【課題】被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともマグネシウムおよびシリコンを含有し、且つマグネシウムおよびシリコンの含有量の合計が０．０３ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であるアルミニウム合金からなるボンディングワイヤ１７と、このボンディングワイヤ１７が接続されるシリコンチップ１６と、の接続部構造１５を備える。シリコンチップ１６の表面には、アルミニウム−シリコンフィルム１６ａが形成されている。接続部構造１５は、ボンディングワイヤ１７を構成するマトリクス層１７ａ内と、このマトリクス層１７ａおよびアルミニウム−シリコンフィルム１６ａの間に形成されるアルミニウム合金の微細粒層１７ｂ内と、マトリクス層１７ａおよび微細粒層１７ｂの界面とに、マグネシウムおよびシリコンを含む化合物１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】配線基板およびケースの一面に位置するボンディングパッドにワイヤボンディングしてワイヤボンディング構造体を製造するにあたって、配線基板およびケースの過熱を抑制しつつボンディングランドの加熱を適切に行えるようにする。
【解決手段】一面１２、２２にボンディングパッド１１、２１を有する配線基板１０およびケース２０を用意し、パッド１１、２１を避けるように、配線基板１０およびケース２０における一面１２、２２に、加熱された熱板５０を接触させた状態とし、この状態にてパッド１１、２１に熱を伝えながら、熱板５０の開口部５１を介してバッド１１、２１にワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの取り付けられたリードプレームが投入されて加熱される時間を管理することによって、リードフレームのボンディング性を向上させるワイヤボンディング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レール１０２にロードするリードフレームローディング部１０４と、ロードされたリードフレームを加熱するヒータブロック１０６と、半導体チップとリードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツール１０８と、ワイヤボンディングが完了したリードフレームを移送レール１０２からアンロードするリードフレームアンローディング部１１０と、リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、ヒータブロック１０６をリードフレームから分離する制御部を含む。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らの検討したところによると、ボンディングパッドサイズおよびピッチの急速な狭小化によって、ワイヤボンディング工程において、ファイナルパッシベーション膜のクラック等の信頼性に係る不良が多発していることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、リードフレーム型半導体装置のワイヤボンディングにおいて、リードを加熱し、且つ、ダイパッドの下面または半導体チップの下面を冷却しながら、半導体チップ上のボンディングパッドとリードのワイヤ接続部との間のワイヤボンディングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安い銅線を用いたワイヤボンド方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、金属細線として銅線２１を用いることで、材料コストが低減される。また、ワイヤーボンディング領域である開口部１５近傍にヒーターコイル２２が巻き付けられたノズル２０を配置することで、ワイヤーボンディング領域には加熱された不活性ガスが吹き込まれる。この製造方法により、半導体素子１２の電極パッドの温度が不活性ガスにより大幅に低下し、銅線２１と電極パッドとが接続不良となることが防止される。 （もっと読む）

【課題】樹脂よりなる基板上に設けられたボンディングランドにワイヤボンディングを行うにあたって、ボンディング時の基板温度を必要以上に上げることなく、ワイヤボンディングの信頼性を確保する。
【解決手段】基板１０の内部のうち基板１０の一面側のボンディングランド２０の直下には、基板１０を構成する樹脂よりも熱伝導性に優れ、基板１０の一面側から当該一面とは反対側の他面まで貫通するとともに当該他面に露出する熱伝導性部材５０が設けられており、この熱伝導性部材５０とボンディングランド２０とは熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング後のリードフレームまたは配線基板の振動を低減してワイヤボンディングの品質の向上を図る。
【解決手段】ワイヤボンダ６のワイヤボンド部６ａにおけるヒートブロック６ｂ上に、ワイヤボンディング済みのマトリクスフレーム２を段階的に温度が下がるように冷却する冷却ブロー６ｓが設けられ、ワイヤボンディング後、マトリクスフレーム２に対して冷却ブロー６ｓから冷えたエアーを吹き付けてワイヤボンディング後のマトリクスフレーム２の温度が段階的に下がるようにマトリクスフレーム２の温度管理を行う。または、ワイヤボンディング済みのマトリクスフレーム２を冷却が終わるまで、フレーム押さえ６ｄ、ガイド部材、ローラ手段または弾性手段等の押さえ治工具によって固定する。 （もっと読む）

