【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層が生じないIII 族窒化物半導体のエッチング方法。
【解決手段】ｐ−ＧａＮ層１、ｎ−ＧａＮ層２、マスク３からなる試料を作製する（図１ａ）。ｐ−ＧａＮ層１の主面はｃ面である。次にその試料を、サファイアで作製した台座の上に置いた状態で、Ｃｌ₂ ガスによってＩＣＰエッチングを行い、針状構造４を形成する（図１ｂ）。次に、針状構造４をＴＭＡＨ水溶液によるウェットエッチングで除去する（図１ｃ）。これにより露出したｐ−ＧａＮ層１の表面１ａには、ダメージ層が形成されていない。以上の工程により、ダメージ層を底面に形成することなくコンタクトホールを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光素子において発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。 （もっと読む）

（ａ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイスの領域にイオンビーム注入を実行することと、（ｂ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイス上でバンドギャップ選択的光電気化学（ＰＥＣ）エッチングを実行することと、を含む、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスの構造的完全性を確保するための方法。上記領域は、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスのアンダーカット構造の構造的完全性を強化する支持支柱を備える。
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【課題】不所望の発熱を生じるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却し得る冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板（１）の主面に概略直交する複数の貫通孔（２）を形成する工程と、その貫通孔に概略平行な一対の２平面に沿って、またはさらにその一対の２平面に交差する他の一対の２平面に沿って基礎基板を切り出すことによって、貫通孔の少なくとも一つを含む切片からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板（３）を得る工程とを含み、それによって、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板に含まれる貫通孔が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面付近がプラズマイオンによるダメージを受ける恐れをなくす。
【解決手段】エッチャントが溜められるエッチング容器２００と、エッチング容器内に、III族窒化物半導体の被エッチング構造体が固定される支持具２０４と、エッチング容器内に設けられたカソード２０８と、カソードと被エッチング構造体１１２が備える引き出し電極２０６との間に、直列に接続されている電流計２１０と、超高圧水銀ランプと、超高圧水銀ランプに取り付けられ、波長が３６５ｎｍより短く、かつ、３００ｎｍ〜３５０ｎｍの所定の波長より長い光を、被エッチング構造体に照射するフィルタとを備えている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流や耐圧低下の防止された、トレンチ構造またはメサ構造を有するIII 族窒化物半導体装置。
【解決手段】Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。その後、ＵＳＧ膜３をマスクとしてＧａＮ層２をドライエッチングした。図２ａ、ｂのように、Ａ面よりもＭ面の方が荒れが少ないことが分かる。次に、ＴＭＡＨ水溶液でウェットエッチングした。図２ｃ、ｄのように、Ａ面、Ｍ面ともに荒れが解消されていて、特にＭ面は鏡面状になっている。したがって、トレンチ溝側面またはメサエッチング側面をＭ面とすれば、III 族窒化物半導体装置のリーク電流や耐圧低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ELO（エピタキシャルリフトオフ）を用いた半導体装置の製造方法において、短時間で確実に半導体基板と支持基板（デバイス層側）との分離を行うこと。
【解決手段】本発明は、半導体基板１に犠牲層２を介して成長させたデバイス層４に所定のデバイスを形成し、そのデバイス層４側に支持基板１０を貼り合わせた状態で犠牲層２をエッチングにより除去して半導体基板１とデバイス層４とを分離する工程を備えた半導体装置の製造方法であり、犠牲層２を除去するにあたり、予めデバイス層４から犠牲層２まで溝ｄを形成しておき、この溝ｄを介してエッチング液を犠牲層２まで浸透させる方法である。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体のウェットエッチング方法および半導体装置製造方法。
【解決手段】Ｒ面を表面とするＧａＮ基板１０の上にＳｉＯ₂ で構成された層間絶縁膜１１が形成されている（図１Ａ）。次に、層間絶縁膜１１をドライエッチングし（図１Ｂ）、コンタクトホール１２を形成する。その際ダメージ層１３が形成される。次に、濃度２５％、温度９０℃のＴＭＡＨ水溶液を用い、ウェットエッチングをする。ダメージ層１３はＲ面であるためエッチングされ、除去できる（図１Ｃ）。その後、金属膜１４を形成する（図１Ｄ）。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率に優れ、発光出力の高い平面形状が縦横の辺の長さが異なる矩形である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板および基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光素子であって、発光素子の平面形状が縦横の辺の長さが異なる矩形であり、該窒化ガリウム系化合物半導体層の側面が基板主面に対して垂直でないことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体上の素子の信頼性を向上するため、従来ＴＥＭによる観察同定を必要とした転位や積層欠陥等の結晶欠陥の同定を、光学顕微鏡等の簡便な手段を用いて行うことが出来るようにすること。
