【課題】高い実装信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体構造部１３、１４と、半導体構造部の主面側に設けられた配線層１６、１７と、配線層における半導体構造部が設けられた面の反対側の面に設けられ、配線層と電気的に接続された電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２に対して各々が互いに離間して接合された複数の金属ピラー３１と、複数の金属ピラー３１の先端部に共通に設けられた外部端子４１とを備え、個々の金属ピラー３１の径が外部端子４１の径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、動作電圧が低く、かつ光取り出し効率が高い窒化物半導体発光素子を提供することができる。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層、Ａｌ_xqＩｎ_yqＧａ_1-xq-yqＮ井戸層を備えた発光層、ｐ型窒化物半導体層をこの順に備えた窒化物半導体発光素子であって、ｐ型窒化物半導体層と接するｐ側窒化物コンタクト層と、ｐ側窒化物コンタクト層と接する透光性電極層とを有し、ｐ側窒化物コンタクト層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなり、透光性電極層は、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウム、またはタングステンからなる群より選択される元素のうち一種以上がドープされた二酸化チタンからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極の配置又は形状が複雑であっても、接合電極の配置及び形状の設計の自由度が高い発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１導電型の半導体層と、発光層２５と、第１導電型とは異なる第２導電型の半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、発光層２５が発した光を反射する反射層６０を含んで半導体積層構造上に設けられる下部絶縁層５０と、下部絶縁層５０と発光層２５及び第２導電型の半導体層とを貫通する第１上下導通部７２２と、平面方向に伸びる第１平面導通部７２０とを有し、第１導電型の半導体層に電気的に接続する第１配線と、下部絶縁層５０を貫通する第２上下導通部７０２と、平面方向に伸びる第２平面導通部７００とを有し、第２導電型の半導体層に電気的に接続する第２配線とを備える （もっと読む）

【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯を提供する。
【解決手段】半導体発光層２は基板１の一面上に積層されている。半導体発光層２に電気エネルギーを供給する電極４１１〜４１４は、基板を貫通し半導体発光層２に到達する微細孔５１１〜５１４内に充填された導体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い画素デバイスおよび画像装置を提供する。
【解決手段】 本発明の画素デバイスの一例である発光素子アレイ１０は、載置体２０と、載置体２０の上に配列されている４つの素子基板３０と、素子基板３０の上に配列されている複数の発光素子５０と、を有しており、４つの素子基板３０は、４つの素子基板３０を９０°の角度で平面回転をした際に、１つの素子基板３０の上に配列されている発光素子５０が他の素子基板３０の上に配列されている発光素子５０と重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板に実装して半田により接合した際に、プリント配線板のたわみに対する半田部の機械的強度を向上することができる固体発光装置を提供する。
【解決手段】固体発光装置１０では、固体発光素子１１の筐体１４に設けられた発光部１３に、電極部１２を介して電力を供給することにより、発光部１３が光を発する。電極部１２は筐体１４の側面のうち発光部１３の長手方向と平行な側面１４１、１４２に設けられているので、撓みやすく細長いプリント配線板２１の長手方向に発光部１３の長手方向が同一方向となるように固体発光装置１０を並べて半田により接合した際に、半田部２２の機械的強度を増して、機械的信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 色むらの少なく量産性に優れた発光素子チップ組立体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光素子チップ組立体は、上面に光取り出し部とボンディングパッドとが隣接配置されてなる発光素子チップと、前記発光素子チップからの光を波長変換することが可能な蛍光物質を具備し前記発光素子チップ上に積層された波長変換シート成形体と、を有する発光素子チップ組立体であって、前記波長変換シート成形体は、前記発光素子チップの上面内に収まる大きさであり、前記光取り出し部、前記光取り出し部と前記ボンディングパッドとの境界、および、前記境界側の前記ボンディングパッドの一部を、覆っていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外形をほとんど変えず、色度調整の過程において与えるダメージが少なく、容易に色度調整が可能なＬＥＤ光源を提供する。
【解決手段】基板上（３０）に配置されたＡｇ電極（２４、２５）と、Ａｇ電極全体を被服するように成膜された金属酸化膜により構成されるバリア層（５０）と、バリア層の上に実装されたＬＥＤ素子（２１）と、Ａｇ電極とＬＥＤ素子とを電気的に接続するワイヤー（２６、２８）と、を有し、Ａｇ電極とＬＥＤ素子と接続するためにバリア層の一部が除去されていることを特徴とするＬＥＤ光源（２０）及びそのようなＬＥＤ光源の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板１の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層２と発光層４とｐ型層６との積層構造が設けられ、ｎ側電極８を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記ｎ型層２の表面に接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードのチップレベルパッケージ構造を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードのチップレベルパッケージ構造は、第一平面及び第二平面を有する永久基板と、該永久基板の該第一平面に位置する第一電極と、該永久基板の該第一平面において該第一電極以外の領域に位置する接着層と、該接着層に位置し、少なくとも、第一型半導体層と第二型半導体層とを含むパターン化半導体構造と、該パターン化半導体構造に位置し、且つ、該第一型半導体層及び該第二型半導体層とそれぞれ電気的に接続される第三電極及び第四電極と、該パターン化半導体構造の側壁に位置し、且つ、該第三電極及び該第四電極を該第一電極と電気的に接続させるための電気接続構造と、該パターン化半導体構造の側壁と該電気接続構造との間に位置し、該パターン化半導体構造を該電気接続構造と絶縁させるための絶縁層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】十分な発光面積を確保するとともに光の漏れを防止し、光取り出し効率を十分に向上させることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、活性層と、第２半導体層上の第１の電極と、第２半導体層、活性層及び第１の電極を覆う絶縁膜と、第１半導体層の側面及び絶縁膜の一部を覆う第２の電極と、絶縁膜と第２の電極との合計膜厚よりも厚い膜厚を備える第１の接続電極と、第２の電極に接続され、第１の接続電極を囲み且つ離間して形成された第２の接続電極と、第１の接続電極及び第２の接続電極間の空隙を充填する第１の充填層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、凹部２ａを有し、絶縁性を有する基板２と、凹部２ａ内に設けられ、ｎ型半導体層１ｃと発光層１ｂとｐ型半導体層１ａとから構成された積層体１であって、発光層１ｂが凹部１ａの内面と接触している積層体１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率と生産性の双方を改善することの可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４０上に、メサ部１４およびメサ部１４に電気的に接続されたバンプ１７，１８を有する半導体発光素子１０が１００μｍよりも大きなピッチで形成された第一ウェハ３０と、支持基板２１の一方の面上に、第一ウェハ３０におけるバンプ１７，１８の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成された接続電極２２，２３と、支持基板２１の他方の面上に、接続電極２２，２３に接続されたビア２４，２５および外部電極２６，２７を有する第二ウェハ５０とを貼り合わせ後、第一ウェハ３０の基板４０を除去し、第二ウェハ５０のうち半導体発光素子１０との非対向領域をダイシングすることにより第二ウェハ５０をチップ化して、配線基板２０を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮおよびＩｎＧａＮを用いた発光ダイオードは、電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性のバラツキが大きく、複数の粒子状発光ダイオード素子を同一電極上に配置し同時に駆動する際には、全ての粒子状発光ダイオード素子が電極に対して並列に接続される為、Ｉ−Ｖ特性のバラツキによって素子毎に流れる電流量にバラツキが生じるという大きな課題を有していた。
【解決手段】本発明においては、各粒子状発光ダイオード素子の第２電極１１９と第２半導体２１ｐの間に抵抗層１２０を直列に接続した構成を用いることによって、粒子状発光ダイオード素子間のＩ−Ｖ特性のバラツキによる特定の素子への電流集中を抑制し、最もＶｄの低い素子への電流集中による破壊を防ぐのみならず、各素子への負荷が低減されるため発光装置全体の劣化も抑制することを可能とし、輝度のバラツキの無い優れた発光装置を実現する。 （もっと読む）

