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Fターム[5F044HH01]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤショート防止 (110) | リード部の形状、配置 (27)

Fターム[5F044HH01]に分類される特許

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【課題】半導体部品の樹脂封止成形品において、プリント基板とリードフレームを繋ぐボンディングワイヤの封止樹脂流動による変形を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板2に搭載された半導体チップ3と、インナー側にチャンネル部を有するリードフレーム5と、チャンネル部の内側を経由してリードフレーム5と半導体チップ3を接続するボンディングワイヤ4と、半導体チップ3とボンディングワイヤ4とリードフレーム5を被覆する樹脂硬化物から半導体装置を構成する。リードフレーム5のチャンネル部の長さをL1、高さをH1とし、ボンディングワイヤ4の水平方向長さをL2、最大高さをH2とすると、1/3<L1/L2<1および1/2<H1/H2を満たす。 (もっと読む)


【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ5の延在方向と、樹脂の流れ方向を0度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード4は、中央領域4eの隣に配置される張出領域4fにワイヤ5を接合する。中央領域4eは、延在部4aと先端部4bの境界線の中心と先端部4bの先端面4c側の端辺の中心を結ぶ中心線(仮想線)CLを中心軸として、延在部4aと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域4fは、中央領域4eと隣接して配置され、中央領域4eから第1方向Yに沿って張り出した領域である。 (もっと読む)


【課題】安定的にインナリードの高さが交互に異なる半導体装置を製造する。
【解決手段】ダイパッド220上に固定された半導体チップ120の複数の電極パッドと、複数のインナリード240と、をそれぞれボンディングワイヤ140で接続したリードフレーム200を準備する。次いで、リードフレーム200を準備する工程の後、少なくとも一部のインナリード240の高さが交互に異なるように、少なくとも一部のインナリード240を屈曲させる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体チップ5の複数の第1電極パッドaと配線基板2の複数の第1接続部3b1を、複数の第1ワイヤ10b1を介して電気的に接続する工程と、第2電極パッドbと前記配線基板の複数の第2接続部3b2を、第2ワイヤ10b2を介して電気的に接続する工程と、第3電極パッドcと前記配線基板の複数の第3接続部3b3を、第3ワイヤ10b3を介して電気的に接続する工程とを有し、前記複数の第1ワイヤ10b1のそれぞれを前記複数の第1接続部3b1のそれぞれの前記第1部分に接続し、前記第3ワイヤ10b3を前記第3接続部3b3の前記第2部分に接続し、前記複数の第110b1、第210b2および第3ワイヤ10b3は、平面視において、前記半導体チップ5の前記第2辺の中心部を経由し、かつ前記第2辺と直交する仮想線5sに対して鋭角をなす角度で、前記複数の電極パッドから延在させる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】SIPの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ3を表面非接触型のコレットでピックアップして第1のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるASICチップ4を表面接触型のコレットでピックアップして第2のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、2種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったASICチップ4の高い位置精度を実現するとともに、前記SIPの品質の安定化を図る。 (もっと読む)


【課題】導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、基板102と、基板102の一表面上に形成された電子素子103と、電子素子103が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線104を介して電子素子103と電気的に接続された、第一のパッド106と、電子素子103が形成された領域および第一のパッド106が形成された領域とは異なる領域に設けられ、第一のパッド106間を横切る第二の接続配線105を介して電子素子103と電気的に接続された、第二のパッド107と、を具備しており、第一のパッド106間において、第二の接続配線105の基板102とは反対側の表面が、第一のパッド106の基板102とは反対側の表面よりも基板102側に位置している。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止の工程に於ける金属細線の変形が抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置10は、分離されたアイランド12Aおよびアイランド12Bと、アイランド12A、12Bに一端が接近するリード14と、アイランド12Aに固着されて金属細線24Cを経由してリード14Eと接続される制御素子20と、アイランド12Bに固着されて金属細線26を経由してリード14Eと接続されるスイッチング素子18と、を備える。更に、金属細線24Cと金属細線26とが交差して配置される構成となっている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング処理に適し、小型化を実現でき、回路設計容易な半導体素子および半導体キャリアを提供する。
【解決手段】半導体キャリア6と半導体素子1とがワイヤ9で電気的に接続される構造の半導体装置において、半導体キャリア6の電極4と半導体素子1の電極2を、隣接間の距離およびワイヤ間の最小距離が、ワイヤボンディング処理に必要な距離以上であり、かつ、半導体素子1の電極2の一部が同一直線上にない位置に配置することにより、半導体素子1を小型化する。 (もっと読む)


