【課題】
ＩｎＧａＺｎＯ４薄膜を活性層に用い、ＩＴＯ薄膜をソース・ドレイン電極に用いるような薄膜トランジスタにおいて、リフトオフ工程を使わずにそれぞれの層をパターニングすること、またそのような工程を用いて製造した薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】
基材上に設けたＩＴＯ薄膜をエッチングによりパターン化する工程と、前記パターニングされたＩＴＯ薄膜上に設けたＩｎＧａＺｎＯ４薄膜をエッチングによりパターニングするに際し、前記２種の薄膜を、同種、同濃度のエッチング液またはエッチングガスを用い、それぞれ異なるエッチング時間でエッチングするか、濃度を変え、他の条件は変えずにエッチングすることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】端面の表面が平滑な半導体素子の製造方法と、端面の表面が平滑な半導体素子と、当該半導体素子を用いた半導体レーザと、当該半導体素子を用いた面発光素子と、当該半導体素子を用いた光導波路とを提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、（０００１）面を主面とするＧａＮエピタキシャル成長層１２を用いた半導体素子１０である。半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたエピタキシャル成長層１２とを備えている。ＧａＮエピタキシャル成長層１２では、ｍ面により側壁１２ａが形成されている。半導体素子１０の製造方法は、（０００１）面を主面とするＧａＮエピタキシャル成長層を準備する工程と、（０００１）面と垂直方向であるｍ面が反応律速面となるウエットエッチングを行なうウエットエッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれる半導体領域の厚さを均一にできるIII族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、半導体層４５を半導体ウェハ４１上に形成する工程と、半導体層４５及びウェル領域５１とは異なる組成のIII族窒化物半導体から成る半導体マスク層４７を半導体層４５上に形成する工程と、半導体マスク層４７及び半導体層４５をエッチングして凹部４５ｂ，４５ｃを形成する工程と、ウェル領域５１を構成するためのIII族窒化物半導体４９を凹部４５ｂ，４５ｃ内及び半導体マスク層４７上に成長させた後に半導体マスク層４７をエッチング除去する工程とを備える。そして、半導体マスク層４７を除去する際に、半導体マスク層４７に対するエッチング速度が半導体層４５及びウェル領域５１に対するエッチング速度よりも速いエッチャントを用いて半導体マスク層４７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で提供する。
【解決手段】
III族窒化物半導体から構成される活性層１５と、活性層１５からの光を一対の鏡によって反射することによって、レーザ発振を誘起する共振器と、６００℃以下の低温で成長したIII族窒化物半導体からなり、活性層１５からの光の波長を選択する回折格子２４を有するIII族窒化物半導体レーザ。高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で作成することが可能になる。 （もっと読む）

窒化物半導体結晶（１１）の表面に、加工液（１５）として少なくともＮａ、ＬｉまたはＣａを含有する液体を接触させることを特徴とする窒化物半導体結晶表面の加工方法。本加工方法において、加工液（１５）が少なくともＮａを含有する液体であって、加工液（１５）中のＮａ含有率が、５モル％〜９５モル％とすることができる。また、加工液（１５）が少なくともＬｉを含有する液体であって、加工液（１５）中のＬｉ含有率が、５モル％〜１００モル％とすることができる。上記加工方法によって得られた、最深表面傷深さが０．０１μｍ以下または平均加工変質層厚さが２μｍ以下の窒化物半導体結晶。この結果、表面傷深さおよび加工変質層厚さの小さい窒化物半導体結晶表面の加工方法およびその方法により得られた窒化物半導体結晶を提供できる。
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ＬＥＤデバイス上にｎ型窒化ガリウム(ｎ型ＧａＮ)層を形成する工程と、前記ｎ型ＧａＮ層の表面を粗くして前記ＬＥＤデバイスの内部からの光の抽出を高める工程と、によって半導体発光ダイオード(ＬＥＤ)デバイスを製造するためのシステム及び方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 簡単に製造することができ、発光波長の制約が小さい、発光部端面において光の進行方向を変える機構を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層１５を含む半導体発光層領域３０を形成する工程と、半導体発光層領域３０に隣り合うように、ＧａＮ系材料の結晶方位が反転した結晶反転層領域４４を形成する工程と、結晶反転層領域をウェットエッチングして複数個の錐体３４から構成される錐体配置領域３５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物系化合物半導体をエッチングした後に平坦なエッチング面を得ることができ、特性の優れた半導体素子を歩留まり良く得られる半導体素子の製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】サファイアからなる母材基板１の上にｎ型半導体層２と活性層３とｐ型半導体層４とｐ型コンタクト層５とからなる窒化物半導体層２０を既知の方法により形成し、ｐ型コンタクト層５の上にｐ型電極を形成する。ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。ｎ型半導体層２の窒素面をリン酸によりウェットエッチングして平坦化した後、平坦化したｎ型半導体層２の表面にｎ型電極７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 手軽に取り扱うことのできるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層を比較的近いエッチング速度でエッチングすることができ、なおかつ、エッチング後に平滑な表面が得られる方法を提供すること。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】光反射層をオーバーエッチすることなく、ダイシング加工歪を完全に除去することができる光反射層付きＡｌＧａＰ発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ混晶からなる光反射層を形成し、その上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるｐｎ接合を形成する。次に前記ｐｎ接合をダイシングにより分断後、硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液よりなるエッチング液を用いてエッチング処理する。
１回目のダイシング分断がハーフダイシングであり、２回目のダイシングがフルダイシングであり、１回目のダイシング及び２回目のダイシング後に、それぞれ硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液を用いてエッチング処理を行う。前記エッチング液がＨ₂ＳＯ₄:Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝３：１：１の混合比である。 （もっと読む）

