【課題】基板処理に繰り返し使用される薬液やその薬液中の異物を除去するためのフィルタの寿命を長期化できる薬液回収方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハへの薬液供給開始から所定時間が経過するまでの間は、ウエハの処理に用いられた薬液が、共用配管１５から分岐廃棄配管２４を通して高濃度廃液ドレンへ廃棄される。そして、所定時間の経過後にウエハの処理に用いられた薬液は、共用配管１５から分岐回収配管２３を通して回収タンク２２に回収される。そのため、薬液の供給開始後の初期の段階で、ウエハからポリマなどの異物が多量に除去されても、その多量の異物が回収タンク２２内の薬液に混入することを防止できる。その結果、再利用される薬液から異物を除去するための前段フィルタ３５などの寿命を長期化することができ、また、繰り返し使用される薬液の寿命を長期化することができる。 （もっと読む）

【課題】 加工特性に悪影響を与えることなく、常に再現性の良い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物に給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に配置され被加工物と接触自在な接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極及び／または給電電極とを相対運動させる駆動部５６，６０と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に流体を供給する流体供給部７６と、接触部材と被加工物との接触状態を検出する検出器８４と、検出器からの信号を基に接触部材と被加工物との接触量を制御する制御部８６を有する。 （もっと読む）

【課題】 接触部材の各部位を通過するイオン電流の流れを制限し、例えば一つの加工電極及び／または給電電極にあたかも複数の加工電極及び／または給電電極が存在するように作用させることで、被加工物の被加工表面をより均一な加工速度で加工し、品質の高い加工表面を得ることができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物Ｗに給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に配置され、電解質を有する電解質部７４ｂと電解質を有しない非電解質部７４ａをそれぞれ１つ以上有する接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体供給部を有する。 （もっと読む）

基板処理装置は、基板保持機構（１４）の回転速度に応じて変化する保持力で基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（１４）と、基板保持機構（１４）を回転させて基板保持機構（１４）により保持された基板（Ｗ）を回転させる基板回転機構（２２）と、基板保持機構（１４）により保持された基板（Ｗ）の任意の位置に処理液を供給する処理液供給機構（１２，１５，１９）とを備えている。
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基質の表面に平行に最低平均速度ｖを生成させるほど十分に速い流速で基質の表面を横切って液状エッチング剤を流すことにより、第２の材料に対して高い選択性をもって基質の上の第１の材料を選択的にエッチングする方法が記載されている。
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【課題】動的な液体メニスカスを用いたストレスフリーのエッチング処理
【解決手段】パターン形成された半導体基板上の不均一性を平坦化および制御するためのシステムおよび方法は、パターン形成された半導体基板を受け取る工程を備える。パターン形成された半導体基板はパターン内の複数の特徴を導電性配線材料で満たされ、導電性配線材料は過剰部分を有する。過剰部分のバルクは除去され、過剰部分の残りの部分は不均一性を有する。不均一性はマッピングされ、不均一性を補正するために、最適の液体が決定され、動的液体メニスカスエッチング処理レシピが作成される。そして、不均一性を補正して、過剰部分の残りの部分をほぼ平坦化するために、動的液体メニスカスエッチング処理レシピを使用した動的液体メニスカスエッチング処理が実施される。 （もっと読む）

【課題】基板表面から導電性材料を除去するための研磨組成物及びその方法を提供する。
【解決手段】一態様において、硫酸又はその誘導体と、リン酸又はその誘導体と、有機塩を含む第１キレート剤と、ｐＨを約２〜約１０にするためのｐＨ調整剤と、溶媒とを含む、基板表面から少なくとも導電材料を除去するための組成物が提供される。組成物はさらに第２キレート剤を含んでいてもよい。この組成物は一段階又は二段階方式の電気化学的機械的平坦化処理において使用することができる。記載の研磨組成物及び方法は、平坦化に伴う欠陥の発生を減しつつ、基板表面からのタングステン等の材料の有効除去速度を改善する。

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処理ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリを含むワークピース処理システムであり、処理ヘッドアッセンブリは処理ヘッドと上部ロータを有し、ベースアッセンブリはベースと下部ロータを有している。ベースおよび下部ロータは磁石を備え、この磁石が生成する磁力により、上部ロータは下部ロータと係合可能であり、係合した上下のロータは、処理を受けるために半導体ウエハーが配置される処理チャンバを形成する。ワークピースを処理する処理流体は、処理ヘッドがワークピースを回転させる間に、処理チャンバへ任意に導入される。加えて、処理チャンバの周りと、処理チャンバを通過する気流により、ワークピース上に加わるパーティクルが低減される。
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被加工物を化学的にエッチングする超音波エッチング装置が開示されている。この装置は、水溶液で少なくとも一部が満たされた外側タンクと、少なくとも一部が外側タンクの内部に配置されかつ上記水溶液と接している内側タンクであって、エッチング溶液で少なくとも一部が満たされた内側タンクと、上記内側タンクの口部に係合した蓋と、上記外側タンクに結合されており、上記内側タンクの中のエッチング溶液へ超音波エネルギーを付与する超音波変換器とを含む。被加工物をエッチングするためにこの装置を使用する方法もまた開示されている。 （もっと読む）