【課題】接合強度を向上すると共に、ボンディングパッドの幅及びピッチを狭くすることができるワイヤボンディング方法及び液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】金からなるボンディングワイヤ１２０をボンディングパッド９０ａに接続するワイヤボンディング方法であって、前記ボンディングワイヤ１２０を１００℃以下の温度で加熱すると共に周波数１００〜１２０ＫＨｚ、振幅が０．５〜６μｍの超音波を印加しながら前記ボンディングパッド９０ａに７８．４×１０^-3Ｎ以下の荷重で押圧することで、当該ボンディングワイヤ１２０を前記ボンディングパッド９０ａに接続する。 （もっと読む）

【課題】シリコーン系熱硬化接着剤を介して半導体素子搭載基板をリードフレームのアイランド部上に接着する半導体装置の製造方法であって、シリコーン系熱硬化接着剤のアウトガス成分のリード部への付着を低コストで安定的に抑制することができ、後のワイヤボンディング工程で高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系熱硬化接着剤３を介して、半導体素子搭載基板２をリードフレーム１のアイランド部１ｉ上に接着するに際して、リードフレーム１におけるリード部１ａ，１ｂの設定温度Ｔ２ａ，Ｔ２ｂを、アイランド部１ｉの設定温度Ｔ２ｉに較べて高くする。 （もっと読む）

【課題】超音波を利用するボンディングヘッドを用いてワイヤボンディングする際に、確実にボンディングワイヤを被接合部に接合することを可能にするワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】超音波振動を伝達するトランスデューサと、トランスデューサに取り付けられたキャピラリ１６とを備えるボンディングヘッドを用いるワイヤボンディング方法において、トランスデューサにより加振された際に生じる振動の節の位置にヒータ１８が取り付けられたキャピラリ１６を備えたボンディングヘッドを使用し、前記ヒータ１８により前記キャピラリ１６を加熱してワイヤボンディングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極とボンディングパッド間を正確にワイヤボンディングすることが可能なワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】電子部品４０の電極と、ボンディングパッド間をワイヤボンディングする際における標準キャピラリ移動位置データＳＤと、第１回目のワイヤボンディング動作による電子部品４０のずれ量を基板温度毎に対応させた温度対応ずれ量データＴＤを予め記憶させた記憶手段３２と、基板温度計測手段７０と、基板温度に該当する温度対応ずれ量データＴＤから第２回目以降のワイヤボンディング動作時のキャピラリ４０の移動位置データである補正キャピラリ移動位置データＭＤを生成する補正キャピラリ移動位置データ生成手段３４を有し、温度対応ずれ量データＴＤを用いて、補正キャピラリ移動位置データＭＤを生成し、これを用いて第２回目以降のワイヤボンディング動作を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体の生産効率とワイヤボンディングの密着性を低下させることなく、低コストに歩留まりを向上するヒータプレート及びパッケージ加熱装置を提供する。
【解決手段】ヒータプレート１及びヒータ１３は、昇降機構１０に取り付けられており、キャリア８が所定の位置で停止するたび、パッケージ１２の底面に向かって一定ストロークだけ上昇する。この時、アイランドステージ５は、ボンディング処理位置の直下に位置するボンディング準備位置で停止しているパッケージ１２の底面を、上面で支持したままボンディング処理位置まで押し上げる。同時に、第一及び第二プリヒートステージ３、４は、高さがアイランドステージ５よりも低いため、ボンディング準備位置の上流側で停止しているパッケージ１２の底面と各々の上面との間に隙間が形成された状態で、それぞれパッケージ１２を緩やかに加熱し、クラックを発生させることがない。 （もっと読む）

