縦型発光ダイオード(ＬＥＤ)は、金属基板と、前記金属基板と結合されたｐ型電極と、前記ｐ型電極と結合されたｐ型コンタクトと、前記ｐ型電極と結合されたｐ型ＧａＮ部と、前記ｐ型ＧａＮ部と結合された活性領域と、前記活性領域と結合されたｎ型ＧａＮ部と、前記ｎ型ＧａＮと結合された蛍光体層と、を備える。
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【課題】大面積のデバイスの形成を容易にする。
【解決手段】デバイスは、基板上に配置された複数の有機電子デバイスであって、複数の有機電子デバイスのそれぞれが第１の電極（２８、３２）および第２の電極（３０、３４）を備え、かつ複数の有機電子デバイスのそれぞれが直列に電気的に結合されている複数の有機電子デバイスを備える。さらに、前記デバイスは、前記複数の有機電子デバイスのそれぞれの前記第１および第２の電極の間に配置された電気活性材料（３８）を備える。また、前記デバイスは、前記基板（２６）上に配置された相互接続層（３６）であって、相互接続層が、前記複数の有機電子デバイスのそれぞれの前記各第１および第２の電極を結合することを介して、前記複数の有機電子デバイスのそれぞれを直列に電気的に結合するように構成されている相互接続層を備える。 （もっと読む）

【課題】短絡故障の発生を阻止しながら、ボンディングワイヤである金線による迷光を減らすことのできるＳＬＥＤチップを提供する。
【解決手段】ＳＬＥＤチップ１０−１のボンディングパッド１４上には金バンプ４４が形成されている。プリント配線基板２０上のボンディングパッド２４には金線３０のボールボンディングを行い、チップ上の金バンプ４４には、金線３０のステッチボンディングを行う。金バンプ４４が存在するため、金線３０がチップ角部に接触しない。 （もっと読む）

【課題】整合型発光ダイオードの製造方法を適用することである。
【解決手段】整合型発光ダイオードの製造方法は、基板上に回路を設けるステップａと一つまたは一つ以上の発光ダイオードチップを前記基板上に設置し、該発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極が前記基板上の回路と揃うようにするステップｂと前記発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極を直接前記基板の回路上に接合、導通、固定するステップｃとを含み、前記一つ以上の発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極は直列、並列方式によりきちんと整えられ、前記基板の回路上に接合、導通、固定される。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置において、ワイヤボンディングの際に発生する半導体発光素子のクラック又は欠けを防止する。
【解決手段】 支持体１０４と、支持体１０４の上に融着材料１０３を介して固着され、第１の電極及び第２の電極（１０２、１０６）を有し、少なくとも活性層を含む半導体層１０１よりなる半導体発光素子と、支持体１０４の上面における半導体発光素子が存在していない部分上から、第１の電極及び第２の電極（１０２、１０６）のうち半導体層１０１の少なくとも上面に形成されている一の電極（１０６）まで延びるように形成された配線メタル１０７とを備え、一の電極（１０６）への給電は、配線メタル１０７を介して行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー・ボンディング・プロセスにおいて電極が透明導電層から剥離する問題を解決するLEDを提供する。
【解決手段】LEDは基板１０、接着層１１、導電層１２、発光積層構造１３、電極バッファ層１４、第一の電極１５及び第二の電極１６を含む。電極バッファ層はワイヤー・ボンディングする電極と透明電極との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供するための方法および装置の提供。
【解決手段】コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、チャンバー内でプラズマを生成する工程、およびプラズマのイオンを基体上に堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素（ｔａ−Ｃ）基体コーティングを形成する工程を含む。コーティングは、ｔａ−Ｃ基体コーティングが所定の抵抗率を有した時に停止する。所定の抵抗率は１０^５−１０^９Ωｃｍ、好ましくは１０^６Ωｃｍである。基体は方法の間、所定の抵抗率に達するのを補助するためバイアスがかけることができる。コーティングは、基体への、もしくは基体からの静電放電の危険を低減もしくは防止するために使用することができる。また基体とさらなるコーティングとの接着を改善するためのシード層として使用することができる。さらに所定の抵抗率を有するコーティングが記載される。 （もっと読む）

