥＤチップ１を収納するパッケージＡとを備え、パッケージＡに、紫外光ＬＥＤチップ１から放射された紫外光を検出する受光素子４が設けられている。パッケージ２は、無機材料により形成されており、紫外光ＬＥＤチップ１は、パッケージ２内において透光性無機材料であるガラスからなる封止部５により封止されている。 （もっと読む）

少なくとも２つのピン１１、１２を持つパッケージ１０が提案される。該パッケージは、第１の機能を持つ半導体構造２０と、第２の機能を持つ少なくとも１つの回路素子を有する電気回路３０と、を有する。構造２０及び回路３０は、ピン１１、１２に電気的に接続される。更に、該パッケージは、ピン１１、１２を通る第１の動作信号６０及び第２の動作信号７０を時間多重化することにより、該第１及び第２の機能を実行するように動作可能である。最後に、該第１の機能は照明機能であり、該第２の機能は感知機能である。本発明は、ＬＥＤ又はレーザダイオードを有する、コスト効率が良く汎用性の高い小型化された発光パッケージを提供するため、特に有利である。
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【課題】スイッチング素子の駆動信号の周波数が可聴域の上限以下に下がることがないとともに、出力電圧のリップルを小さくすることができるスイッチングレギュレータ方式の直流電源装置を提供する。
【解決手段】インダクタに間歇的に電流を流すスイッチング素子（ＳＷ１）と、前記インダクタと出力端子との間に接続された整流素子（Ｄ１）と、前記スイッチング素子の駆動信号を生成する駆動回路（１５）と、出力電流に比例した電圧がフィードバックされその電圧に応じたパルス幅を有する信号を出力するＰＦＭコンパレータ（１１）とを備えた直流電源装置において、所定の周波数の発振信号のパルス幅を電流制御信号に応じて制御可能なデューティ制御回路（１３）を設け、前記ＰＦＭコンパレータの出力が所定のレベルの期間だけ前記デューティ制御回路から出力されるパルス信号を駆動回路に供給して前記スイッチング素子の駆動信号を生成させるようにした。 （もっと読む）

【課題】負荷回路に対して簡単な回路構成で輝度調整の高精度化を図ると共に、複数個直列接続された各々の負荷回路を任意に点滅制御することを可能にし、さらに、保守メンテナンス負担を軽減することができる電子発光光源用定電流発生装置システムを提供する。
【解決手段】商用交流電源とコンデンサと出力変成器一次側巻線とが直列に接続され、出力変成器の二次側巻線に発生した交流定電流の振幅を線形に変化させる複数の入力側切換タップが出力変成器一次側巻線に設けられた定電流発生器１００と、電子発光光源を内装した負荷回路とを備え、負荷回路３００〜７００が複数個直列に定電流発生器１００に接続されており、負荷回路３００〜７００の各々が、該負荷回路を直列回路から切り離す開閉器３０２〜７０２と負荷回路を短絡させる回路接点器３０１〜７０１とを有することによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】非駆動時におけるアノード端子とゲート端子間の逆方向電圧を低減し、以って発光素子の劣化を防止する。
【解決手段】発光サイリスタｄ１の非点灯時、バッファ回路３０１のＰＭＯＳトランジスタ３２２はオフ状態となり、ＮＭＯＳトランジスタ３２１のソース端子電位はそのゲート電位から閾値電圧Ｖｔ分降下した値となる。電源電圧ＶＤＤは５Ｖであり、閾値電圧は約１Ｖである。この場合、バッファ回路３０１からのＨｉｇｈ出力電圧は略４Ｖとなり、発光サイリスタに印加される逆方向電圧が低減され、発光サイリスタｄ１の素子劣化を低減することができる。 （もっと読む）