ファセットが、ファセットによって囲まれているキャビティ内の光学モードを支持するために十分に平滑であるように、光電気化学（ＰＥＣ）エッチを使用してファセットをエッチングすることによって半導体レーザ素子を加工する方法。ＰＥＣエッチングは、平滑な側壁を伴い、いかなるイオン損傷ももたらすことなく、ＧａＮ内に深い異方性トレンチをエッチングするために使用することが可能な方法であって、エッチングされたファセットの角度は、エッチングに作用するために使用される光の方向によって制御することが可能である。
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【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の第１の空洞を含む第１空洞含有層を成長用基板上に形成する工程と、複数の第２の空洞を含み、互いに隣接する第２の空洞間の隔壁部の各々が第１の空洞の各々の上部に設けられた第２空洞含有層を第１空洞含有層上に形成する工程と、第２空洞含有層上に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、半導体層上に支持基板を接着する工程と、第１および第２の空洞の各々にエッチャントを流入させて、第１の空洞の各々と第２の空洞の各々とを結合させて成長用基板を半導体層から除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上できるとともにクラックの低減ができる発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法は、II-VI族またはIII-V族化合物系半導体からなる複数の半導体層がエピタキシャル成長され積層されたエピタキシャル層を含む発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法であって、エピタキシャル成長されたウルツ鉱結晶体のＣ軸方向に沿って積層され複数の半導体層を形成するエピタキシャル工程と、複数の半導体層の最上部に形成された半導体層の表面を−Ｃ面とする工程と、−Ｃ面に複数の多角形凹凸からなる隆起面を形成する隆起工程と、隆起面における複数の多角形凹凸の各々の差し渡しより小なる差し渡しを各々が有しかつ隣接する複数の突起を、隆起面に形成する粗面化工程と、を含み、隆起工程において、複数の多角形凹凸を、ウルツ鉱結晶体のｍ面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線を有するように形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造過程における機械的強度の低下および製造コストの増大を抑制することのできる導波路一体型半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態による導波路一体型半導体受光素子においては、リッジ型光導波路１２０を経由して半導体基板表面に平行な方向に伝送された光は、半導体受光素子１１０に入射され、半導体受光素子１１０と光導波路１２０とが接する面１３０Ａと反対側の面である順メサ反射面１３０Ｂにて下方向に反射される。半導体基板方向に反射された光は、半導体受光素子１１０にて検知され、電気信号に変換される。半導体受光素子１１０にて発生した電気信号は、Ｎ型コンタクト形成部１４０及びＰ型コンタクト形成部１５０に接続された電極（図示せず）にて外部回路に取り出される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられ、前記第１の半導体層よりもアルミニウムの濃度が高い窒化物半導体からなる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられたゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極と、を備え、前記ゲート電極の下の前記第２の半導体層に複数の第１の孔が形成され、前記複数の孔のそれぞれは、前記ゲート電極と電気的に接続された導電性の材料により充填されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】エッチングダメージによる装置特性の劣化及びエッチングのばらつきによる装置特性のばらつきが小さい窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。電流狭窄層１８は、第１の半導体層１８Ａと、第２の半導体層１８Ｂと、第３の半導体層１８Ｃとを有する。第２の半導体層１８Ｂは、第１の半導体層１８Ａの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さい。第３の半導体層１８Ｃは、２の半導体層１８Ｂの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さく且つ第２の半導体層１８Ｂと比べて格子定数が大きい。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法は、III族窒化物半導体基板１００の第１領域Ａ上にレーザを照射して、窒素極性の第１領域ＡをIII族元素極性に変換する段階と、レーザが照射されてIII族元素極性に変換された第１領域Ａをマスクとして利用して第２領域Ｂをウェットエッチングする段階とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】成長基板としてＧａＮ基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、再現性よくＧａＮ基板をメンブレン状に加工すること
【解決手段】ＧａＮ基板１０表面上に、Ａｌ組成比２０％のＡｌＧａＮからなるストッパー層１１を形成し、ストッパー層１１上にｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４、ｐ電極１５を形成し、支持基板１６と接合する。次に、中央部が開口した形状にマスク２０を形成し、ＧａＮ基板１０裏面をＰＥＣエッチングする。照射する光は、ＧａＮのバンドギャップよりも大きく、Ａｌ組成比２０％のＡｌＧａＮのバンドギャップよりも小さいエネルギーの波長とする。エッチングはストッパー層１１に達する深さまで進行すると止まるため、再現性よくメンブレン構造を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】発光層から反射面に向かう臨界角外の光を取り出すことができず、光取り出し効率は十分高くなかった。
【解決手段】導電性支持基板２１上方に接合層３を形成し、接合層３の上方に酸化シリコン層１５’及び反射電極層１６’よりなる反射層を形成し、反射層と発光層１１、１２、１３との間に電流拡散層１４’を形成する。電流拡散層１４’の反射層側の面を異方性反射特性凹凸面とした。 （もっと読む）

