フリップチップ発光ダイオードデバイスを製造するための方法では、エピタキシャル層がサファイヤ成長基板上に堆積され、エピタキシャル・ウェーハを生成する。複数の発光ダイオードデバイスがエピタキシャル・ウェーハ上に製造される。エピタキシャル・ウェーハがダイスカットされ、デバイスダイを生成する。デバイスダイはマウントにフリップチップ接合される。フリップチップ接合段階は、デバイスダイの少なくとも１つの電極をマウントの少なくとも１つのボンディングパッドに接合することによってデバイスダイをマウントに固定する段階を含む。フリップチップ接合に続いて、デバイスダイの成長基板がレーザ光の印加により除去される。 （もっと読む）

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

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【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）