【課題】バンプを介して半導体チップと実装基板または半導体チップ同士を接続する際、ボンディング工程中にバンプの接触状態および接合状態を検査可能な半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関するものである。
【解決手段】複数のバンプ１１が設けられた半導体チップ１０と複数のバンプ２１が設けられた半導体チップ２０とを、バンプ１１，２１側を対向させて半導体チップ１０と半導体チップ２０とを離間した状態で対向配置した後、半導体チップ１０に向けて半導体チップ２０を押圧することで、対向するバンプ１１，２１を接触させる第１工程と、バンプ１１，２１を接合する第２工程とを有し、全ての工程について半導体チップ２０に係る荷重をモニタリングすることで、バンプ１１，２１の接触状態および接合状態を検査することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】フラックス機能を有する封止樹脂を用いてフリップチップ接続した半導体装置において、回路基板の反り戻しによるバンプ接続部の断線を抑制する。
【解決手段】半導体素子１１は第１の電極パッド１２上に第１の低融点半田層１６を介して形成された半田バンプ１５を有する。回路基板１３は第１の電極パッド１２に対応する第２の電極パッド１４を有し、第２の電極パッド１４上には第２の低融点半田層１７が形成されている。これら半導体素子１１と回路基板１３とは、フラックス機能を有する封止樹脂１８を用いてフリップチップ接続される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてフリップチップ接続の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５において複数のフリップチップ用端子５ｅの列の端部にダミー端子５ｄが設けられていることにより、フラックスや半田の流れをダミー端子５ｄによって抑制して複数のフリップチップ用端子５ｅ上に半田層４を形成することができ、これにより、フリップチップ用端子５ｅに近接して設けられたワイヤ接続用端子５ｆに半田を付着させることなく、各フリップチップ用端子５ｅ上に形成する半田層４の厚さを十分に確保することができ、その結果、フリップチップ接続の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】接合不良や絶縁特性の劣化を招くことなく高品質の半田接合部を得ることができる半田付方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半田バンプ７が形成された電子部品６を基板に搭載する電子部品搭載方法において、半田濡れ性の良好な金属粉１６を含んだフラックスの薄膜が形成されたフラックス転写ステージにバンプ７を押しつけ、バンプ７の下端部の表面に酸化膜７ａを突き破って金属粉１６を食い込ませておき、この状態のバンプ７を基板１２の電極１２ａに位置合わせして搭載する。これにより、加熱によりバンプ７が溶融した溶融半田を金属粉１６の表面を伝って濡れ拡がらせて電極１２ａに到達させることができ、したがって接合不良や絶縁特性の劣化を招くことなく高品質の半田接合部を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電極又はリードの間隔の狭小化を防止することができる半導体装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】半導体装置は、電極１２を有する半導体チップ１０と、リード２２が形成された基板２０と、電極１２とリード２２との接合部３０と、を有する。接合部３０は、共晶合金３２を含む。電極１２のリード２２に対する接合面と、リード２２の電極１２に対する接合面とは、異なる大きさを有するように形成されている。共晶合金３２を含む接合部３０の外形は、電極１２及びリード２２のうち接合面の大きい方の外形と同等又はそれより小さく形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング前後の位置ずれを自動的に補正し、高精度のフェースダウンボンディングを行うことができるボンディング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置は、半導体チップ８のバンプ形成面と、開口５１を有する回路基板５を撮影する上下二視野カメラ３と、基板搭載部１の下方に設置され、基板搭載部１上に搭載された回路基板５の開口５１を含む領域を撮影する下方カメラ４を含む。ボンディングヘッド２を移動させてボンディング処理を行った後、下方カメラ４によって、回路基板５にボンディングされた半導体チップ８の位置補正用パターンを撮影する。そして、位置補正用パターンの位置情報を用いて、ボンディング誤差を演算し、このボンディング誤差を用いて、ボンディング時のボンディングヘッド２の移動量を補正する。 （もっと読む）

【課題】 常温接合の接合強度を向上させた実装方法を提供する。
【解決手段】 常温環境において、基板面に対して垂直方向の荷重Ｆ１をシリコンチップ１に印加するとともに、基板面に対して水平方向の荷重Ｆ２をシリコンチップ１の一端側から印加することで、金スタッドバンプ部３と導電部５との接合面には基板面に対して垂直方向の荷重と水平方向の荷重とが印加され、金スタッドバンプ３は導電部５に対して水平方向に変位しながら導電部５に接合（Ａｕ／Ａｕ接合）する。 （もっと読む）

