【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】 外部に取り出される光のグラデーションを良好にすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置１であって、基板２と、基板２上に設けられた発光素子３と、基板２上に設けられた、発光素子３を取り囲むとともに、内周面に複数の凹部ｐを有する枠体４と、枠体４の内周面に凹部ｐにそれぞれ嵌まるようにして設けられた、複数の反射部材５と、発光素子３および枠体４の内周面を覆うように枠体４上に支持された、発光素子３が発した光および反射部材５で反射された光を波長変換する波長変換部材６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置１であって、基板２と、基板２上に設けられた発光素子３と、基板２上に設けられた、発光素子３を取り囲むとともに、内部に複数の空隙部を有する多孔質枠体４と、多孔質枠体４で囲まれる領域に設けられた、多孔質枠体４の内周面および発光素子３を覆う被覆部材５ａおよび被覆部材５ａ内に含有された複数の透光性部材５ｂを有する封止部材５と、を備え、多孔質枠体４は内周面に複数の凹部４ｐが設けられており、透光性部材５ｂは凹部４ｐに嵌まっている。 （もっと読む）

【課題】蛍光体キャップを備えたＬＥＤダイを回路基板上に実装したＬＥＤ装置は製造しやすいが、回路基板を小さくしていっても斜め下方向の配光が充分に改善しない。そこで回路基板と蛍光体キャップを備えていても小型化に際し斜め下方向の配光を改善しながら同時に光束を増加できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０は、回路基板１４にＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装し、回路基板１４ごとＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で覆ったものである。このとき回路基板１４の平面形状とＬＥＤダイ２０の平面形状は略等しい。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層が光の反射層となることができ、個片のセラミック基板への分割も容易な多数個取りセラミック基板および個片のセラミック基板を提供することにある。
【解決手段】 複数の基板領域２を有する母基板１と、母基板１の上面に、基板領域２の境界に沿って設けられた分割溝３とを備えており、母基板１が、第１のセラミック焼結体からなる絶縁層１ａと、第１のセラミック焼結体よりも結晶化温度が低い第２のセラミック焼結体からなる拘束層１ｂとが交互に、最上層が絶縁層１ａとなるように積層されて形成されているとともに、母基板１の上面に分割溝３に沿って、第２のセラミック焼結体からなる帯状拘束層４が付着している多数個取りセラミック基板９である。帯状拘束層４により、分割溝３が形成された部分における絶縁層１ａの収縮を抑制して分割溝３の変形を抑制できる。そのため、分割が容易な多数個取りセラミック基板９を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供する。
【解決手段】セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に電子部品３を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部４と、セラミック基板部２上に、所望の電気回路パターンが形成された、少なくとも１つの配線部５と、を有するセラミック基板１において、端子部４は、セラミック基板部２上に形成された第１の金属部１０と、第１の金属部１０の表面に形成された配線部皮膜部１１とを備え、配線部５は、セラミック基板部２上に形成された第１の金属部１０と、第１の金属部１０上に形成された第２の金属部１２と、第１の金属部１０の全ての側面と第２の金属部１２の表面に形成された配線部皮膜部１３と、を備えたセラミック基板１としたので、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】マザー基板に直接的にＬＥＤダイを実装しようとするときに絶縁膜のピンホールが課題となる。そこでこのピンホールに係わる不具合が発生しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０はフリップチップ実装用のＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で被覆したものである。ＬＥＤダイ２０は、マザー基板４３に直接的にフリップチップ実装するため、絶縁膜１４上に大きなサイズの突起電極１２，１３を備えている。蛍光体キャップ１１は、透光性の樹脂等に蛍光体を混練したものであり、ＬＥＤダイ２０の上面及び底面、並びに底部に形成した折り返し部でＬＥＤダイ２０のｐ型及びｎ型半導体層１７，１６の角部を覆い、ピンホールが発生しやすい部位を保護する。 （もっと読む）