【構成】 半導体装置10は基板12を含み、基板12の表面には配線パターンが形成される。配線パターンは、電極18a、WBパッド18bおよび連結部18cを含む。WBパッド18bは、その長手方向QがDB領域28の中心Xから放射状に延びる線Pとほぼ並行に沿うように形成される。したがって、DB領域内に第1サイズのチップ16がボンディングされた場合には、ボンディングワイヤ24が長手方向Qとほぼ並行になる。また、第1サイズよりも小さい第2サイズであり、第1サイズのチップ16と同じ形状のチップ16がボンディングされた場合であっても、ボンディングワイヤ24が長手方向Qとほぼ並行になる。このように、チップサイズに拘わらず同一の基板12を使用することができるので、チップサイズに応じた複数の配線パターンを用意する必要がない。
【効果】 配線パターンの開発時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップCHの長方形状の主面は、対角線上にある第1および第2の頂点A1、A2と、第1および第2の頂点A1、A2を繋ぐ第1および第2の辺L1、L2とを有する。電極ILと半導体チップCHのパッドPDとの間にワイヤWRが形成される。金型MLのキャビティCV内にワイヤWRが収められる。第1の頂点A1から第1および第2の辺L1、L2に沿って第2の頂点A2に向かうようにキャビティCV内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤWRの形成は、平面視において、パッドPDと電極ILとを結んだ直線に対して第1の頂点A1から遠い側を通るようにワイヤWRを形成することにより行なわれる。 (もっと読む)


【課題】インナーリードと半導体チップとを接続するためのワイヤが他の導電部と電気的に短絡することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード部ILは、平面視において半導体チップCHの外周端よりも外周側に配置された先端を有する。電源バーBBは、平面視において半導体チップCHの外周端とインナーリード部ILの先端との間に延在する張り出し部BBAを有する。張り出し部BBAの上面はインナーリード部ILの先端の上面よりも低い位置にある。半導体チップCHとインナーリード部ILとを電気的に接続するボンディングワイヤWR1aは、平面視において半導体チップCHの外周端よりも外周側に屈曲点S1を有する。 (もっと読む)


【課題】ボンディングワイヤでの反射が少なく、良好な光学特性を有しつつチップのサイズをより縮小化することのできる良好な量産性を有する発光装置と、この発光装置を用いた光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】回路基板1と、回路基板1上に設けられた第一電極パッド2と、回路基板1上に配置され、発光部4を備えた発光素子チップ3と、発光素子チップ3上に設けられた四角形状の第二電極パッド5と、第一電極パッド2に対してファーストボンド6aが接続され、第二電極パッド5に対してセカンドボンド6bが接続されたボンディングワイヤ6とが設けられ、ボンディングワイヤ6は、ファーストボンド6aとセカンドボンド6bとを結ぶ直線が第二電極パッド5の対角方向に沿うように設けられている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ流れによる短絡等の不良が発生しにくく且つワイヤリング工程が容易であり、さらに多層ワイヤにも対応可能な回路基板を実現できるようにする。
【解決手段】回路基板は、半導体素子20を搭載する素子搭載領域11aと、素子搭載領域11aよりも外側の領域に形成された第1の電極12と、素子搭載領域11aと第1の電極12との間の領域に形成された第1の絶縁凸状部14とを備えている。第1の絶縁凸状部14は、上端部の幅が下端部の幅よりも狭く、側面が傾斜している。 (もっと読む)


【課題】サイズやボンディングパッド位置の異なるチップを実装する共用に適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、互いにV字型に曲折接続する第一、第二フィンガー部212、213を含むジグザグ形フィンガー211を有するリードフレームの複数の第一リード210、および複数のボンディングパッド222を有するチップ220を設ける。ボンディングワイヤ231、232は、一端がチップ220のボンディングパッド222群と接続し、他端が第一、第二フィンガー部212、213のいずれかの組と任意に接続する。このワイヤーボンディングの方向は、第一、第二フィンガー部212、213のいずれか接続される組の延びる方向との間に第一角度を形成し、いずれか接続されない組の延びる方向との間に第二角度を形成し、第一角度は第二角度よりも小さくなるようにボンディングワイヤ231、232によってなされる。 (もっと読む)