【課題】 より妥当な価格的でかつより大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能なとりわけ埋込トンネル接合を有するＩｎＰ系面発光型レーザダイオード（ＢＴＪ−ＶＣＳＥＬ）を提供すること。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層と少なくとも１つのｐドープ半導体層とによって包囲されるｐｎ接合を有する活性層、及び該活性層のｐ側に位置しかつ第２のｎドープ半導体層と隣接するトンネル接合を有する面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法であって、トンネル接合（１）のために提供される層は、第１の工程において、物質選択性エッチングによって、前記トンネル接合（１）の所望の直径に至るまで横方向に刻削され、及び第２の工程において、エッチングにより形成された空隙が前記トンネル接合（１）と隣接する少なくとも１つの半導体層（２、３）からのマストランスポートによって閉塞されるまで適切な雰囲気中で加熱されることを特徴とする。
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選択的エッチングされた自己整合二重リセス高電子移動度トランジスターの製造方法を提供する。この方法は、ＩＩＩ−Ｖ基板（１２）；第１の相対的広バンドギャップ層（１４，１８）；チャネル層（２０）；第２の相対的広バンドギャップショットキー層（２２，２５）；エッチング停止層（２６）；エッチング停止層上のＩＩＩ−Ｖ第３広バンドギャップ層（２８）；および第３広バンドギャップ層上のオームコンタクト層（３０）を有する、半導体構造体を作製することを含む。
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【課題】 インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀Ｃ−Ｖ法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。ここで、水銀除去層として、化学的水銀除去層または物理的水銀除去層を用いることができる。さらに、２層以上の水銀除去層を設けることもできる。 （もっと読む）

窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。
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結晶膜のパターン形成方法を提供する。第１の原子を含む縮退格子を有する結晶膜が第１領域及び第２領域に設けられる。ドーパントが第１領域内の第１の原子を置換し、第１領域に非縮退結晶膜を形成する。第１領域及び第２領域はウェットエッチャントに晒され、ウェットエッチャントは第１領域の非縮退格子をエッチングせずに第２領域の縮退格子をエッチングする。

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窒化物半導体単結晶ウエハを研磨すると加工変質層ができる。加工変質層を除去するためのエッチングが必要である。しかし窒化物半導体は化学的に不活性であって適当なエッチャントがない。水酸化カリウムとか燐酸がＧａＮのエッチャントとして提案されているがＧａ面を腐食する力は弱い。 加工変質層を除去するためにハロンゲンプラズマを用いたドライエッチを行う。ハロゲンプラズマでＧａ面をも削り取る事ができる。しかしドライエッチによって新たに金属粒子による表面汚染の問題が生ずる。そこで選択性がなく腐食性があって酸化還元電位が１．２Ｖ以上であるＨＦ＋Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２ＳＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＣｌ＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＮＯ_３等をエッチャントとしてウエットエッチングする。
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【課題】 オーバエッチングがべ一ス層まで及ぶことがなく、高速化を図ったＨＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 コレクタ層とベース層が同じエッチング液でエッチングされる材質で形成されている場合において、■基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層を積層する工程。
■エミッタ電極及びベース電極を形成しコレクタ層を露出させる工程。
■ベース層の下部を除くコレクタ層の厚さの１／２程度の厚さまでエッチングにより除去し途中でエッチングをストップさせる工程。
■エミッタ電極及びベース電極を含むコレクタ上の所定領域を覆ってマスキングを施す工程。
■ベース電極とサブコレクタ層とに挟まれた部分を含むコレクタ層をサイドエッチングして所望の空隙を形成する工程。
を含んでいる。 （もっと読む）