【課題】保護膜及び電極膜が均一な膜厚で形成され、安定で高輝度の発光が担保され、側面の劣化が防止され、高信頼性及び長寿命化が図られている発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持構造部６は反射層２の一部を含み、その側面６ｂがウェットエッチングで形成され、傾斜部６ｂａを含み、傾斜部６ｂａを含む水平方向の断面積が上面６ａに向かって連続的に小さく形成され、メサ型構造部７はその傾斜側面７ａがウェットエッチングで形成され、水平方向の断面積が頂面７ｂに向かって連続的に小さく形成され、保護膜８は上面６ａと、傾斜部６ｂａと、傾斜側面７ａと、頂面７ｂの周縁領域７ｂａとを覆うとともに、周縁領域７ｂａの内側に半導体層５の表面の一部を露出する通電窓８ｂを有し、電極層９は通電窓８ｂから露出された表面と直接接触すると共に上面６ａ上に形成された保護膜８を覆い、光射出孔９ｂを有する連続膜である。 （もっと読む）

【課題】高出力化および小型化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００では、第１屈曲部２１２および第３屈曲部２３２は、第１出射面１６２ａから第１屈曲部２１２までの第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ１と、第３出射面１６２ｂから第３屈曲部２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３とが、等しくなる位置に配置され、第２屈曲部２２２および第４屈曲部２４２は、第２出射面１６４ａから第２屈曲部２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２と、第４出射面１６４ｂから第４屈曲部２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４とが、等しくなる位置に配置され、第１屈曲部２１２で反射された第１出射光Ｌ１の進行方向、第２屈曲部２２２で反射された第２出射光Ｌ２の進行方向、第３屈曲部２３２で反射された第３出射光Ｌ３の進行方向、および第４屈曲部２４２で反射された第４出射光Ｌ４の進行方向は、同じである。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】長時間使用した場合であっても特性の劣化を抑制できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１では、量子井戸層の総膜厚を臨界膜厚よりも大きい範囲とし、かつ量子井戸層の格子不整合を１．０％以上２．５％未満としている。これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。したがって、この半導体発光素子１では、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても結晶内部に状態変化が生じることを抑制でき、特性の劣化を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】効率良く射出し、複数の射出面の間隔が大きい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００の第１利得領域１６０は第１面１３０の垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続し、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続し、第１利得領域１６０の第１面１３０側の第１端面１８０と、第２利得領域１７０の第１面１３０側の第３端面１８４とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０及び第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続する。曲線形状の第１利得部分１６２及び第２利得部分１７２と、直線形状の第３利得部分１６４及び第４利得部分１７４とは、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６を介して接続され、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６と接する場所の絶縁層１１６の屈折率がスロープ形状もしくは階段形状である第１接続部分１４０及び第２接続部分１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】ＴＥ／ＴＭ偏光比を高くして光の利用効率を向上できる半導体発光素子を実現し、該半導体発光素子をバックライト光源に用いた、偏光板が不要となる液晶表示装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。リッジ導波路１０７ａは、前端面及び後端面との間に少なくとも１つの非接続部となる溝部１１３を有し、該溝部１１３によって隔たれた複数の導波路部１０７ａ１、１０７ａ２及び１０７ａ３から形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光時の温度上昇を抑制しつつ発光を分散させることにより、明るさのばらつきが少なくかつ長寿命で高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】１個当たりの発光面積が２,５００πμｍ^２以下の複数の棒状構造発光素子２１０を同一の絶縁性基板２００の実装面上に１００個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】 出射ビーム形状の対称性が改善されており、かつ、レーザ発振抑制等が可能な端面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体層の一部が光導波路２０２を形成し、
光導波路２０２は、半導体層の主面方向に沿って形成され、光を出射可能な光出射端面２０３を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分は、前記主面に垂直な方向から見た場合に、光出射端面２０３に向かって左右いずれかに傾斜した形状を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分において、光出射端面２０３に向かって左右方向における光導波路２０２の等価屈折率分布は、光導波路２０２の右端部および左端部の一方が他方よりも前記分布が急峻であり、かつ、