【課題】モールド時のワイヤショート不良を防止する。
【解決手段】タブ1fと、タブ1fの周囲に配置された複数のリード1aと、タブ1f上に搭載された半導体チップ2と、半導体チップ2の電極パッド2eとリード1aとを電気的に接続する複数のワイヤ4と、半導体チップ2を樹脂封止する封止体とを有している。さらに半導体チップ2の主面の第1辺の中央部から端部に向かうにつれてリード1aのチップ側の先端部を段階的に短くするとともに、主面の第1辺の中央部の第1リード1bと端部側の第2リード1cとにおいて、第2リード1cに隣接する第1リード1bの先端部を短くしたことで、第2リード1cに接続される第2ワイヤ4bとこの第2リード1cに隣接する第1リード1bの先端部との距離を広げることができ、その結果、モールド樹脂の流動抵抗によりワイヤ流れが発生してもワイヤショート不良を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】高放熱性を実現しながら、モールド樹脂の流動による隣接ワイヤの相互接触を防止し、さらに、ワイヤの高さバラツキによるワイヤと放熱板の接触によるショートを防止することを目的とする。
【解決手段】放熱板10の半導体素子3と対向する面に絶縁樹脂9を設け、グラウンドだけでなく、電源や信号端子に接続するワイヤ8を絶縁樹脂9を介して放熱板10と熱的に接触させることにより、高い放熱性を実現することができる。この際、樹脂封止の前にワイヤ8を包含した状態で絶縁樹脂9を硬化させることにより、ワイヤ8を固定することができ、半導体素子3のパッド4のピッチが狭い場合であっても、モールド樹脂12の流動時に、隣接するワイヤ8が相互に接触してショートに到ることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】低ワイヤループ化が図れる。
【解決手段】第1ボンド点Aと第2ボンド点Bとの間をワイヤ4で接続したワイヤループ形状は、第1ボンド点Aから円弧状に伸びた円弧部31と、この円弧部31から第2ボンド点Bに伸びた傾斜部33とからなり、円弧部31と傾斜部33との接続部には、屈折部21が形成されている。 (もっと読む)


【課題】多ピンの半導体チップを用いる半導体装置のボンディングワイヤどうしの接触をなくし、歩止まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ2の1主面上に形成された複数の電極3と前記半導体チップ2の周囲に配された導体部の内部電極4とを接続して互いに上下に配されるワイヤ5a,5b,5cの内、最下位のワイヤ5aに剛性が最も小さいものを用い、上位のワイヤ5b,5cに剛性がより大きいものを用いる。最下位のワイヤ5aは剛性が最も小さいことから、ワイヤ高さを低くできる。それよりも上位のワイヤ5b,5cの剛性が大きいと、ボンディング時にループ形状の制御が容易であるだけでなく、ボンディング後のループの変形が抑えられる。このため、ワイヤ5a,5b,5cどうしの接触を回避することが可能である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの周囲に配列されて相互に隣り合う2つのリードをそれぞれ半導体チップの電極パッドに接続する2本のワイヤー同士の間で電気的な短絡が発生することを防止できるようにする。
【解決手段】上面に複数の電極パッド7,9を形成した半導体チップ5の周囲に、該半導体チップ5に向けて延びる細幅帯状のリード11,13が複数配列されると共に、前記複数の電極パッド7,9及び前記複数のリード11,13をそれぞれワイヤー15,17により電気接続して構成され、前記ワイヤー15,17の両端が、前記電極パッド7,9及び前記リード11,13の延在方向の先端部11a,13aにそれぞれ接合され、相互に隣り合う前記リード11,13の先端部11a,13aが、前記リード11,13の配列方向に略直交する前記リード11,13の厚さ方向に離間して配置されていることを特徴とする半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】低背化され、且つ、ICチップに損傷が生じることなく安定して製造される電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスは、部品側パッド16が上面に設けられたICチップ14をパッケージベース20上に配設し、このパッケージベース20上にベース側パッド26を設け、導電性を有するバンプ40をベース側パッド26上に設け、部品側パッド16とバンプ40とにこれらを導通させるワイヤ42を設けた構成である。なおバンプ40を多段に形成した場合、ベース側パッド26上にある最下のバンプ40を他のバンプ40に比べて強くベース側パッド26に接合することができる。 (もっと読む)


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