基板表面に平行な最小平均速度ｖを生じるのに充分速い流れで基板表面上を流れる液体エッチング剤を流すことにより、少なくとも２つの異なる化学元素をベースとする半導体性を持つ材料を含んでなるグループから選択される、基板上の第１の材料を前記第２の材料に対して高い選択性をもって選択的にエッチングする方法が開示されている。
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【課題】処理液を効率よく回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに第１薬液が供給されている途中で、ウエハＷの回転速度が１５００ｒｐｍから５００ｒｐｍに下げられると、これに応答して、スプラッシュガード１８の位置が、１５００ｒｐｍの回転速度で回転されているウエハＷから飛散する第１薬液を最も効率よく第１回収捕獲口４４に捕獲させることのできる第１薬液捕獲上位置から、５００ｒｐｍの回転速度で回転されているウエハＷから飛散する第１薬液を最も効率よく第１回収捕獲口４４に捕獲させることのできる第１薬液捕獲下位置に変更される。 （もっと読む）

【課題】 基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 モータ１２Ａの作動により、処理ヘッド１１Ａに配設されたローラ群ＲＧが基板Ｗの周端面に当接するとともに処理液ノズル１１３，１１４が基板表面Ｗｆの周縁部と対向する。ローラ群ＲＧは基板Ｗの回転中心Ａ０と処理ベース１１１の回動軸Ａ１とを結ぶ線分ＬＳを中心として略対称位置に配置されたローラ対１１７−１１７，１１８−１１８から構成されている。処理ヘッド１１Ａは回動軸Ａ１回りに回動自在となっており、これら２つのローラ対１１７−１１７，１１８−１１８を回転する基板Ｗの周端面に当接させることで基板Ｗの周端面の位置を基準として処理液ノズル１１３，１１４の位置が合わされ、基板Ｗの周端面と処理液ノズル１１３，１１４との相対距離が一定に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ層を洗浄することができ並びにライン分離処理システムを行うことができ、層の湿式化学的粗面化と関連付けて層の構造化後にできるだけ少ない方法技術的な経費および時間消費量で大きな表面積、即ち一般に１ｍ^２またはそれ以上の表面積に再現可能で均質に実現できる方法および装置の提供。
【解決手段】 柔軟性のないまたは柔軟性のある支持体の上に配置された予備構造化された酸化亜鉛層を有する基板を処理する手段において、該基板をエッチング液で処理するための第一の手段、該基板を洗浄液で処理するための第二の手段および第一の手段から第二の手段に基板を運搬するための別の手段よりなることを特徴とする、上記装置。 （もっと読む）

【課題】 マスキングが交換可能かつ再利用可能な手段によるものであり、単純かつ効果的な手段を提供する。
【解決手段】半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、かつ該構造１００は、作動層の下に電気的絶縁層を含み、また前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた島を作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法であって、さらに、この作動層に様々な島を構成するため、湿式エッチング段階の前に、前記作動層のいくつかの領域の上に選択的マスキングを実現し、かつ各領域がそれぞれの島に対応した作動層からマスクされている。 （もっと読む）

基板処理装置は、基板保持機構（１４）の回転速度に応じて変化する保持力で基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（１４）と、基板保持機構（１４）を回転させて基板保持機構（１４）により保持された基板（Ｗ）を回転させる基板回転機構（２２）と、基板保持機構（１４）により保持された基板（Ｗ）の任意の位置に処理液を供給する処理液供給機構（１２，１５，１９）とを備えている。
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基質の表面に平行に最低平均速度ｖを生成させるほど十分に速い流速で基質の表面を横切って液状エッチング剤を流すことにより、第２の材料に対して高い選択性をもって基質の上の第１の材料を選択的にエッチングする方法が記載されている。
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処理ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリを含むワークピース処理システムであり、処理ヘッドアッセンブリは処理ヘッドと上部ロータを有し、ベースアッセンブリはベースと下部ロータを有している。ベースおよび下部ロータは磁石を備え、この磁石が生成する磁力により、上部ロータは下部ロータと係合可能であり、係合した上下のロータは、処理を受けるために半導体ウエハーが配置される処理チャンバを形成する。ワークピースを処理する処理流体は、処理ヘッドがワークピースを回転させる間に、処理チャンバへ任意に導入される。加えて、処理チャンバの周りと、処理チャンバを通過する気流により、ワークピース上に加わるパーティクルが低減される。
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本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板を回転させながら、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。本発明はまた、半導体ウエハなどの基板を回転させながら保持する基板保持装置に係り、特に、洗浄装置やエッチング装置などに好適に使用される基板保持装置に関する。本発明の基板処理装置は、基板を回転保持する基板保持部を有し、基板を回転させて基板に流体を供給して処理を行い、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸引部が配置されている。また、本発明の基板保持装置は、基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、複数のローラは基板の半径方向に沿って移動する。

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