【課題】ワイヤボンドの非有効エリアとされていた、傾斜部やビア上、ビアカバー上に安定に、かつ少ない接続面積でワイヤを接続できる半導体装置を提供する。
【解決手段】開口部と、開口部内に設けられたダイパッドと、開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第１の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載された半導体チップと、インナリードと第１の電極パッドとを接続する第１のワイヤと、を備え、インナリードの少なくとも一部は、傾斜部上に配置され、前記傾斜部上において、かつ、前記インナリード上には、第１の部材が配置され、前記第１の部材上には、前記第１のワイヤが接続されている半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】金めっき皮膜を薄くすることが可能で、半導体チップ搭載用基板の製造コストを低くすることが可能である。さらに、微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂を主成分とする絶縁層２１と、絶縁層２１の上に形成された銅回路２２、３、５と、銅回路２２、３、５上の少なくとも一部に形成された電解ニッケルめっき皮膜７と、電解ニッケルめっき皮膜７の少なくとも一部に形成され、金めっき皮膜８を形成したワイヤボンディング用端子と、を有する半導体チップ搭載用基板であって、金めっき皮膜８のニッケルめっき皮膜７とは反対側の面の結晶粒径の平均値が、５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】既存の半導体に合わせてプリント配線板を設計しなくても対応可能としたプリント配線板に付いた半導体を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングは絶縁して交差も可能なように組み合わせるとともに、ボンディングパットに関してもチップ上に組み替え可能とする。また、積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差可能とする。これにより、ピン間スペースを広くもつことができ設計の自由度が増す。また、交流信号のあるピン同士の場合電極を広くとれ高品質な配線板になる。積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差するものになる。また、大きなリードフレームにチップを複数搭載した場合は、金銀ワイヤ毎まとめて回収することができる。これにより複数のチップ間も設計が楽になり設計の選択肢が増える。 （もっと読む）

【課題】接合機との干渉を防止し、半導体モジュールの小型化を図ること。
【解決手段】ワイヤボンドの接合構造は、バスバ１１，１３を多段構造に構成し、バスバ１１，１３にワイヤ１５，１６を接合する。詳しくは、上段バスバ１３及びそれを支持する上段支持部１４を含む上段バスバ部材６が、下段バスバ１１及びそれを支持する下段支持部１２を含む下段バスバ部材５と別体に構成される。下段バスバ１１と下段ワイヤ１５とが接合され、上段バスバ部材６が下段バスバ部材５に固定され、その後に、上段バスバ１３と上段ワイヤ１６とが接合される。下段バスバ部材５の上面であって、下段バスバ１１と下段ワイヤ１５との接合部１５ａの近傍を除く領域に、上段バスバ部材６が固定される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損を抑制すること。
【解決手段】上面に凹部１８を備える基板１０の前記凹部１８内に第１半導体素子３０を実装する工程と、前記第１半導体素子３０の上面上に弾性体４０を配置する工程と、第２半導体素子５０の下面が前記弾性体４０の上面に接するように前記第２半導体素子５０の上面に荷重をかけて前記第２半導体素子５０を前記基板１０に接合する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗及び信号遅延を相対的に改善することができるボンドフィンガを採用した集積回路基板及び集積回路素子パッケージを提供する。
【解決手段】表面に複数の導電性パッドを有する集積回路チップと、集積回路チップが搭載される印刷回路基板とを有し、印刷回路基板は、複数の導電性パッドに対応して互いに異なる第１及び第２高さを有して交互に配列される複数の第１及び第２導電性ボンドフィンガと、第１導電性ボンドフィンガ１１４を第２導電性ボンドフィンガ１１３と比べて相対的に高い高さを有するように支持する複数の第１絶縁支持体１１２とを含み、さらに、複数の導電性パッドの内の複数の第１導電性パッドと、対応する第１導電性ボンドフィンガとを各々電気的に接続する複数の第１電気接続体と、複数の導電性パッドの内の複数の第２導電性パッドと、対応する第２導電性ボンドフィンガとを各々電気的に接続する複数の第２電気接続体とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板１の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層ＭＨの直下の第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成しない。上記第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下以外の領域には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板に実装された半導体チップの集積回路に安定した電源を供給する。
【解決手段】半導体チップ１を実装した第１のプリント配線板２の上に、分岐された電源の第２のプリント配線板として第２のプリント配線板３を配置する。半導体チップ１の集積回路を囲むように配置されたボンディングパッド６よりも内側に、電源用のボンディングパッド７を配置し、ボンディングワイヤ８ｂによって第２のプリント配線板３のボンディングパッド５に接続する。電源用のボンディングワイヤ８ｂを短くすることで、電源の供給を安定化する。 （もっと読む）

【課題】 リードフレーム基盤及び基板基盤半導体パッケージ用ボンディング構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子パッケージのボンディング構造において、チップダイのサイズが増加されないながらボンディングワイヤーのボンディング角が許容限界内に維持されるダイ−対−パッケージボンディング構造に関するものである。これにより、隣接したボンディングワイヤーの間の短絡発生が緩和されるか、或いは除去され、製造中の素子ネットダイカウント（ネットダイ数）を増加することができる （もっと読む）

【課題】 低い製造コストと高い信頼性で半導体デバイスを製作する方法を提供する。
【解決手段】 多層ワイヤボンディング半導体デバイスをパッケージ化する方法は、多層ワイヤボンディング半導体デバイスにおいて各層で素子間の接続をする複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って絶縁材料を適用することを含む。その方法は、又、導線と素子を封止することにより、半導体デバイスをパッケージ化することを含む。 （もっと読む）