【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、脱脂対象であるボンディングワイヤにキズを発生させず、かつ十分な脱脂効果が得られるボンデシィングワイヤの脱脂方法及びこれを用いた被覆ボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気泳動を用いてボンディングワイヤ５を脱脂するボンディングワイヤの脱脂方法であって、
第１のアルカリ溶液３０が収容され、該第１のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陽極５０が設けられた第１の槽１０内に前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第１の脱脂工程と、
第２のアルカリ溶液４０が収容され、該第２のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陰極が設けられた第２の槽２０内に、前記第１の槽内を通過した前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第２の脱脂工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線１と外周部２の間に拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線１と、前記芯線１の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部２、さらにその芯線１と外周部２の間に、拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】キャピラリの損傷を抑制する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃとをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。銅および不可避不純物の芯材１に、ワイヤの断面積の総計に対して断面積が０．４〜１．０％のＰｄによる被覆層２を形成する。この断面積比であると、図に示すように、ＦＡＢ・ワイヤの境界付近に銅が過大な表面被覆層成分と反応する前に凝固がはじまることがない。このため、その境界付近が硬くなることがなく、キャピラリで１ｓｔ接合を行う際にキャピラリに加わる衝撃が小さく、キャピラリ寿命を長くすることができる。芯材１に５０質量ｐｐｍ以下のＰを添加すれば、芯材の酸素含有量が減少し、ＦＡＢが安定的に真球状になる。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性の高いＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａへの接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤＷとする。
【解決手段】半導体素子のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍの銀ボンディングワイヤである。芯材１外周面にＰｔ又はＰｄの被覆層２を形成し、その被覆層の断面積とこのワイヤの断面積の比（％）を０．１〜０．６％とする。この断面積比の被覆層厚ｔとすることによって、図（ａ）、（ｂ）で示す溶け残り部分（窪み）の無い真球状のＦＡＢ（ボールｂ）を得ることができるため、チップダメージが発生し難い。芯材１は、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｕから選ばれる１種以上を合計で０．５〜５．０質量％含み、かつＣａ、Ｃｕ、希土類から選ばれる１種以上の元素を合計で５〜５００質量ｐｐｍ含んで、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ワイヤボンディングにおける接合性を高め、更に保管寿命の長期化を実現したボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】リンを含有する銅を主成分とする芯材１０の外周をパラジウムからなる外層２０で被覆し、該外層の外周を有機被膜層３０で被覆したボンディングワイヤであって、
前記有機被膜層の最表面では炭素の濃度が５０ａｔ％を超え、該炭素の濃度が２０ａｔ％を超える領域の深さが０．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であり、前記有機被膜層の最表面における窒素と硫黄の濃度の合計が１ａｔ％以上５ａｔ％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１がＰを１０〜５０質量ｐｐｍ含有し、残部が銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０４〜０．０９μｍの被覆層２を形成し、さらにその表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】非貴金属を主成分とするボンディングワイヤを使用した接合の信頼性を向上できるボンディングワイヤの接合構造及び接合方法を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤ５０の接合構造は、半導体素子１０の電極１０ａ上に形成されたバンプ上にボンディングワイヤを接合するボンディングワイヤの接合構造であって、ボンディングワイヤは、非貴金属を主成分とする芯材と、芯材を被覆する貴金属層とからなり、半導体素子の電極上に形成されたバンプ及びバンプ上にウエッジ接合されたボンディングワイヤが貴金属層を介して接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボール表面の酸化による硬度上昇を防止するとともに真球性を確保することにより、パッドダメージを発生させず接合性の高いボールを形成するボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材１０と、該芯材の上にパラジウムを被覆した外層２０とを有するボンディングワイヤであって、前記芯材がリン及び硫黄を含有し、該リンの濃度が０．００１〜０．０１５質量％の範囲であり、該硫黄の濃度が０．０００１〜０．０００７質量％の範囲であることを特徴とするボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極パッド間での電気的ショートの危険を低減して半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ワイヤボンディングのボールボンディングにおいて、超音波の印加方向（超音波振動方向）１２に沿って配列された半導体チップ４の電極パッド４ｃに対して、超音波の印加方向１２と交差する方向１３に銅ワイヤ５の先端のボール５ａと電極パッド４ｃとを擦り合わせながら接続することで、電極パッド４ｃ上でのＡＬ排斥４ｄの形成量を抑制してＡＬ排斥４ｄを小さくすることができ、その結果、前記ボールボンディングによって組み立てられた半導体装置の品質の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】集積回路用のボンドワイヤを提示する。
【解決手段】集積回路内で使用する複合ボンドワイヤ１１０を生産するため、導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤ１１０を作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】 ボール表面の合金化による硬度上昇の防止と、ボール表面のパラジウム被膜形成性を向上させ、パッドダメージの発生しないボール、接合性の良いバンプの形成し、さらにパッドダメージのために発生する高温放置後プル試験におけるボールリフトの発生を防止する半導体装置用ボンディングワイヤ、およびバンプワイヤに好適なパラジウム被覆銅製の半導体装置の接続用ワイヤを提供する。
【解決手段】 銅を主成分とする芯材に、パラジウムを被覆したワイヤであって、５０ａｔ％以上のパラジウムを含むパラジウム被覆層と、銅成分が５０ａｔ％以上である芯材との間に、５ａｔ％以上、４０ａｔ％以下の炭素を含む中間層を備えていることを特徴とする半導体装置の接続用ワイヤ。 （もっと読む）

