【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備え、第２反射部の側面には、金属材料からなる第３反射部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ基板を接合した場合のように反りが少ないために加工が容易であり、また同時にＨＶＰＥ法で成長したＧａＰ層を有するチップのようにエポキシの応力による劣化が抑制された発光素子製造用の化合物半導体基板を利用した発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、発光層１０６と、該発光層の片方の主表面側に形成された第１電流拡散層１０９と、前記発光層のもう一方の主表面側に形成された第２電流拡散層２０２とを有する化合物半導体基板１１０を用いて製造された発光素子１０であって、前記発光層と前記第２電流拡散層との間に、空隙２０１を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングをすることなくパッケージングが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された第１電極層、第１絶縁層、第２電極層、第２半導体層、活性層及び第１半導体層と、基板を貫通して、第１電極層と電気的に接続する第１コンタクトと、基板、第１電極層及び第１絶縁層を貫通して、第２電極層と電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、第２電極層、第２半導体層及び活性層を貫通するコンタクトホールが形成され、第１電極層は、コンタクトホールを介して、第１半導体層と電気的に連結される半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、構造体１１０は、第１面１０４ａおよび第２面１０６ａと接続する第３面１１０ａと、第１面１０４ａおよび第２面１０６ａと接続し、第３面１１０ａと対向する第４面１１０ｂと、を備え、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第３面１１０ａから第４面１１０ｂまで設けられ、第３面１１０ａおよび第４面１１０ｂの少なくとも一方には、出射面が設けられ、微細壁状部材１１２，１１３の少なくとも一方と、半導体部材１１８とは、出射面の少なくとも一部を構成し、出射面は、第５層で発生した光を出射する。 （もっと読む）

【課題】発光光量に優れたサイリスタ型発光素子及びプリントヘッドを提供する。
【解決手段】第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、第３半導体層１２３、第４半導体層１２２を基板上に順次形成する。第３半導体層１２３上にゲート電極を形成し、第４半導体層１２２上にカソード電極１４０あるいはアノード電極を形成する。第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、及び第３半導体層１２３は、ゲート電極領域とカソード電極領域の間にくびれ部１４３を備え、くびれ部１４３は、平面視においてゲート電極領域とカソード電極領域の端部を接続すべく形成される。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏光比が高い半導体発光素子及びそれを用いた偏光表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２００は、基板２０１上に形成され、少なくとも２種類以上の偏光を有する光を発生する光ガイド領域を含む積層構造体２０２と、積層構造体２０２の主面に設けられ、光を光ガイド領域内において所定の方向に導波させるストライプ形状の導波路とを備え、積層構造体２０２は、光の導波方向と垂直な積層構造体２０２の端面の一部において、少なくとも光ガイド領域の一部を含んで凹形状に形成されたスリット部２１７を備える。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】凹凸（第１半導体層凹凸１７ｒ）が設けられた第１主面１０ａを有する第１導電型の第１半導体層１０と、第１半導体層の第１主面とは反対の側に設けられた第２導電型の第２半導体層２０と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３０と、第１半導体層の第１主面の側に設けられ、第１半導体層よりも不純物濃度が低く、凹凸を露出させる開口部を有する第３半導体層１５と、前記開口部を介して前記凹凸に接し、発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第１電極４０と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスを複雑化することなく、温度勾配に起因して生じる内部電場が電流に及ぼす影響を低減させることにより高効率を実現し得る導電性支持体を備えた光半導体素子およびこれを搭載する光半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の光半導体装置は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた発光層と、を含む半導体膜と、半導体膜のｐ型半導体層の側に設けられた電子をキャリアとする導電性支持体と、導電性支持体を介して半導体膜と電気的および熱的に接続された基台と、を含む。導電性支持体は、基台に設けられた凹部内に収容され、凹部の底面および側面と導電性支持体の底面および側面との間を充たす導電性接合材によって基台に接合される。光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光強度をより向上させる。
【解決手段】第１の主面と第２の主面とを有する発光層と、前記発光層の前記第１の主面側に設けられた第１の電極と、前記発光層の前記第２の主面側に設けられ、基本外形を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記発光層との間または前記第２の電極と前記発光層との間に設けられ、前記第２の電極の前記基本外形と相似形をなす仮想外形に対して、凹凸が形成された外形を有する電流阻止部と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】光効率が増加した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型のドーパントを含む第１導電型半導体層と、上記第１導電型のドーパントと異なる第２導電型のドーパントを含む第２導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に配置される活性層と、上記活性層と上記第２導電型半導体層との間に配置されて上記活性層及び上記第２導電型半導体層と接し、上記第２導電型のドーパントが含まれたＡｌＩｎＮ系半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って劣化しにくく、エネルギー効率及び発光効率の高いフォトニック結晶発光ダイオードを提供する。