【課題】 高いチャネル移動度を保持しながら、遮断電流を抑制することのできる窒化物半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ１の製造において、ｎ型ＧａＮ層４上にｐ型ＧａＮ層５を積層し、ｐ型ＧａＮ層５上にｎ型ＧａＮ層６を積層する。次いで、エッチングにより、ｎ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層６に跨る壁面８を有する積層構造部３を形成する。そして、窒素雰囲気中において、積層構造部３に対して、ｐ型不純物を活性化させるアニール処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 ＧａＰ光取出層の（１００）主表面を異方性エッチングして面粗し突起部Ｆを分散形成し、さらに、その頂面を平坦化して、該面粗し突起部Ｆよりも小さい微小突起ＳＦがさらに分散形成することで、面粗し突起部Ｆの頂面の総評面積が微小突起ＳＦにより拡大し、光取出効率を大幅に向上することができる。 （もっと読む）

【課題】コスト低減の図れるスイッチング素子の基本構造であるＭＩＳ積層構造体およびそれらの作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも半導体材料層〔S〕、絶縁材料層〔I〕、および導電性酸化物材料層〔M〕(照射するレーザ光を吸収し、薄膜の少なくとも一部がアモルファス相である導電性酸化物材料層)を順次成膜してMIS積層構成体を形成する成膜工程(a)と、集光した状態のレーザ光を前記導電性酸化物材料層側から照射して該導電性酸化物材料層の一部を熱変化させると共に、MIS積層構成体内部に伝播した熱により前記半導体材料層の一部を熱変化させる熱処理工程(b)と、前記MIS積層構成体の熱変化していない部分をエッチング処理で除去するエッチング処理工程(c)とによりＭＩＳ積層構造体を作製し、これに電極を設けてスイッチング素子とする。 （もっと読む）

【課題】 素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子を構成する積層体の、光取出面をなす一方の主表面に有底孔ＬＰを分散形成し、その有底孔ＬＰの内面に異方性エッチング処理による微細な面粗し突起部を分散形成する。光取出面を平坦に形成する場合と比較して、面粗し対象面の総面積が有底孔ＬＰを形成する分だけ増大し、これにさらに面粗し突起部Ｆを重畳形成することによって、面粗し突起の総形成量を増加させることができる。その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、窒化アルミニウム基板の表面を保護する方法を提供する。保護された表面を備える基板は、ある期間保存でき、かつ容易に活性化させて、薄膜成長又は他の加工ができる状態にすることができる。特定の実施形態では、基板表面を保護する方法は、湿式エッチングを実施して、基板表面の少なくとも一部上に不動態層を形成するステップを含み、このステップは、１種以上の有機化合物及び１種以上の酸の使用を含み得る。本発明は、不動態化された表面を有する窒化アルミニウム基板も提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層と基板をエッチングで分離する効率を高め、かつプロセスにかかる費用を抑えることができる、基板構造体を除去する方法の提供。
【解決手段】 本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、概して、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）薄膜及びデバイス及びこのような薄膜及びデバイスを形成するために使用される方法に関する。ＥＬＯ薄膜は、概して、ウェハといった基板に又はその上方に配置される犠牲層に形成される層に対してエピタキシャルに成長する。エピタキシャル材料の基板とは反対側に支持ハンドルを配置し得る。支持ハンドルを使用して、エピタキシャル材料を圧縮状態にすることによって、エピタキシャル材料を安定化し得る。さらに、支持ハンドルを使用して、ＥＬＯプロセスのエッチング及び除去ステップの際にエピタキシャル材料を把持且つ保持し得る。様々な実施例では、支持ハンドルが、予湾曲したハンドル、複数層のハンドル、不均一ワックスハンドル、及びユニバーサルに又は一方向に収縮してエピタキシャルを圧縮状態にする２つの収縮誘起ハンドルを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】各導波路を経由して出射するレーザ光の波長を自在に設定できる複数本の導波路を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。複数本の導波路が、段差からの距離が互いに異なるようにステップ状構造の高領域に設けられている。ステップ状構造の高領域における活性層中のＩｎ濃度は、段差に近い程高く、段差から離隔する程低くなる。活性層中のＩｎ濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ素子を実現することができる。 （もっと読む）

ヘテロ構造のｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）層の光電気化学（ＰＥＣ）エッチングのための方法であって、半導体構造内の内部バイアスを使用して、電子がｐ型層の表面に到達するのを防止し、正孔がｐ型層の表面に到達するのを促進するステップを含み、半導体構造は、ｐ型層と、ＰＥＣ照射を吸収するための活性層と、ｎ型層とを含む。本発明は、ｐ型層の粗面を含む、ＬＥＤを開示するものであって、粗面は、粗面に入射する光を外部媒体中へと散乱させ、光は、ＬＥＤの発光活性層から入射する。例えば、ＬＥＤは、ＬＥＤによって放出される光を抽出するために、粗面化される表面を有する、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層とｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間の光を放出するための活性層とを含み得る。
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【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）