【課題】本発明はワイヤボンダ、ワイヤボンディング方法及びプログラム並びにこれらに使用するボンディングツールに関し、ボンディングツールを外面から加熱することによって、半導体チップ上のパッドに圧着されるワイヤの接合面温度を高温に加熱することを目的とする。
【解決手段】キャピラリ１６の先端部分と外側面はダイヤモンド層３９によって覆われており、外面にはヒータ３１が取り付けられている。内部はテーパー孔４３を有するアルミナセラミックス部４１である。キャピラリ１６の先端には、ダイヤモンド層３９によって形成されて、ワイヤ加熱部を構成するフェイス部４７とインナチャンファ部４９が形成されている。ヒータ３１からの熱はダイヤモンド層３９によって構成された熱供給路によってワイヤ加熱部に伝達され、ワイヤ１２とパッド３との接合面５３を加熱する。 （もっと読む）

【課題】チップ上のパッドとワイヤの接合強度を向上させることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線基板上に接着層を介してチップを接着する接着工程と、接着工程の後に、超音波振動を印加しながらチップ上のパッドにワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程とを有し、接着層として、ワイヤボンディング工程におけるプロセス温度での弾性率が１００ＭＰａ以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と半導体基板に設けられた可動体と半導体基板と電気的に接続され外部との電気的な接続を行うためのボンディングワイヤとを備える加速度センサにおいて、ボンディングワイヤ用の電極パッドを不要として安価な構成を実現する。
【解決手段】半導体基板１０に可動体２０が設けられ、Ａｌからなるボンディングワイヤ２００によって半導体基板１０と外部とが電気的に接続されてなる加速度センサＳ１において、ボンディングワイヤ２００は半導体基板１０の表面に直接接触しており、この接触部においてワイヤ２００を構成するＡｌと半導体基板１０を構成するＳｉとが反応した反応生成物としてのＡｌ−Ｓｉ合金からなるＡｌ−Ｓｉ反応層３００を形成することにより、ワイヤ２００と半導体基板１０とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の反対側にも電子部品を実装可能な半導体装置実装基板、半導体装置の実装方法、電子機器、カメラモジュール及び半導体装置実装基板の形成方法を安価で得る。
【解決手段】 セラミック基板１０２の内部に金属配線１２０を埋設し、セラミック基板１０２の側面１０２Ｃに、金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂを露出させ、セラミック基板１０２の側面から電源１２２を接続してワイヤボンディングパッド１１０に熱を伝達することで、ワイヤボンディング時にセラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にヒータ等を当接させる必要はなくなる。このため、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にＩＣ等を配設することができ、セラミック基板１０２の小型化を図ることができる。また、金属配線１２０に電圧を印加するだけなので、作業工数が増大することもない。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の半導体チップの積層段間の配線の際に受ける熱の影響を当該チップ以外のかかる熱量を減少させ、半導体装置の信頼性を向上させることのできる積層型半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 積層型半導体装置の製造方法は、支持基板上に半導体チップを複数段積層した積層チップを複数個配置し、各積層チップ単位で加熱を行いながら各積層チップにおける各段の半導体チップと前記支持基板間をワイヤで接続し、各積層チップの樹脂封止を行い、各積層チップごとに分離する、ことを特徴とする。積層型半導体装置の製造装置は、半導体チップを複数段積層した積層チップが複数個配置された支持基板の下方に、前記積層チップに対応して設けられた分割ヒータブロックと、この分割ヒータブロックをワイヤボンディング作業が行われる前記積層チップに対応して選択的に伝熱を行わせるようにしている。 （もっと読む）

集積回路ダイ（１０）は、銅コンタクト（１６，１８）を有する。銅コンタクトは、周辺空気にさらされると天然の酸化銅を形成する。有機材料を、銅コンタクトに塗布する。有機材料は、天燃の酸化銅と反応して、銅コンタクト上に有機コーティング（１２，１４）を形成し、さらなる銅の酸化を防ぐ。このようにして、たとえば１００℃を上回る高温でさらに処理を行なっても、過剰な銅の酸化によって妨げられることはない。たとえば高温でワイヤ・ボンド・プロセスを行なっても、有機コーティングのために、信頼性の高いワイヤ・ボンディングを妨げる過剰な酸化には至らない。したがって、有機コーティングを形成することによって、信頼性が高くかつ耐熱性のあるワイヤ・ボンド（３２，３４）が可能になる。あるいは、集積回路ダイを形成する間のいつでも、露出する銅に有機コーティングを形成して、銅の酸化の形成を防止または抑制することができる。
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