【課題】信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、内側ワイヤボンディング２０、内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０、外側ワイヤボンディング３０を具備し、この順に、ボンディングパッド９０からインナーリード６０までを電気的に接続する信号伝送手段を有する。内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０は、絶縁性部材４０上に形成されている。信号伝送手段は、ボンディングパッド９０から前記アウターリード７０の先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線１１０の配線長によって調整されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを被覆していた樹脂に起因して半導体装置の不良が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１０を配線基板２０の上に配置する。次いで、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続する。次いで、ボンディングワイヤ３０の少なくとも一部に絶縁膜３２をコーティングする。次いで、半導体チップ１０及び絶縁膜３２を封止用樹脂で封止する。このように、絶縁膜３２は、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続した後に形成される。従って、絶縁膜３２が異物となってボンディング不良を生じさせることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置等における素子と配線パターンとを接続するワイヤーの断線が起き難いワイヤーボンディング構造を提供することにある。
【解決手段】 このワイヤーボンディング構造のワイヤー１７，１８は、発光素子１５から発光素子近傍の基板１１の表面に接近した位置まで垂れ下がる降下部１７ａ，１８ａと、この降下部の先端から基板１１の表面近くで且つ基板１１の表面に沿って延伸する延伸部１７ｂ，１８ｂを有している。このため、封止樹脂１９の上部に位置する部分が減り、ワイヤー１７，１８は封止樹脂１９の変形による影響を受けにくくなる。また、延伸部１７ｂ，１８ｂは、封止樹脂１１の変形が最も少ない下部内に位置しているので、ワイヤー１７，１８が動くことを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】回路の誤動作を回避し高速処理に適した半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】表面に電極パッド１１ａを有する半導体チップ１１と、半導体チップ１１が搭載されるグランドパターン１２ａを有するとともに、グランドパターン１２ａと離間したリード電極１２ｂを有するリードフレーム１２と、電極パッド１１ａとリード電極１２ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤ１５ａと、を備え、グランドパターン１２ａには、半導体チップ１１が搭載された領域よりも外周にはみ出した部分のボンディングワイヤ１５ａ側の面にて、グランドパターン１２ａに接続された導体よりなる突起部材１３が配設されており、突起部材１３の頂面には、所定膜厚の絶縁物１４が設けられており、ボンディングワイヤ１５ａは、絶縁物１４上にて絶縁物１４と直接接触して配線されている。 （もっと読む）

【課題】
背の高い電子部品や部材などの障害物を迂回してボンディングワイヤを配線する場合、ボンディングワイヤを曲げて迂回していた。しかし、従来方法では、任意の位置で任意の角度を持ってボンディングワイヤを屈曲することが極めて難しく、またボンディングワイヤ弛みによる、ボンディングワイヤと別部品（基板等）との接触する恐れがあった。
【解決手段】
本発明は、上記問題を解決する為に、ボンディングワイヤを支えるための支持体であって、ボンディングワイヤを支持する支持部と、基板上の任意の位置に固定する土台部を備えることで、ボンディングワイヤ屈曲作業の簡略と、ボンディングワイヤ弛みによる基板面と接触するのを防ぐものである。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ＩＣチップ１３の電極パッド１４ａに金球１５によってワイヤの一端をボンディングし、イン−リードにワイヤの他端をボンディングして、電極パッド１４ａからイン−リードまでのワイヤループ１６を形成する工程と、金球１５よりイン−リード側の半導体ＩＣチップ１３上の所定位置で、ワイヤループ１６を半導体ＩＣチップ１３側に押し下げるように、バンプ金球１７によってワイヤループ１６をボンディングする工程とを有し、前記所定位置は、少なくともバンプ金球１７よりイン−リード側のワイヤループ１６の最上部の高さをバンプ金球１７の頂部１７ａの高さＨ１７よりも低くする位置に設定されている。 （もっと読む）

【課題】導電性ワイヤ同士の間、または導電性ワイヤと半導体チップとの間に生じる短絡を防止する方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２が搭載された配線基板１１を準備する。配線基板１１には接続パッド１７が設けられている。半導体チップ１２の、電極パッド１８が設けられた一の面１２ａは、配線基板１１とは反対側に向いている。次に、半導体チップ１２の、配線基板１１とは反対側に向いた一の面１２ａに、第１の絶縁層１４を形成する。次に、第１の絶縁層１４上に、熱可塑性を有する第２の絶縁層１５を形成する。それから、導電性ワイヤ１３の一端１３ａを配線基板の接続パッド１７に熱圧着し、導電性ワイヤ１３の他端１３ｂを半導体チップ１２の電極パッド１８に熱圧着するとともに、熱圧着する際に発せられる熱によって軟化した第２の絶縁層１５に、導電性ワイヤ１３の一端１３ａと他端１３ｂとの間の一部を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いられた金属細線に、樹脂封止工程で折れ、曲がりが生じて、隣接する金属細線同士が接触してしまうことのない高品質な半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型の半導体装置２において、半導体チップ１４は主面に複数の電極１８を有し、主面における前記電極の位置よりも外周側に絶縁性の金属細線案内部材１５が固定され、金属細線案内部材１５に形成された孔１７ａを通り、溝１７ｂに嵌め込まれた金属細線１６によって電極１８と外部リード１２とが接続された状態で、半導体チップ１４、外部リード１２、金属細線案内部材１５及び金属細線１６が樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ流れによる短絡等の不良が発生しにくく且つワイヤリング工程が容易であり、さらに多層ワイヤにも対応可能な回路基板を実現できるようにする。
【解決手段】回路基板は、半導体素子２０を搭載する素子搭載領域１１ａと、素子搭載領域１１ａよりも外側の領域に形成された第１の電極１２と、素子搭載領域１１ａと第１の電極１２との間の領域に形成された第１の絶縁凸状部１４とを備えている。第１の絶縁凸状部１４は、上端部の幅が下端部の幅よりも狭く、側面が傾斜している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板等とを接続するボンディングワイヤが樹脂モールド時にワイヤ流れ等によって短絡するといった問題を防止し、半導体装置の組み立てを容易にし、製造コストを抑えることができる半導体装置の組み立て構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１０と基板２２との間をボンディングワイヤ２４により接続して組み立てる半導体装置の組み立て構造であって、前記ボンディングワイヤ２４が通過する位置に沿って、ボンディングワイヤ２４が通過する間隔をあけ、隣り合ったボンディングワイヤ２４と干渉しないよう側方への偏位を規制する高さに形成された電気的絶縁性を有する遮蔽突起３２が、樹脂基板３４上に複数形成された中継基板３０を利用し、前記遮蔽突起３２の隣り合った遮蔽突起の中間にボンディングワイヤ２４を通過させてワイヤボンディングして組み立てられている。 （もっと読む）

