【課題】第２電極の光反射効果の低減、光取出し効率の低下、輝度飽和現象による発光光量の低下を招くことがなく、マイグレーションの発生を抑制できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】（Ａ）第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２から成る発光部２０、（Ｂ）第１電極４１、（Ｃ）第２化合物半導体層２２上に形成された透明導電材料層３０、（Ｄ）透明導電材料層３０上に形成され、透明な絶縁材料から成り、開口部３１ａを有する絶縁層３１、並びに、（Ｅ）開口部３１ａの底部に露出した透明導電材料層３０上から絶縁層３１上に亙り形成され、発光部からの光を反射する第２電極３２を備えており、発光部を構成する活性層の面積をＳ₁、透明導電材料層の面積をＳ₂、絶縁層の面積をＳ₃、第２電極の面積をＳ₄としたとき、Ｓ₁≦Ｓ₂＜Ｓ₃、及び、Ｓ₂＜Ｓ₄を満足する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率及び放熱性の向上を図るとともに、成長用基板の剥離時における成長層表面でのクラック発生を防止して歩留まり向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板の表面に半導体発光素子領域を画定する複数の分離溝を形成し、成長用基板上に成長層を形成し、成長層上に第１の電極を形成し、成長層を分離し、分離溝の内部と外部とにおいて離間した絶縁膜を形成し、分離溝の内部と外部とにおいて離間したパッド電極を形成し、パッド電極を覆う金属層を分離溝の外部に形成し、成長用基板を成長層から剥離する。 （もっと読む）

【課題】均一な光を高い出力で発する発光装置を提供する。
【解決手段】容器（１）と、前記容器の底部に配置された発光チップ（２）と、前記発光チップの上面に８０μｍ以上２４０μｍ以下の厚さで設けられた蛍光体層（３）とを具備する発光装置である。粒径２０μｍ以上４５μｍ以下の蛍光体粒子が、４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下分散された樹脂からなり、前記蛍光体粒子の形状を反映した凹凸を表面に有し、前記蛍光体粒子は、イットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、アルカリ土類金属シリケート系蛍光体、窒化物蛍光体、アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、希土類オキシカルコゲナイト系蛍光体、アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、およびアルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種を含む。 （もっと読む）

【課題】高い光束を維持しつつ、ワイヤ断線の発生を抑えた、品質および信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。さらに、このような半導体発光装置の歩留まりの高い製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】封止材に混合する光反射性フィラーの濃度を、所定以上の光束を維持可能で、かつ、ワイヤ断線の発生の可能性の低い範囲のものとする。また、その範囲において、複数の濃度の封止材を用意し、光反射性フィラーの濃度により色度がシフトすることを利用して、製造時に半導体発光素子の色度に応じた濃度の封止材を用い、色度のばらつきを製造時に抑える。 （もっと読む）

【課題】側面に放出される光の全反射を防止して発光効率を向上させることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光素子の製造方法は、基板上に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が順次積層された発光構造物を形成する工程と、基板方向または発光構造物方向から点線状の分割溝を形成する工程と、基板と発光構造体のうち少なくとも一つに圧力を加え、分割溝を基準にして基板及び発光構造物を分割する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

第１の波長領域と、該第１の波長領域と異なる第２の波長領域との混合光を放射するためのオプトエレクトロニクスデバイスは、第１の電流（４１）が供給されると該第１の波長領域内の第１の特徴的波長と第１の強度とを有する光を放射する、第１の発光ダイオード（１１）を有する第１の半導体光源（１）と、第２の電流（４２）が供給されると前記第２の波長領域内の第２の特徴的波長と第２の強度とを有する光を放射する、第２の発光ダイオード（２１）を有する第２の半導体光源（２）とを含む。当該オプトエレクトロニクスデバイスはさらに、両半導体光源（１，２）からそれぞれ放射された光の一部（１１０，５１０）を第１のセンサ信号（３４１）と第２のセンサ信号（３４２）とに変換する光センサと、該第１のセンサ信号（３４１）および該第２のセンサ信号（３４２）に依存して前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を制御するための制御装置（４）とを有する。