【課題】 高光度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型コンタクト層上にＩＴＯから成る透明導電膜１０を形成し、その上に絶縁性保護膜２０を形成し、その上に、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）から成る、光をサファイア基板側へ反射する反射膜３０を形成し、その上に、金（Ａｕ）から成る金属層４０を形成する。透明導電膜１０と反射膜３０との間には、絶縁性保護膜２０が介在しているので、反射膜３０の構成する金属原子が透明導電膜１０に拡散することが防止される。この結果、透明導電膜１０は高透過率を維持する。この結果、外部量子効率の高い発光素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 全体の構造を簡便化することが可能であり、信頼性にも優れた、光励起による転送スイッチ素子を集積した発光装置を提供する。
【解決手段】 しきい電圧またはしきい電流を外部から光を照射することによって制御可能な多数個の３端子発光スイッチ素子15を備え、各３端子発光スイッチ素子15に対応する３端子発光素子14をゲート端子間を電気的に接続して制御する発光装置であって、３端子発光スイッチ素子15は、上面視の形状が、隣接する素子間で一方が他方側に張り出しているとともに他方がその張出し部に沿うようになっている発光装置である。３端子発光スイッチ素子15の形状が一方で他方側に張り出しているとともに他方がその張出し部に沿うようになっていることより、受光部および発光部の面積を大きくとることができ隣接する素子間における光伝達効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＡＣループを有し、チップ上に少なくとも１つのＡＣ ＬＥＤマイクロダイユニットを有した、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体を提供すること。
【解決手段】 ＡＣ ＬＥＤマイクロダイのユニットは、相互逆方向に配置し、夫々を平行に接続した、２つのＬＥＤマイクロダイを有し、ＡＣパワーサプライ供給時に、正半波電圧（positive-half wave voltage）と不半波電圧（negative-half wave voltage）に反応して、ＬＥＤユニットが継続的にライトを放つことが可能である。各ＡＣ ＬＥＤマイクロダイが前方向に作動するので、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体もまた静電放電を回避することができ、更に高い電圧化での作動が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高度な加工技術を要することなく、既存の設備および既知の製造方法を使用しながら素子全体に占める発光面積を大にでき、実装性に優れ、電気的接続の信頼性が大で、良好な放熱性を有する光学素子およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ウエハー状のサファイア基板１０に対する半導体発光素子の製造プロセスに基づいてｎ外部電極１７およびｐ外部電極１８を発光層１３の周囲に設けたＬＥＤ素子１を形成するので、既存の設備を使用し、かつ既知の製造方法を使用して容易にＬＥＤ素子１を一括多量製造できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。
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【課題】 光特性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置１００においては、光半導体素子１１２の周囲に形成された隙間１１４に封止樹脂１１５が埋め込まれることで、光半導体素子１１２の上面以外に電極パッド１１７を形成する領域を形成している。また、電極１１６は、たとえば、リング状など、内部に空隙部を有する形状を有している。したがって、光半導体素子１１２から発せられる光のうち、外部に出力される光の量が増大し、光半導体装置１００の光出力効率が向上する。 （もっと読む）

ワイヤボンディングパッド（２２）の下に電流阻止機構を有する発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法が提供される。電流阻止機構は、デバイスの活性領域（１４）の伝導性減少領域（３０）とすることができる。電流阻止機構は、コンタクト（１８）が形成される層の損傷領域であるかもしれない。電流阻止機構は、デバイスのオーミックコンタクト（１８）と活性領域（１４）との間のショットキーコンタクトであるかもしれない。また、ＰＮ接合などの半導体接合が、オーミックコンタクト（１８）と活性領域（１４）との間に設けられるかもしれない。
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【課題】青色系ＬＥＤを利用した、結線の煩雑さを回避できる構成からなる多色発光ランプを構成するための技術を提供する。
【解決手段】多色発光ランプを、導電性の基板表面上に設けられた非晶質または多結晶の硼素（Ｂ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる低温緩衝層と、低温緩衝層上に設けられた硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを含むリン化硼素（ＢＰ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層と、障壁層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層とを具備する青色帯光を出射する青色系発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、複数のＬＥＤを併設して配置して構成する。複数のＬＥＤの基板の伝導性を同一とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

本発明は、反射層列の製造方法およびＩＩＩ族／Ｖ族化合物半導体材料（４）上に被着される反射層列に関する。ここでホスホシリケートガラスを含む第１の層（１）は直接に半導体基板（４）上に被着される。その上に窒化ケイ素を含む第２の層（２）が配置される。続いて金属層（３）が被着される。
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【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体層上に透明な導電性酸化物膜を有する半導体発光素子において、十分な透明性を維持し、光の取り出し効率を向上させながら、半導体層と導電性酸化物膜との間のショットキー障壁を低減し、コンタクト抵抗を最小限に留め、良好なオーミック接続を得ることができる電極及びこの電極を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層上に、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む導電性酸化物膜が電気的に接続されて構成される半導体発光素子であって、前記導電性酸化物膜が、前記半導体層との界面近傍において複数の空隙を有する半導体発光素子。 （もっと読む）