当該装置は、ｎ型領域４４、４９とｐ型領域４６との間に配された発光層４８を有する半導体構造を含んでいる。前記半導体構造は、窓層４０と光指向構造４４との間に配されている。前記光指向構造は、前記窓層に向かって光を指向するように構成されており、適切な光指向構造の例は、多孔性半導体層及びフォトニック結晶を含む。ｎ型コンタクト５８、６４は、前記ｎ型領域に対する電気的に接続されており、ｐ型コンタクト６０、６２は前記ｐ型領域に電気的に接続されている。ｐ型コンタクトは、前記半導体構造内に形成される開口５４内に配されている。
（もっと読む）

【課題】フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、発光の均一性を高め、かつ光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型層１３の全面にわたって形成された透明電極１５と、透明電極１５上に形成されたｐ側パッド電極１６および延伸電極１７とを有している。延伸電極１７はＮｉ／Ａｕであり、透光性を有する程度の膜厚で形成されている。延伸電極１７により電流が拡散されるため、発光の均一性が高く、また、延伸電極１７が透光性を有しているため、光取り出し効率が向上している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、素子駆動用の配線配置による光取り出しロス低減を可能とし、しいては素子面積の縮小によるパッケージの小型化を可能とする。
【解決手段】サファイア基板４、バッファ層、Ｎ型ドーパントがドープされたＡｌＧａＮからなるＮ型窒化物半導体層３，ノンドープＩｎＧａＮからなる活性層２およびＰ型ドーパントがドープされたＡｌＧａＮからなるＰ型窒化物半導体層１がこの順序で積層され、サファイア基板４に傾斜面を形成し、その傾斜面に形成された反射膜８ｂにより結晶成長基板の側面から光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】緑色発光を呈するＬＥＤ構造の内部量子効率を低下させることなく、光取り出し効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成された単結晶の下地層１０３上にＬＥＤ構造２０が形成されてなり、基板１０１は、（０００１）Ｃ面からなる平面１１と複数の凸部１２とからなる主面１０を有するものであるとともに、凸部１２の基部幅が０．０５〜１．５μｍとされており、下地層１０３は、基板１０１の主面１０上に、平面１１及び凸部１２を覆うようにＩＩＩ族窒化物半導体がエピタキシャル成長することによって形成されたものであり、ＬＥＤ構造２０における発光波長が４９０〜５７０ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を減少することができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１において、導電性基板２と、その一表面２Ａ上に配設された第１の導電型の第１の半導体層３１、第２の導電型の第２の半導体層３３を有する半導体発光機能層３とを備え、第１の半導体層３１の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、外部に光を出力する第１の光出力面３１１、３１２及びこの第１の光出力面３１１、３１２に対して交差する面を有し第１の光出力面に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面３１３と、第２の光出力面３１３に沿って配設され、第１の半導体層３１と導電性基板２の一表面２Ａとの間を電気的に接続する配線６とを備える。 （もっと読む）

【課題】外部量子効率と内部量子効率を共に高めた発光ダイオード構造を提供する。
【解決手段】基板を溶液内に置いて反応させ、その表面に化学反応層を形成し、その後、基板をエッチングし、基板表面に複数の凹部と上方に化学反応層を具えた凸部を形成し、更に該化学反応層を除去し、凹部と凸部を具えた不規則幾何形状を該基板表面に形成し、最後に該基板表面に半導体発光構造をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）