前記第１の半導体光源（１）および前記第２の半導体光源（２）からそれぞれ放射された光の特徴的波長および強度は、第１の温度依存特性（９３１，９４１）ないしは該第１の温度依存特性と異なる第２の温度依存特性（９３２，９４２）と、第１の電流依存特性ないしは第２の電流依存特性と、第１の経時変化依存特性ないしは第１の経時変化依存特性とを有し、前記光センサ（３）は前記第１の波長領域において、前記第１の温度依存特性（９３１，９４１）に適合された波長依存性の第１の感度を示し、前記第２の波長領域において、前記第２の温度依存特性（９３２，９４２）に適合された波長依存性の第２の感度を示し、前記制御装置（４）は、前記第１のセンサ信号（３４１）と前記第２のセンサ信号（３４２）とが所定の比になるように、前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を制御する。
（もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層を有する積層体を、その第１の面が透光性基板の第１の面に隣接するように形成する工程と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を前記第２の面側に形成する工程と、前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法及び発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 転位密度の低い半導体領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面の一部の領域上に、ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる下層及び他の材料からなる上層を含む積層パターンが形成されている。積層パターンを覆うように成長層が配置されている。成長層は、積層パターンの上層の表面上よりも下層の側面上に成長しやすいナイトライド系化合物半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】色再現性と発光効率とを高度に両立させた半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と、緑色光を発する緑色蛍光体と、赤色光を発する赤色蛍光体とを含む半導体発光装置であって、緑色蛍光体は希土類賦活無機蛍光体であり、赤色蛍光体は半導体微粒子蛍光体であり、赤色蛍光体の吸収スペクトルが極小値を示すときの波長と、緑色蛍光体の発光スペクトルのピーク波長との差のうちの最小が２５ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電極の下面により光が反射されることを防止することで、発光効率を向上することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光素子は、Ｎ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層が順次積層された発光構造物と、発光構造物の上面に形成される透明電極と、透明電極の上面に形成されるＰ型電極と、を含み、Ｐ型電極の位置に対応する発光構造物の内部には、電流の流れを遮断する絶縁体が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる半導体発光素子およびその製造方法、発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の半導体発光素子１は、ｎ形ＧａＮ層２２およびｐ形ＧａＮ層２４を有するＬＥＤ薄膜部２と、ＬＥＤ薄膜部２の厚み方向の一面側に直接接合された六角錘状のｎ形ＺｎＯ基板（導電性を有するＺｎＯ基板）３とを備える。カソード電極４は、ｎ形ＧａＮ層２２におけるｐ形ＧａＮ層２４側とは反対側の表面側の平坦部２２ａ上でｎ形ＧａＮ層２２に対してオーミック接触となるように形成され、アノード電極５は、ｎ形ＺｎＯ基板３の下面３１側でｎ形ＺｎＯ基板３に対してオーミック接触となるように形成されている。ｎ形ＧａＮ層２２の上記表面においてカソード電極４が形成されていない領域には、ＬＥＤ薄膜部２で発生した光のうちｎ形ＧａＮ層２２の上記表面側に放射された光の進行方向を変える微細凹凸構造２２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る半導体発光素子において、貫通転位を持たないというナノコラムの利点を活かした高効率な半導体発光素子を実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板２０上に、ｎ型ＧａＮ層２１、発光層２２、ｐ型ＧａＮ層２３を順次積層し、その際、有機金属ガスのＶ／III比を変化することで先端を球状としたナノコラム２４を形成する（図２（ａ））。次に、ＳＯＧ２５を回転塗布し（図２（ｂ））、該ＳＯＧを焼成して固化し、エッチングでｐ型ＧａＮ層２３のみを露出させ（図２（ｃ））、その上にｐ型電極２７を形成し、ＳｉＣ基板２０の裏面にｎ型電極２８を蒸着で連続形成する（図２（ｄ））。したがって、通常の蒸着でｐ型電極２７を連続形成しても、発光層２２を跨いでｎ型ＧａＮ層２１とｐ型ＧａＮ層２３とが短絡されてしまうことを防止できる。