【課題】 光取り出し効率を飛躍的に向上させることが可能な発光素子及び照明装置を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、ｎ側電極としての導電性基板１０上に発光層７ｂを含む半導体層７を有し、半導体層７の導電性基板１０と反対側の主面に、ｐ側電極としての複数の開口部１１を有する透明導電層８が形成されており、導電性基板１０は開口部１１と対向する部分を残してその他の部分が除去されている。 （もっと読む）

【課題】光取出面から取り出される光量を高めつつ偏光比の高い光を取り出し可能な半導体発光素子を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板２と、基板２上に積層された窒化物半導体積層構造３と、アノード電極４と、カソード電極６と、反射層７とを備えている。基板２は、ＧａＮ単結晶からなり、基板２の主面２ｂは、無極性面であるｍ面で構成されている。窒化物半導体積層構造３は、ｍ面を主面３ａとし、光を発光可能な活性層１２を含み、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層からなる。反射層７は、光取出方向Ａとは反対方向へ進行する光を光取出方向Ａへと反射するためのものであり、光を取り出すための光取出面４ａとは反対側の面である基板２の底面２ａに形成されている。反射層７は、ＳｉＯ_２層とＳｉ_ｘＮ_ｙ層（Ｘ、Ｙは正の整数）とが周期的に複数層積層された積層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装した発光装置の出力を改善し、照明用の白色発光装置の励起光源として好適に用い得る、発光出力に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装して発光装置を構成する。
（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系蛍光体の有する特性を阻害することなく、安定して製造できる構造のＺｎＯ系光機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯ系光機能素子１ａは、基体１０と、基体１０上に配置されたＺｎＯを基質とする発光層４０と、発光層４０に電界を印加するための一対の電極層２０と、を備え、一対の電極層２０は、基体１０上に発光層４０と並んで配置されている。更に、一対の電極層２０の少なくとも一部は発光層４０と基体１０との間に入り込んで配置された構造とすることができる。本発明のＺｎＯ系光機能素子１ａは、一対の電極層２０を形成する電極層形成工程の後に、発光層４０を形成する発光層形成工程を行うことで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、２ＤＰＣスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に対して、信頼性の高い電極製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】光デバイスのコア層となるべき部位を有する第１の基板と光デバイスを集積させるための第２の基板を用意し、コア層上の一部に第１の電極を形成し、第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板上面にＳＯＤを塗布し、第１の基板の第１の電極が形成された側と第２の基板とを接合し、接合した第１の基板と第２の基板とを加熱し、コア層及び第１の電極を残して第１の基板を除去し、コア層上の一部に第２の電極を形成し、コア層にエッチングにより複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成し、エッチングにより第１の電極の一部を露出し、第１及び第２の電極に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化ガリウム系半導体層と活性層とｐ型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位ＬＥＤ素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にｐ型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シード層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シード層上に第１メッキ層を形成し、第１メッキ層及び各第１メッキ層の間の金属シード層の表面に第２メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、ｎ型窒化ガリウム系半導体層上にｎ型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シード層及び第２メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子を製作する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の電気的特性と光学的特性を同時に改善することができる垂直構造窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直構造窒化物系半導体発光素子は、構造支持層２００と、前記構造支持層上に形成されたｐ型電極１５０と、前記ｐ型電極上に形成されたｐ型窒化物半導体層１４０と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上の一部に形成されたｎ型電極１６０と、前記ｎ型電極が形成されない前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、表面に凹凸が形成されたバッファ層１１０と、を含み、前記ｎ型電極と接する前記ｎ型窒化物半導体層の表面が平坦である。また、本発明は、前記垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。表面変性層２０はキャリア供給層として機能するものであり、ＧａＮ基板１の裏面をＳｉ含有プラズマと反応させ変性させることにより形成される。反応層３１は、表面変性層２０上に堆積されたデポ物を洗浄により部分的に除去しデポ層とした後に、第１金属層１１に含まれるＴｉとデポ層とが熱処理により部分的に反応し形成される。 （もっと読む）

【課題】 発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供す
る。
【解決手段】 基板上に、ｎ型層、活性層及びｐ型層が積層されてなる積層体を備え
、その積層体はｎ側の電極をライン状に形成するためにｎ型層表面が露出された互いに平
行なｎ電極形成領域を有し、そのｎ電極形成領域にそれぞれｎライン電極が形成され、ｐ
型層のほぼ全面に透光性電極が形成されており、ｎライン電極は、互いに分離されて等間
隔に配置されかつ各ｎライン電極の一端にはそれぞれｎパッド電極が形成され、透光性電
極上には、ｎライン電極と交互に配置されかつ隣接するｎライン電極から等距離になるよ
うにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれｐパッド電
極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】所望の光取り出し面からの光取り出し効率の向上を図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板からなるベース基板の一表面側でｐ形半導体層４上にアノード電極５が形成され、ｎ形半導体層２における発光層３の積層側にカソード電極６が形成されている。カソード電極６は、オーミックコンタクト層６１と、外部接続用金属層６２とで構成している。半導体発光素子は、発光層３に対して所望の光取り出し面（ベース基板１の他表面）側とは反対側に位置するアノード電極５における発光層３側に、導電性を有し屈折率の異なる２種類の誘電体膜５３ａ，５３ｂが周期的に積層され発光層３から放射された光を反射する多層膜ミラー５３が設けられ、当該多層膜ミラー５３と、オーミックコンタクト層５１と、外部接続用金属層５２とで、アノード電極５を構成している。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性のｎ型ＧａＮで形成された基板２の底面側にｎ電極３を設け、上面側にｎ層４、発光層５、ｐ層６を順に積層した上にｐ電極７が設けられた半導体発光素子１において、ｎ電極３は、基板２に設けられた矩形状の凹部２ａに設けられている。この基板２に設けられた凹部２ａの深さは、ｎ電極３の高さよりも深く形成されていることで、ダイボンドしたときに、基板２の凹部２ａの周囲面と搭載面１０とが面で接触することができるので、半導体発光素子１全体が傾くことがない。 （もっと読む）