前記分布が急峻な側の端部は、前記主面に垂直な方向から見た場合の傾斜方向と逆側の端部であることを特徴とする端面発光型半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 予定していない位置から光が放出されるのを抑制することができる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子アレイ１は、ＤＢＲ層５と、少なくとも一層のｎ型半導体層１１からなるｎ型半導体領域及び少なくとも一層のｐ型半導体層１５，１７からなるｐ型半導体領域を有する半導体積層部からなり、互いに離間して配置されるとともにＤＢＲ層５に接するように設けられた複数の発光素子７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減し、光取り出し効率を向上させた発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１の一面に、ｎ型半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型半導体層１４と、酸化チタン系導電膜層１５と、がこの順で積層された発光素子であって、ｐ型半導体層１４と酸化チタン系導電膜層１５との間に、Ｉｎ、ＡｌまたはＧａのいずれかの元素を含む第１の酸化物と、ＺｎまたはＳｎのいずれかの元素を含む第２の酸化物とが存在し、前記第１の酸化物及び前記第２の酸化物の全量に対する前記第２の酸化物の質量割合が１〜２０質量％の範囲である発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを十分に抑制可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子１は、活性層Ｉと、活性層Ｉの一方側に設けられたｐ型クラッド層Ｌと、ｐ型クラッド層Ｌと活性層Ｉとの間に設けられたｐ型電子ブロック層Ｋと、活性層Ｉとｐ型電子ブロック層Ｋとの間に設けられた第２ガイド層Ｊとを備え、活性層Ｉ、ｐ型クラッド層Ｌ、ｐ型電子ブロック層Ｋ、及び第２ガイド層ＪがIII族窒化物系半導体を含み、ガイド層Ｊのうちｐ型電子ブロック層Ｋ側に位置する部分は、ｐ型不純物を含むと共にｐ型電子ブロック層Ｋとがヘテロ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】多重量子井戸構造内の少なくとも一層にキャリアトラップ部を含むことで、活性領域内に形成される転位などの結晶欠陥による内部量子効率が低下する問題を解決する発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に介された少なくとも一つの井戸層及び少なくとも一つのバリア層を含む多重量子井戸構造と、を備え、前記多重量子井戸構造内の少なくとも一層に少なくとも一つのキャリアトラップ部を含み、前記キャリアトラップ部は、外周部から中心部に向かってバンドギャップエネルギが減少する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを含み、活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１６０，１６２を構成する。活性層の第１側面１０５の反射率は対向する第２側面１０７の反射率よりも高く、複数の利得領域の各々は第１側面側から第２側面側に向かって設けられ、複数の利得領域は少なくとも１つの利得領域対をなす。利得領域対の一方の第１利得領域１６０は直線状の形状を有し、第１側面の垂線Ｐに対して傾いており、他方の第２利得領域１６２は円弧の形状を有する曲がり導波路部１６６を有する。第１利得領域の端面１７０と第２利得領域の端面１７４とは重なり面１７８において重なり、端面１７２から出射される光２０と端面１７６から出射される光２２とは、同一の方向または集束する方向に進む。 （もっと読む）

放射放出半導体チップ（１）は、キャリア（５）と、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）と、を備えている。半導体積層体を有する半導体ボディ（２）には、放出領域（２３）および保護ダイオード領域（２４）が形成されている。半導体積層体は、放射を発生するために設けられている活性領域（２０）を備えており、この活性領域は、第１の半導体層（２１）と第２の半導体層（２２）との間に配置されている。第１の半導体層（２１）は、キャリア（５）とは反対側の活性領域（２０）の面に配置されている。放出領域（２３）は、活性領域を貫いて延在する凹部（２５）を有する。第１の半導体層（２１）は、放出領域（２３）においては、第１の接続層（３１）に導電接続されており、この第１の接続層は、第１の半導体層（２１）から凹部（２５）の中をキャリア（５）の方向に延在している。第１の接続層は、保護ダイオード領域（２４）においては、第２の半導体層（２２）に導電接続されている。さらに、放射放出半導体チップの製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜と発光素子部との間の段差で電極が断線しにくく、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、基板８０上に、少なくとも第１の発光素子部１０と第２の発光素子部２０とを有し、前記第１と第２の発光素子部１０、２０との間には絶縁膜３０が形成され、さらに当該絶縁膜３０の上には前記第１と第２の発光素子部１０、２０を電気的に接続する電極４０が形成され、前記電極４０及び絶縁膜３０はそれぞれ前記第１の発光素子部１０上方において延伸され、前記電極４０及び絶縁膜３０がともに延伸してなる延伸部５０を有し、当該延伸部５０において前記電極４０が前記絶縁膜３０の延伸方向の側面３５１と接して前記第１の発光素子部１０と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 作製工程における環境の温度変化に対して悪影響が小さい発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、（１）第１の積層体を複数形成する工程と、（２）５金属体と第２の接合部６とを順次積層して第２の積層体を複数形成する工程と、（３）加熱することにより第１の積層体に前記第２の積層体を実装する工程と、（４）成長用基板１を除去する工程と、（５）支持基板４を除去して第１の電極５とする工程と、（６）光半導体素子２上に第２の電極７とする工程と、を具備する （もっと読む）