また、球の中に発光層２２ｂを含めることで、光取出し効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】寿命低下の抑止及び低コスト化を実現することができ、さらに、光半導体素子と同程度に小型化することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置１Ａにおいて、第１主面Ｍ１と、その反対面である第２主面Ｍ２と、第２主面Ｍ２上に形成された第１電極７ａ及び第２電極７ｂとを有する発光層２と、第１主面Ｍ１上に設けられた蛍光層４と、蛍光層４上に設けられ透光性を有する無機物からなる透光層５と、第１電極７ａに設けられた第１金属ポスト８ａと、第２電極７ｂに設けられた第２金属ポスト８ｂと、第２主面Ｍ２上に設けられ第１金属ポスト８ａ及び第２金属ポスト８ｂを各々の端部を露出させて封止する封止層１０と、露出した第１金属ポスト８ａの端部に設けられた第１金属層１１ａと、露出した第２金属ポスト８ｂの端部に設けられた第２金属層１１ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】
基板と該基板上に積層された発光層を含む半導体層を有する発光素子であって、以下の構成からなる。
基板と半導体層は屈折率が異なる、
該基板はサファイア基板であって、かつ半導体層が積層されている面が（０００１）面である、
該基板の半導体層が積層されている面に、＜１−１００＞方向に平行な傾斜側面を有する凹凸が形成され、
該傾斜側面の傾斜角度θが、基板の（０００１）面に対して、３０°＜θ＜６０°であること、
を特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】高い発光出力を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２に積層された多重量子井戸構造からなる活性層１３と、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮなる組成（組成比を示すｘは０＜ｘ≦０．４の範囲である）であってドーパントを含まないアンドープ膜１４ａとＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮなる組成（組成比を示すｙは０≦ｙ＜０．４の範囲である）であってドーパントを含むドープ膜１４ｂとが交互に複数積層されてなる超格子構造からなる層であって、活性層１３側の面がアンドープ膜１４ａで構成された第１のｐ型半導体層１４と、第１のｐ型半導体層１４に積層された第２のｐ型半導体層１５と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】光放出面に形成された光抽出用パターンによって素子内部に反射する光の比率を減らして優れた光抽出効率を得ることのできる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１導電型半導体層１０１と、第１導電型半導体層１０１の上面に形成された活性層１０２と、活性層１０２の上面に形成された第２導電型半導体層１０３とを含み、第２導電型半導体層１０３の上面に半球形上部１０３ａ及び柱形状部１０３ｂを有する光抽出用パターンを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る半導体発光素子において、貫通転位を持たないというナノコラムの利点を活かした高効率な半導体発光素子を実現する。
【解決手段】基板１上にシリコン酸化膜２を形成し（図１（ａ））、ナノコラム７の成長に先立って、成長させる部分を開口部４としたマスク（シリコン酸化膜パターン５）を形成する（図１（ｂ）〜図１（ｃ））。そのマスクで覆ったまま、ナノコラム７の各層を成長させる（図１（ｄ））と、前記開口部４内は単結晶のナノコラム７として成長し、マスク上は多結晶のＧａＮ層６で成長し、エッチングによってマスク上のＧａＮ層６を除去する（図１（ｅ））ことで、ナノコラム７間の空隙に絶縁体が充填されることになる。その後、前記マスク内の開口部４に露出したナノコラム７の先端部に、連続してｐ型電極（透明電極８）を形成するとともに、前記基板１にｎ型電極９を形成する（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】ｐ電極にＴＣＯ膜を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子に関して、その高出力化および信頼性向上の少なくともいずれかを実現すること。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層の上にＧａＮ系半導体からなる活性層とｐ型ＧａＮ系半導体層とを順次積層してなり、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の前記活性層側の主面とは反対側の主面上に形成されたＴＣＯ膜と該ＴＣＯ膜に接続されたｐ側ボンディングパッドとを含むｐ電極と、前記ＴＣＯ膜の前記ｐ型ＧａＮ系半導体層側とは反対側の主面上の一部に形成された抵抗制御膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との界面に形成されて前記抵抗制御膜の下方の領域において前記活性層を流れる電流を減少させる抵抗増加領域と、前記ｎ型層に接続されたｎ側ボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）