【課題】外部量子効率と内部量子効率を共に高めた発光ダイオード構造を提供する。
【解決手段】基板を溶液内に置いて反応させ、その表面に化学反応層を形成し、その後、基板をエッチングし、基板表面に複数の凹部と上方に化学反応層を具えた凸部を形成し、更に該化学反応層を除去し、凹部と凸部を具えた不規則幾何形状を該基板表面に形成し、最後に該基板表面に半導体発光構造をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】高出力で所望の色彩を有する発光波長を放出可能な、耐候性に優れた発光装置を実現できる発光素子及びこれを備える発光装置を提供する。
【解決手段】発光層８を有する半導体構造１１と、半導体構造１１の一方の主面側に設けられた光取り出し面１８と、半導体構造１１の他方の主面側に備えられ、半導体構造１１に電気的に接続される電極３と、を有する発光素子であって、半導体構造１１と電極３との間に反射構造４が形成されており、反射構造４は、発光層８からの光の波長に対応する中心波長を反射する第１反射層４ａと、中心波長とは異なる波長を中心波長とする第２反射層４ｂとから構成され、第１反射層４ａと第２反射層４ｂの少なくとも一方の中心波長が、可視光域である。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板１の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層２と発光層４とｐ型層６との積層構造が設けられ、ｎ側電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記ｎ型層２の表面に接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光装置の製造工程を単純化する発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１の製造方法は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層とを有し、第１半導体層と第２半導体層に順方向の電圧を印加することにより発光する発光装置１の製造方法であって、第１半導体層の上に、第１電極と、第１電極と離隔した第２電極とを形成する電極形成工程と、電極形成工程においてそれぞれ形成された第１電極と第２電極との間に電圧を印加して、第２電極と第２半導体層とを電気的に双方向に導通可能な状態とする電圧印加工程とを備える。 （もっと読む）

ＬＥＤのような半導体装置内の電流を制御する技術が提供される。実施例によっては、隣接する高抵抗コンタクト領域と低抵抗コンタクト領域とを含んだ電流誘導構造が提供される。実施例によっては、ｎ型コンタクトと金属基材との間の電流経路に加えて、第２電流経路が提供される。実施例によっては、電流誘導構造と第２電流経路の両方が提供される。 （もっと読む）

【課題】 １つの発光素子で複数波長の光を発することができ、且つ各発光層が互いに電気的に独立に制御可能に入出力電極が設けられていることにより各発光層の輝度を自由に調整できる発光素子及び発光装置を得ること。
【解決手段】 発光素子は、第１の発光層４を含む第１の半導体層１４と、第２の発光層１０を含む第２の半導体層１５とが導電層８を介して積層され、第１及び第２の半導体層１４，１５はそれぞれ、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層３，９と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層４，１０と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５，１１とが順次形成されており、導電層８は第１の半導体層１４の第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層５に対して非オーミック接触であり、第２の半導体層１５の第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してオーミック接触である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の良好な半導体発光素子を得る。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順に積層して形成した後、、酸化スズと酸化インジウムの混合物（酸化スズ５％）をターゲットとして、真空蒸着法により３００ｎｍの膜厚のＩＴＯの針状結晶から成る透光性ｐ電極１０６を真空度２．５×１０−３Ｐａ下でｐ型層１０５の上に形成する。次に、不活性ガス雰囲気下で、７００℃、５分間の焼成を行う。この後、通常のフォトリソグラフィによりレジストを形成し、ＩＴＯ膜をウェットエッチングし、ＩＴＯ膜のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置では、発光層を基板上に堆積させて形成するため、完成した半導体発光装置には基板が射光面として残る。しかし、この基板は半導体発光装置が完成した後は、不要な部材である。そこで、レーザ光線を用いて発光層と基板を剥離する技術が提案されているが、１つ１つの半導体発光装置の基板を剥離するのは、製造効率が悪い。
【解決手段】基板上に複数の発光層を形成し、電極とバンプを介してサブマウント上に接着する。レーザ光を基板の裏面から一度に照射し、複数の半導体発光装置を一度に形成する。 （もっと読む）

【課題】不所望部分の下方で発光することを抑制することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層７１，第１金属層７２，第２絶縁層７３および第２金属層７４が順に形成されている。 （もっと読む）

基板と、基板上のバッファ層と、バッファ層上かつｎ型層とｐ型層との間の活性層と、ｐ型層に隣接するトンネル接合と、トンネル接合およびｎ型層へのｎ型接点とを備え、バッファ層、ｎ型層、ｐ型層、活性領域、およびトンネル接合は、窒素面（Ｎ面）配向で成長させられるＩＩＩ族窒化物材料を備える、発光ダイオード。ＩＩＩ族窒化物材料が蒸着される基板表面は、埋め込まれた裏面の粗面化を提供するようにパターン化される。ＩＩＩ族窒化物材料の上面でもあるトンネル接合の上面は粗面化される。
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【課題】発光ダイオード素子と電子回路が内蔵されたサブマウントとが積層された半導体装置において、無駄な領域を無くしてコンパクトなチップサイズとして、量産性に優れた半導体装置を得ること。
【解決手段】発光層１３に対して垂直方向に光が取り出される発光ダイオード素子１０と、基板内に受光素子を内蔵したサブマウント２０とが積層されてなり、前記受光素子の受光部が、前記発光ダイオード素子１０の前記発光層１３と平面視において重複する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、電極形成工程の困難さを回避する。
【解決手段】ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。そして、成長基板から分離して、ｎ型電極となるＡｌ基板５上に多数散布し、その上にｐ型電極となる透明な有機金属から成る封止部材４をスピンコートで被せる。ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。こうして、電極を容易に形成できる。 （もっと読む）