【課題】隣接する金属細線同士の接触を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレームのダイパッド１上に搭載された半導体チップ４の電極５とリードフレームのインナーリード２との間に、金属細線６の一部が嵌め込まれる溝８を有する金属細線支持体７を配置する。また、その金属細線支持体７は、リードフレームのダイパッドサポート３に固着させる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ、その製造方法、これを含むカード及びそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、パッケージ基板１１０と、パッケージ基板１１０上に積層された少なくとも一つの半導体チップ１２０と、少なくとも一つの半導体チップ１２０とパッケージ基板１１０とを電気的に連結する少なくとも一本のワイヤ１４０と、少なくとも一本のワイヤ１４０上に少なくとも一本のワイヤ１４０の断面部分を覆い包むように配された複数の絶縁性ビード１４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】拡散プロセスの微細化並びに半導体素子の高機能化にともない、半導体素子上の表面電極数が飛躍的に増加しても、ボンディングワイヤ同士の接触を防止することが可能となる半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板１上に、ボンディングワイヤ９を支持する絶縁性の突起部１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層して樹脂封止するにあたって、上段側半導体素子に接続されたボンディングワイヤの樹脂封止時におけるワイヤ流れ等を抑制する。
【解決手段】積層型半導体装置１は、回路基板２上に積層して搭載された複数の半導体素子４、６、７を具備する。これら半導体素子４、６、７はそれぞれ金属ワイヤ５、８、９を介して回路基板２の接続パッド３と電気的に接続されている。上段側の半導体素子６、７に接続された金属ワイヤ８、９は、少なくともそれらの間に充填された樹脂固定部１１で固定されている。積層された半導体素子４、６、７は金属ワイヤ５、８、９と共に樹脂封止部１０で封止されている。 （もっと読む）

【課題】高放熱性を実現しながら、モールド樹脂の流動による隣接ワイヤの相互接触を防止し、さらに、ワイヤの高さバラツキによるワイヤと放熱板の接触によるショートを防止することを目的とする。
【解決手段】放熱板１０の半導体素子３と対向する面に絶縁樹脂９を設け、グラウンドだけでなく、電源や信号端子に接続するワイヤ８を絶縁樹脂９を介して放熱板１０と熱的に接触させることにより、高い放熱性を実現することができる。この際、樹脂封止の前にワイヤ８を包含した状態で絶縁樹脂９を硬化させることにより、ワイヤ８を固定することができ、半導体素子３のパッド４のピッチが狭い場合であっても、モールド樹脂１２の流動時に、隣接するワイヤ８が相互に接触してショートに到ることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】イオンマイグレーションに対する耐性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ａ１と、この半導体基板Ａ１に設けて外部との電気的な接続に用いる複数のパッド電極１０とを備えた半導体装置及びその製造方法において、隣接したパッド電極１０間に、このパッド電極１０間を横断する障壁部を設けて、前記パッド電極１０間の表面距離を増大させる。障壁部は、半導体基板Ａ１に凹状溝を形成することにより相対的に突出した半導体基板Ａ１で構成する。または、障壁部は、半導体基板Ａ１の上面にパッド電極１０の形成と同時に形成した金属層と、この金属層を被覆した絶縁膜１１とで構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されているワイヤ接続型に関し、特に小型化、高密度化したときに高い接続信頼性を発揮できる半導体装置、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されている半導体装置であって、前記金属ワイヤの表面が、平均粒子径０．１〜５μｍの絶縁粒子によって略均質に被覆されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、高温動作が可能なデバイスの特性を十分生かした化合物半導体チップを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】外部に電気的に接続される接続領域２４，２５，２７と、この接続領域２４，２５，２７に電気的に繋がる電極５，６，７を一面に有する半導体素子２０と、その一面の全体に形成され且つ接続領域２４，２５，２７を露出させる開口部２４ａ，２５ａ，２７ａを有する誘電体膜３０と、半導体素子２０の他面を底部に接続するとともに半導体素子２０及び誘電体膜３０と内面との間に空間が形成される素子収容スペース３２を有するセラミック製のパッケージ３１と、パッケージ３１の内部に設けられた電極３４〜３６と、素子収容スペース３２内で電極３４〜３６と半導体素子２０の接続領域２４，２５，２７とを誘電体膜３０の開口部２４ａ，２５ａ，２７ａを通して接続する接続導体とを有する。 （もっと読む）