【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置１は、ワークセット２を保持して回転可能な保持テーブル３と、ワークセット２の上方に配設されエッチング液４０を滴下するエッチングノズル４と、保持テーブル３に保持したワークセット２の周囲に配設されワークセット２の側面に向けて水を供給する水供給手段５とを備え、水供給手段５は、水供給源５１と、水供給バルブ５２と、水供給ノズル５０とを少なくとも備え、水供給ノズル５０は、リング形状に形成されワークセット２の周囲からワークセット２の側面に向かう方向に複数の水供給口５０ａを備えている。そして、水供給ノズル５０から供給される水がエッチング液４０を薄めて洗い流すことにより、樹脂２１及びワークＷの下面Ｗａのエッチングを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のエッチング特性の劣化の抑制およびサポート基板からの汚染リスクの低減を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面とサポート基板２０の表面とを接着剤１５を介して貼り合わせる。前記サポート基板の周辺部の一部に撥水処理を行い、前記一部に前記接着剤の端面に接するように撥水領域２２を形成する。ウェットエッチングにより、前記半導体基板を裏面側から加工する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度で処理液を供給する。
【解決手段】処理液供給方法であって、表面６０ａにおいて、所定の位置に対応する箇所に開口部９０が複数形成され、且つ表面６０ａに形成された開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１を備えたテンプレート６０を、テンプレート６０の裏面６０ｂを保持して回転させるスピンチャック６２に載置する。次いで、テンプレート６０の表面６０ａに処理液を供給すると共にスピンチャック６２を回転させて流通路９１に処理液を充填する。処理液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａにウェハＷを密着させ、次いで、テンプレート６０とウェハＷとの密着を維持したまま、テンプレート６０とウェハＷとを上下反転させる。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上に金属薄膜１０２を形成する工程（ａ）と、金属薄膜１０２の上にアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を形成する工程（ｂ）と、アルカリ水溶液可溶有機膜１０３の上にフォトレジスト膜１０４を形成する工程（ｃ）と、フォトレジスト膜１０４に開口部を設けてレジストパターン１０５を形成する工程（ｄ）と、薬液を用いて、開口部に露出するアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を除去する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、ウエットエッチングにより、開口部に露出する金属薄膜１０２を除去する工程（ｆ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象となる金属部材の厚さが厚くてもエッチング速度の低下を回避できると共に異方性を高くできる金属のエッチング方法を提供する。
【解決手段】この金属のエッチング方法によれば、エッチングにより銅基板２に形成される溝３が設定深さに達した濃度制御点６において、エッチング液４中に新液を補充してエッチング抑制被膜を形成するための薬液の濃度を１０００ｐｐｍから５００ｐｐｍへ低下させる。これにより、上記エッチングで形成される溝が濃度制御点６よりも深くなるとエッチング抑制被膜５の厚さが薄くなる。よって、エッチングによる溝が深くなってエッチング液４の液溜りにより液圧が溝底まで伝わり難くなったときにエッチング抑制被膜５の厚さを薄くでき、エッチング速度の安定化を図れると共に深さ方向へのサイドエッチング量の分布を均一化でき異方性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられ、前記第１の半導体層よりもアルミニウムの濃度が高い窒化物半導体からなる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられたゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極と、を備え、前記ゲート電極の下の前記第２の半導体層に複数の第１の孔が形成され、前記複数の孔のそれぞれは、前記ゲート電極と電気的に接続された導電性の材料により充填されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン基板１上に形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜（被エッチング膜）２上に形成されたフォトレジスト膜３をマスクとして酸化膜２をウエットエッチングする前、レジスト膜３及び酸化膜２に紫外線ＵＶを適量照射して膜間界面の密着性を強化し、ウエットエッチングにおいて、原液（５０ｗｔ％ＨＦ）と原液（４０ｗｔ％ＮＨ₄Ｆ）とを１：２０で混合したエッチング液を用いて酸化膜２の側面のテーパ角θを定める。テーパ角θは、紫外線ＵＶの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線ＵＶの照射時間を適度に定めて酸化膜２のテーパ角θを制御する。 （もっと読む）

加工されるべき部分が予め定められたパターンに制限される表面加工は、（ａ）加工されるべき表面の領域であって、前記予め定められたパターンの部分を少なくとも覆う領域上に第一の試薬の層を提供する工程と；（ｂ）前記表面を加工するために必要とされる更なる試薬である一つ以上の更なる試薬を提供する工程と；（ｃ）前記予め定められたパターンに従って加工されるべき領域上に少なくとも一つの更なる試薬を塗布する工程と、により達成され、それにより、第一の試薬は予め定められたパターンの部分のみにおいて表面を加工すべく、一つ以上の更なる試薬と反応する。同加工は、二つ以上の成分を有するエッチャントが使用されるエッチングに特に適用可能である。その場合、少なくとも第一のエッチャント成分は表面上に適用され、かつ少なくとも一つの更なるエッチャント成分が予め定められたパターンに適用される。
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【課題】スルーホールの位置精度を向上させるとともに、スルーホール周辺の機械強度を高めること。
【解決手段】スルーホールの形成方法では、シリコン基板１０１の第１の面においてスルーホールが形成される領域の周囲に、シリコン基板１０１よりも不純物濃度が高い第１の不純物領域１０２ａを形成し、シリコン基板１０１の深さ方向において第１の不純物領域１０２ａに隣接する位置に、第１の不純物領域１０２ａよりも不純物濃度が高い第２の不純物領域１０２ｂを形成する。そして、前記第１の面の上に、エッチングストップ層１０３を形成し、シリコン基板１０１の前記第１の面に対向する第２の面の上に、開口部を有するエッチングマスク層１０４を形成する。そして、前記開口部を通して、少なくともエッチングストップ層１０３が露出するまで、シリコン基板１０１をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の裏面における貫通穴の開口を小さく形成すると共に、貫通穴を効率良く形成する。
【解決手段】開口部７を有するエッチングマスク層６をシリコン基板１の裏面に形成する工程と、シリコン基板１の裏面からエッチングマスク層６の開口部７にレーザ光を照射してシリコン基板１の内部に変質層８を形成する工程と、シリコン基板１の裏面からエッチングマスク層６の開口部７にレーザ光を照射してシリコン基板１の裏面からシリコン基板１の表面まで貫通しない複数の先導孔９を形成する工程と、先導孔９及び変質層８が形成されたシリコン基板１に異方性エッチングを施してシリコン基板１の表面まで貫通する貫通穴としてのインク供給口１１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）