通常基板上に複数のＬＥＤを設けるステップを含む、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。ＬＥＤ上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触する。ＬＥＤを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記ＬＥＤ上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイヤーボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたＬＥＤを有するＬＥＤチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。開示の方法を使用して製作されるＬＥＤチップウェーハおよびＬＥＤチップもまた開示される。
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発光デバイスは、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、及びｎ型半導体層とｐ型半導体層との間の活性領域を含む。ワイヤボンドパッドなどの不透明なフィーチャがｐ型半導体層上又はｐ型半導体層の反対側のｎ型半導体層上にあり、導電率低減領域がｐ型半導体層又はｎ型半導体層中にあり、不透明なフィーチャと位置合わせされる。導電率低減領域は、ｎ型半導体層の反対側のｐ型半導体層の表面から活性領域の方に、及び／又はｐ型半導体層の反対側のｎ型半導体層の表面から活性領域の方に延びることができる。
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【課題】蛍光体チップを発光素子上に戴置する際に、位置合わせに時間がかかるという問題を解消する。
【解決手段】光学機能層の外周に枠部を形成し、枠部が発光素子に接する部分に位置合わせ構造を形成する。枠部は、ガラス、セラミック、樹脂の他、シリコン（Ｓｉ）が好適に用いられる。また、光学機能層は、蛍光体の他、遮光膜、散乱材、マイクロレンズであってもよい。枠部と位置合わせ構造の機能により、発光素子と光学機能層とを組み合わせた発光装置が簡便な工程で製造できる利点がある。 （もっと読む）

本発明によるチップは、ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）と、半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）と、放射されたビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）とを有する。第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある半導体基体（４）の表面（９）を第１のコンタクト領域（５）に接続しており、表面（９）はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
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【課題】発光構造の外に設けられる電極に透光性電極を用いて、素子の低抵抗化、高出力化、高電力効率化（ｌｍ／Ｗ）、高い量産性・低コスト化、の少なくともいずれか、好ましくはその多くを実現する発光素子を提供する。
【解決手段】第１，２導電型半導体層を含む半導体構造に、発光構造部と、第１導電型半導体層、発光構造部の第２導電型半導体層に各々設けられた第１電極、第２電極と、第２導電型半導体層上の少なくとも一部に形成された透光性絶縁膜と、を有し、第２電極が、第２導電型半導体層の少なくとも一部を被覆する透光性導電膜の第１層と、透光性絶縁層上の少なくとも一部に設けられ、第１層に導通する第２層と、を有し、第１層の表面側と、透光性絶縁膜と半導体構造の境界領域と、にそれぞれ光反射部が形成され、透光性絶縁膜の第２層側表面が、第１層の表面より半導体構造から離れている半導体発光素子。 （もっと読む）

発光体は、共通基板により機械的に相互接続する発光素子と、相互接続サブマウントとを含む。発光素子はサブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。また、発光体は第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の発光素子と、第２の共通基板により機械的に相互接続する第２の発光素子とを含み、第１の発光素子は第２の発光素子に機械的および電気的に接続する。また発光体は、機械的に相互接続する発光素子と、複数の発光素子を機械的および電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成する手段であって、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む手段とを含む。発光体を製造する方法も含む。
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本発明は、高い静電気放電に対して耐性を有するＬＥＤ及びその製造方法に関する。より具体的には、第１半導体層の上面と第２半導体層の上面に渡って形成される第１電極層、前記第１電極層と離隔されて前記第２半導体層の上面に形成される透明電極層、及び前記透明電極層の上面に形成される第２電極層を包含するＬＥＤを提供する。
本発明によると、電極の形状を従来の通常的な電極とは異なるように配置する構造だけを採択して静電気に対する耐性を有し、電気的衝撃に対して強い、信頼性の高い発光ダイオード素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率及び輝度を向上させた発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表裏の関係にある第１の表面と第２の表面とを有する導電性基板１２４と、導電性基板１２４の第１の表面側に形成された金属接合層１３０と、必要に応じて拡散障壁層１２２を介して金属接合層１３０上に形成された金属反射層１２０と、必要に応じて透明導電層１１６及びｎ型金属コンタクト層１３４を介して金属反射層１２０上に形成されたｎ型半導体層１０６と、ｎ型半導体層１０６上に形成された活性層１０８と、活性層１０８上に形成されたｐ型半導体層１１０と、ｐ型半導体層１１０上に形成され、５０μｍ以上の厚さを有し、透明な導電性材料からなる窓層１１２と、窓層１１２上に形成されたｐ型電極（１１４）とを備える。 （もっと読む）