【解決手段】サファイア基板１０の上にn型GaN層１２、InGaN活性層１４、p型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成し、そのp型GaN層１６、InGaN活性層１４、n型GaN層１２に、これらの層にほぼ垂直な方向に延びる多数の空孔２４を２次元周期的に設けることにより２次元フォトニック結晶構造が形成する。p型GaN層１６上に積層された透明電極層１８は、p型GaN層１６に設けられた空孔２４の縁から所定の距離以上離間されている。これにより、２次元フォトニック結晶構造を用いたことによる内部量子効率の低下が抑えられ、発光ダイオードの発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力、低順方向電圧のエピタキシャルウエハ、発光素子、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハ１は発光部２０と反射部２１０と電流分散層２４０とを備え、反射部は第１の半導体層と第２の半導体層とからなるペア層を複数有し、第１の半導体層は、式（１）の厚さＴ_Ａを有し、第２の半導体層は式（２）の厚さＴ_Ｂを有し、第２の電流分散層は高いキャリア濃度又は不純物濃度を有すると共に、表面に凹凸部２５０を有する。
（もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１２〜１８とを備えている。成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。そして、この下部クラッド層１２が、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａと接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化ガリウム系半導体層と活性層とｐ型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位ＬＥＤ素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にｐ型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シ−ド層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シ−ド層上に第１メッキ層を形成し、第１メッキ層及び各第１メッキ層の間の金属シ−ド層の表面に第２メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、ｎ型窒化ガリウム系半導体層上にｎ型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シ−ド層及び第２メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子を製作する。 （もっと読む）

【課題】発光層に非発光領域を設ける。
【解決手段】ｎ型層１１側から光取り出しを行う発光ダイオード１０００において、ｎコンタクト電極の外周線路部１３０ｆと内側線路部１３０ｇは、発光層１５からの発光の遮蔽物となる。そこで、外周線路部１３０ｆと内側線路部１３０ｇのｎ型層１１との接触面の、ｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２の界面への正射影を含み、それよりも広い高抵抗面１２ｓｒを、ｐ型層１２のｐコンタクト電極１２１との界面に設けておく。これにより、電流経路が制限され、発光層１５の高抵抗面１２ｓｒと同面積の部分が非発光領域１５ｎＬＥとなる。これにより、外周線路部１３０ｆと内側線路部１３０ｇが遮蔽物となりにくい領域である発光領域１５ＬＥに優先的に電流を分配することが可能となり、供給電流に対する光取り出し効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】発光層に非発光領域を設ける。
【解決手段】ｎ型層１１側から光取り出しを行う発光ダイオード１０００において、ｎコンタクト電極の大面積部１３０ｐは、発光層１５からの発光の遮蔽物となる。そこで、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との間に、絶縁性保護膜４０を挿入して、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との接合部の面積を減らす。更には大面積部１３０ｐの下方とそれよりも広い領域においてｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２のオーミック接触を排除するため、ｐ型層１２に高抵抗面１２ｓｒを設けておく。これらにより発光層１５の一部は電流経路が通らない非発光領域となる。こうして発光領域を所望に制限し、供給電流に対する光取り出し効率を向上させる。尚、大面積部１３０ｐは図示しない線状のｎコンタクト電極と接続されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ電極にＴＣＯ膜を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子に関して、その高出力化および信頼性向上の少なくともいずれかを実現すること。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層の上にＧａＮ系半導体からなる活性層とｐ型ＧａＮ系半導体層とを順次積層してなり、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の前記活性層側の主面とは反対側の主面上に形成されたＴＣＯ膜と該ＴＣＯ膜に接続されたｐ側ボンディングパッドとを含むｐ電極と、前記ＴＣＯ膜の前記ｐ型ＧａＮ系半導体層側とは反対側の主面上の一部に形成された抵抗制御膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との界面に形成されて前記抵抗制御膜の下方の領域において前記活性層を流れる電流を減少させる抵抗増加領域と、前記ｎ型層に接続されたｎ側ボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層上にＩＴＯからなる透明電極が設けられたフェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、ｐパッド電極１５とｎ電極１６を同時に形成することができる製造方法の実現。
【解決手段】透明電極１４上にＮｉ／Ａｕからなるｐパッド電極１５を、ｎ型層１１上に同じくＮｉ／Ａｕからなるｎ電極１６を、同時に形成した。そして、５７０℃で熱処理を行った。これにより、ｐパッド電極とｎ電極の双方で良好なコンタクトを取ることができる。また、熱処理により透明電極１４のｐパッド電極１５直下に位置する領域に、他の透明電極１４の領域よりもｐ型層１３とのコンタクト抵抗が高い領域１７が形成され、活性層１２の領域１７下方に位置する領域１２ａが発光しないため、発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）