【課題】透光性の合成樹脂により成型された変換素子の収容体が、高熱によって変性することのない光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光通信モジュール１は、光電変換素子５の本体部５１の下面に電気信号の入出力を行わない第１端子５２を設け、この第１端子５２を半田にて導電板３に接続固定する。また本体部５１の上面に電気信号の入出力を行う第２端子５３ａ及び５３ｂを設け、ワイヤボンディングにより第２端子５３ａ及び５３ｂを導電板３にワイヤ３５ａ及び３５ｂを介して接続する。また光電変換素子５の第１端子５２と導電板３とを接続する半田には、収容体２を構成する透光性の合成樹脂を変性させない融解温度又は硬化温度の半田を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、ＬＥＤチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板８上の銅箔３と、ＬＥＤチップの電極６とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル１２で銅板１０と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板８を有するＬＥＤ照明器の製造法である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】硬さが互いに異なる複数種類の蛍光体が用いられた場合であっても所望の色および輝度の光を発する発光装置および半導体発光システムを提供する。
【解決手段】発光装置１は、ＬＥＤ部３と、蛍光体部２とを有する。蛍光体部２は、ＬＥＤ部３が発した光を受光する位置に並設された緑色蛍光体部２ｇと赤色蛍光体部２ｒとを備える。緑色蛍光体部２ｇは、緑色光を発する緑色蛍光体を含む。赤色蛍光体部２ｒは、緑色光の波長よりも長い波長の光の成分を含む赤色光を発する赤色蛍光体部２ｒを含む。緑色蛍光体のモース硬度の値ＭＨ１と、赤色蛍光体のモース硬度の値ＭＨ２とは互いに異なり、ＭＨ１＞ＭＨ２である場合にＭＨ１／ＭＨ２≧２であり、ＭＨ１＜ＭＨ２である場合にＭＨ２／ＭＨ１≧２である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、圧着により固着することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【目的】
位置精度が高く、光の損失が小さく、光結合効率及び光取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載された発光素子と、発光素子上に配された光透過層と、光透過層上に配された透光性プレートと、透光性プレート上に形成されたレンズと、を有している。上記光透過層は、透光性プレートの下面端部と発光素子の下面端部とを接続するように発光素子の側面を覆い、レンズの外縁は、レンズが接する透光性プレートの上面の外縁によって画定されている。 （もっと読む）

【課題】搭載基板とＬＥＤチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成され、ＬＥＤチップ２０を封止するガラス材料から成るガラス封止部３０と、搭載基板１１とＬＥＤチップ２０との間にガラス封止部３０のガラス材料が進入していない空隙である中空部３１と、中空部３１と連通するように搭載基板１１の板厚方向に貫通形成された注入孔３２と、中空部３１の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 発光面となる前面側がチップ基板上から浮き上がることなくハンダによって電気的接合することができると共に、ある一定の傾きを有した状態でも安定して電気的接合を図ることのできるＬＥＤチップを提供することである。
【解決手段】 前面１２ａが発光面、背面１２ｂが電極面となるＰＮ接合構造による発光本体１２と、前記背面１２ｂにＰ層及びＮ層の一部が露出する一対のチップ電極１３ａ，１３ｂとを備え、前記前面１２ａ及び背面１２ｂと直交する一側面を載置面１２ｃとして、電極パターンが形成されたチップ基板上に載置されるＬＥＤチップ１１において、前記背面１２ｂ側の一部に、前記載置面１２ｃの一端から延長する底面部１４ａを有して突出する実装支持部材１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】 一対の電極面を有する実装面を多方向に備え、各実装面に発光体を実装することで、立体空間を均等な明るさで照明することができると共に、放熱性にも優れた発光モジュールを提供することである。
【解決手段】 複数の発光体１３ａ，１３ｂ，１３ｃと、複数の発光体を実装する複数の実装面１７ａ，１７ｂ，１７ｃを有し、隣接する実装面が所定の角度を有している多面体からなる基板１２とを備え、前記実装面は絶縁層１４を挟んで両側に一対の電極面１５ａ，１５ｂを有し、この一対の電極面に前記発光体の一対の端子電極が電気的に接続されており、前記複数の実装面を多面体の対向する一対の電極面を除いた全ての面に形成した。 （もっと読む）

【課題】低いコストで、発光素子側の取付面と基板側の取付面とを精度よく平行に固定する。
【解決手段】基板１（配線板）のパッド２ａ上にはんだ層（はんだ６）を形成する（はんだ層形成工程）。前記はんだ層の上に、一定サイズの導電性または絶縁性の粒子（複数の粒状体）を含有し、有機酸を含有または有機酸の硬化剤を有する熱硬化性樹脂（熱硬化性エポキシ樹脂８）を配置する（樹脂層形成工程）。裏面に金属層４を設けた半導体発光素子３（発光素子）を押し付け、前記熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上かつ前記はんだ６の融点以上に加熱し、加圧する（加圧工程、加熱工程）。前記発光素子は、前記複数の粒状体をはさんだ状態で前記配線板とはんだ接合し、前記熱硬化性樹脂が硬化する。 （もっと読む）