【課題】 フラックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。また、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する第１の樹脂と、第２の樹脂と、前記第２の樹脂よりも重量平均分子量の低い第３の樹脂とを含むことを特徴とするものである。また、本発明の半導体パッケージは、半導体素子とインターポーザとが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、半導体パッケージとプリント配線板とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 超音波振動を半導体チップに印加して半導体チップと基板とを接合する半導体チップの接合方法および接合装置において、低コストかつ短時間で有効なレベリング行って、半導体チップと基板との接合性を高めることが可能な、半導体チップの接合方法および接合装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ６のバンプ６ａと基板４のパッド４ａとを位置決めして当接させる位置決め工程と、第一所定周波数の超音波振動を半導体チップ６に印加することで、半導体チップ６のバンプ６ａと基板４のパッド４ａとを擦り合わせて、バンプ６ａの形状をレベリングするレベリング工程と、前記第一所定周波数とは異なる第二所定周波数の超音波振動を、半導体チップ６に印加することで、半導体チップ６および基板４のバンプ６ａとパッド４ａとを接合する接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 エリアアレイ型電子部品を、電気的に接合される電子回路基板の接合位置に対して高精度に位置決め可能にする。
【解決手段】 電子回路基板１は、エリアアレイ型電子部品４の突起電極６に接続される複数個の電極ランド２を有し、最外周の少なくとも４隅に他の電極ランド２に比較して大きなアライメントランド２ａを設ける。一方、エリアアレイ型電子部品４は前記アライメントランド２ａに接合される低融点のはんだ材料からなるアライメント電極５を有し、それ以外の突起電極６を高融点のはんだ材料で構成する。リフローはんだ付け工程において、電子回路基板１とエリアアレイ型電子部品４間で、融点の差により、前記低融点のはんだ材料が先に溶融し、この優先溶融はんだ７の表面張力の作用により、エリアアレイ型電子部品４の接合位置決めが行われる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板にバンプを形成し、接合する半導体チップのフラックス洗浄を不要とし、応力がかかっても部品側や配線基板側には影響が及び難い部品実装配線基板、および配線基板への部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】 配線基板２１には、銅メッキ膜をエッチングした円錐台形状の銅核２６とそれを覆う球殻状の半田２７とからなるバンプを設ける。半導体チップ１１には、接合パッドとその周縁部に、銀の超微粒子が分散されたペーストによる導電性膜を形成し、耐食性付与のメッキ膜を形成して接合パッド１８とし、それを覆って一面にフラックス樹脂膜１９をペースト状として塗布する。半導体チップ１１を配線基板２１に位置合わせして加熱し、半田２７をリフローさせ、フラックス樹脂膜１９を垂れ下がらせ完全硬化させて実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを封止する樹脂の収縮による半導体チップの撓み及びクラックを防止し、高い充填率で封止樹脂を充填することができ、高信頼性を有する半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置、並びに当該半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】接続電極４２が形成されたインターポーザ４０上に、積層する半導体チップＣ１との間隔と同程度の径であり電気的絶縁性を有する支持球４６を搭載し、この支持球４６が搭載された面上に半導体チップＣ１を積層する。半導体チップＣ１上に他の半導体チップを積層する場合も同様に、半導体チップＣ１と他の半導体チップとの間隔と同程度の径であり電気的絶縁性を有する支持球４８を搭載し、この支持球４８が搭載された面上に他の半導体チップを積層する。 （もっと読む）

【課題】 リフロー過程における接合不良を防止することができる電子部品実装システムおよび電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板３に電子部品１５を半田接合により実装して実装基板を製造する電子部品実装において、基板３に搭載された電子部品１５の上にこの電子部品１５を自重により基板に対して押し付ける押付部材１６を載置する。この状態で基板３をリフローに送り、加熱することにより電子部品１５の半田バンプ１５ａを溶融させて基板３の回路電極３ａと半田接合する。これにより、半田溶融時に電子部品１５を押付部材１６の押し付け力によって適正に沈み込ませることができ、接合不良を防止することができる。 （もっと読む）