【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。
【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０〜７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、低ループ化、ボール接合性に優れ、積層チップ接続の量産適用性にも優れた、複層銅ボンディングワイヤのボール接合部の接合構造を提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材21と、前記芯材の上にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうち少なくとも1種から選ばれる貴金属を主成分とする外層22とを有する複層銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部を接続してボール接合部３の接合構造を形成する。前記貴金属の第１濃化部10を、前記ボール接合部の表面領域のなかでも前記銅ボンディングワイヤとの境界に位置するボール根元域９に形成する。 （もっと読む）

【課題】細くても曲げおよび破損に対する強度の向上したワイヤーを提供する。
【解決手段】電流を導電することができるワイヤーは、ポリマーコアとコアを取り囲むコーティング層とを有する。コーティング層は、たとえば金または銅であってもよく、電流を導き、コアは曲げおよび破損に耐えうるような強度を備える。とりわけ、ポリマー・コア・ワイヤーは、集積回路をリードフレームや基板に接続する場合に有用である。 （もっと読む）

【課題】パラジウムめっきと銅芯材表面との密着性阻害要因を解消し、銅芯材表面にパラジウム被膜を安定して形成し、パラジウムと銅の吸着を著しく向上させたボンディングワイヤまたはバンプワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材１にパラジウムめっき２を施したボンディングワイヤであって、パラジウム被覆層下の銅芯材界面近傍に存在するボイドの最大径が６０ｎｍ以下で、かつ該被膜長さ１μｍ当りに存在する最大径が１０ｎｍ以上のボイドの個数が平均０．６個以下であるボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】振動・衝撃に強く、高強度化されたワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】鋼芯線の周囲を溶融Ａｌめっき層で被覆した、外径０.０８〜０.６ｍｍ、長手方向に垂直な断面に占める鋼芯線の面積率が１５〜９８％であるＡｌめっき鋼線５によって、電子回路基板１上の導電体４表面同士を接続してなるワイヤボンディング構造。前記導電体表面は、例えばＡｌ、Ａｌ合金またはＮｉである。Ａｌめっき鋼線と導電体表面は例えば超音波接合されている。溶融Ａｌめっき層は、Ｓｉ：０〜１２質量％、残部Ａｌおよび不純物からなるものとすることができる。 （もっと読む）