【課題】所望の光取り出し面からの光取り出し効率の向上を図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層３に対して所望の光取り出し面側とは反対側に位置するアノード電極５は、ｐ形半導体層４上に形成された第１の透明導電膜５１と、第１の透明導電膜５１上に形成された第２の透明導電膜５２と、第２の透明導電膜５２上に形成され発光層３から放射された光を反射する複数の多層反射膜層５３と、第２の透明導電膜５２において多層反射膜層５３により覆われていない部位および多層反射膜層５３を覆うように形成され発光層３からの光に対して高い反射率を有する金属材料からなる金属反射膜５４と、金属反射膜５４上に形成されたバリアメタル膜５５と、バリアメタル膜５５上に形成された金属材料からなる外部接続用金属膜５６とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来構造よりも生産性が高く、発光強度に優れた白色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板１０の一方の面側にＧａＮ系ＬＥＤ層１２が設けられ、ＧａＮ系ＬＥＤ層１２にカソード電極１２ａおよびアノード電極１２ｂが設けられ、基板１０の他方の面側に蛍光体含有層１４と反射鏡１６とが順次設けられていることを特徴とする白色発光ダイオードである。蛍光体含有層１４の厚みは、２５〜１５０μｍであることが好ましい。また、蛍光体含有層１４は、蛍光体とこれを分散するガラス系材料とを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光のロスを低減できるとともに、至近距離における光の混色性を向上できる発光装置を提供することにある。
【解決手段】発光装置１は、赤色、緑色、青色の３つのＬＥＤチップを用いた白色ＬＥＤであって、端面発光型の赤色ＬＥＤチップ２、及び端面発光型の緑色ＬＥＤチップ３、並びに端面発光型の青色ＬＥＤチップ４を、厚み方向に直列的に接合してなる発光部５と、該発光部５の厚み方向の両面にそれぞれ設けられた一対のリード端子６ａ，６ｂとを備える。 （もっと読む）

シリコンナノドットを利用した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。本発明の半導体発光素子は、光を発散する発光層、発光層に形成された正孔注入層、正孔注入層と対向するように発光層に形成された電子注入層、電子注入層に形成された金属ナノドットを含む金属層、及び金属層に形成された透明伝導性電極を備える。発光層として、シリコンナノドットを含む非晶質のシリコンナイトライドを含む。
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【課題】フリップチップ型の発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の上面にｎ型半導体層１１、活性層１２、ｐ型半導体層１３、及びｐ型電極１６が順次に形成され、ｎ型半導体層１１の露出された上面にｎ型電極１９が形成されたフリップチップ型の発光素子であって、ｐ型電極１６は、ｐ型半導体層１３の上面のうち、ｎ型電極１９に近接する端部に所定幅ｌに形成されたオーミックコンタクト層１４と、オーミックコンタクト層１４及びオーミックコンタクト層１４により覆われていないｐ型半導体層１３の上面を覆う反射層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率の高い発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層１１６を含む半導体多層膜１１０と、前記半導体多層膜上に形成される透明電極層１２２とを有し、透明電極層の内部には透明電極層の屈折率とは異なる屈折率を有する物質からなる屈折領域部１２５が埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護手段を伴なった半導体発光装置のコスト化を図ることが困難であった。
【解決手段】半導体発光装置はシリコン基板３と化合物半導体から成る主半導体領域４とを有する。シリコン基板３上に主半導体領域４をエピタキシャル成長させる時に主半導体領域４の３族元素がシリコン基板に熱拡散することによって生じたｐ型シリコン半導体層９を保護ダイオードの一部として使用する。保護ダイオードは主半導体領域４に基づく発光ダイオードに対して並列に接続され、過電圧保護素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物よりも高効率な発光が期待できるＺｎＯ系化合物半導体を用いながら、高効率で全面発光し得るＺｎＯ系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上にＺｎＯ系化合物半導体材料からなるｎ形層２、活性層３、ｐ形層４が積層され、前記ｎ形層２の比抵抗の値が０.００１Ω・ｃｍ以上１Ω・ｃｍ以下で、かつ、ｎ形層２の膜厚（μｍ）が比抵抗（Ω・ｃｍ）×３００の計算式により算出された値よりも大きい値に設定され、ｎ形層２の基板と接する面と反対面の露出部にｎ側電極５が、ｐ形層４上にｐ側電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。第２領域１０Ｂは、ｎ型層１２の一部領域を含み、ｎ側電極２２が設けられている。両者の間の境界領域１０Ｃには、ｐｎ接合部１４の一部を含む傾斜部３０が設けられている。傾斜部３０にアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などよりなる高反射膜４２を設け、傾斜部３０に到達した光を高反射膜４２で反射させて外部に効率よく取り出す。 （もっと読む）