【解決手段】III族窒化物半導体素子の結晶欠陥部分はエッチングによりピットが生じ、それが光学顕微鏡で観察出来るようになる。この発明はこのことに基づくもので製造工程中に、半導体の表面をエッチング等の処理を行うことにより、半導体の結晶欠陥を光学顕微鏡等でも見える状態にする工程（顕現化工程）及びそれを観察する工程、さらに必要により観察結果に基づく分別工程を含むIII族窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置自体が安価であり、ランニングコストが低く、さらに、量産性に有利であるなどの利点を有する光電気化学エッチングによって、ＩＩＩ族窒化物半導体を選択エッチングする。
【解決手段】エッチャント２０２で満たされる容器２００と、容器内に設けられた、被エッチング層とエッチストップ層を有する基板１１０を保持する治具２０４と、基板が備える電流引出し用電極６０に接続される電流引出し線２１２と、容器内に設けられたカソード線２０８と、カソード線と電流引出し線との間に、直列に接続されている可変電圧源２１４及び電流計２１０と、高圧水銀ランプ又は低圧水銀ランプの水銀ランプ２１６と、水銀ランプに取り付けられ、エッチストップ層のバンドギャップエネルギーよりも低く、被エッチング層のバンドギャップエネルギーよりも高い光を、選択的に透過させるフィルタ２１８とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面１０ｃの反対側の面である裏面１０ｒの反りｗ_(R)が−５０μｍ≦ｗ≦５０μｍであり、裏面１０ｒの面粗さＲａ_(R)をＲａ_(R)≦１０μｍ、裏面１０ｒの面粗さＲｙ_(R)をＲｙ_(R)≦７５μｍとすることができる。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体層にナノパターンを持つ半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部および／または表面領域に複数のナノパターンを備える半導体層と、半導体層上に形成された活性層と、を備える半導体発光素子。これにより、光抽出効率を向上させつつ発光素子の内部欠陥を減少できる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。活性層３は、ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４と横幅が揃っておらず、少し削られたような形状となっている。チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりがよく、光取出し効率を向上した窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法は、基板上に、ＩｎＧａＮを含む光溶解層を形成する工程と、光溶解層上にＩｎＧａＮを含む層を少なくとも１層以上積層し、窒化物半導体層を形成する工程と、少なくともＩｎＧａＮを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、電解液中で少なくとも一部が露出した光溶解層に、ＩｎＧａＮのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】インジウム、ガリウム、リンを含有する半導体部材をエッチングする際に、エッチング量のばらつきを抑えることができるエッチング液、及びこのエッチング液を使用する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム及びリンを含有する半導体部材をエッチングするエッチング液として、インジウム、ガリウム及びリンの各元素を酸化させる酸化剤と、インジウム、ガリウム及びリンの各元素の酸化物を溶解するクエン酸とを含有するエッチング液を作製する。酸化剤には過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を使用し、クエン酸にはクエン酸一水和物（Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_７・Ｈ_２Ｏ）を使用する。このエッチング液は、１００グラムのクエン酸一水和物に１００ミリリットルの過酸化水素水を加えて作製する。このエッチング液により、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ第３クラッド層９上に形成されたｐ−ＩｎＧａＰ通電容易層１０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、支持基板２と、光を発光するＭＱＷ活性層１３及び最上層のｎ−ＧａＮ層１４とを含む半導体積層構造６とを備え、半導体積層構造６のｎ−ＧａＮ層１４の上面には複数のコーン形状の凸部１４ａが形成されている。ＭＱＷ活性層から発光される光の波長をλ、ｎ−ＧａＮ層１４の屈折率をｎとすると、凸部１４の底面の幅Ｗの平均値Ｗ_Ａが、
Ｗ_Ａ≧λ／ｎ
となるように凸部１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーとの密着度を良くし、かつＧａＮ自立基板の反りを減らすことにより、窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】表面（Ｇａ面）２が鏡面に研磨され、かつ裏面（Ｎ面）３の算術平均粗さＲａをラップ後のエッチング処理により１μｍ以上、１０μｍ以下（気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ）としたＧａＮ自立基板１を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。 （もっと読む）