コンプライアントなボンディング構造は、半導体装置とマウント４０との間に配される。幾つかの実施例において、当該装置は、発光装置である。前記半導体発光装置が、例えば、前記半導体発光装置に超音波エネルギを供給することによって、前記マウントに取り付けられる場合、前記コンプライアントなボンディング構造は、前記半導体発光装置と前記マウントとの間の空間を部分的に充填するように崩壊する。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、ボンディングの間、塑性変形を経る複数金属バンプ３２である。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、多孔性金属層４６である。
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【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供すること。
【解決手段】ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、基材、及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたウエハ裏面保護フィルムとを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムであって、前記ウエハ裏面保護フィルムが、染料により着色されていることを特徴とする。前記着色されたウエハ裏面保護フィルムは、レーザーマーキング性を有していることが好ましい。ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、フリップチップ実装の半導体装置に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを配線基板に搭載する際のアンダーフィル剤の塗布工程を省略する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板に設置される突起電極２と、半導体基板及び突起電極を覆うように形成される接着膜３と、を備え、接着膜は、突起電極の上部を露出する開口を有し、突起電極の上部は、接着膜の開口から突出している。 （もっと読む）

【課題】 高輝度特性を維持しつつ、複数のＬＥＤ素子の素子電極を一括で基板の対応する電極対に実装することを可能とするＬＥＤの製造方法を提供することである。
【解決手段】 エキスパンドテープ上にＬＥＤウエハを貼り付け、ＬＥＤウエハをエキスパンドテープ上で縦横方向に所定の素子サイズにダイシングして複数のＬＥＤ素子を形成するＬＥＤウエハダイシング工程と、エキスパンドテープを所定の大きさまでエキスパンドし、エキスパンドにより拡大エキスパンドテープ上に形成された複数の発光素子の素子電極を回路基板上の対応する電極対に一括して載置して圧着工程と、拡大エキスパンドテープを剥離する工程と、を備える発光ダイオードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム１は、基材３１、及び該基材３１上に形成された粘着剤層３２を有するダイシングテープ３と、該ダイシングテープ３の粘着剤層３２上に形成されたウエハ裏面保護フィルム２とを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム１であって、前記ウエハ裏面保護フィルム２が、着色されていることを特徴とする。前記着色されたウエハ裏面保護フィルム２は、レーザーマーキング性を有していることが好ましい。ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を損なうことなく、配線基板をより薄型化、狭ピッチ化する。
【解決手段】はんだ入り導電性ペースト２００を半導体基板１１の上面に塗布した後、半導体基板１１の各領域に半導体チップ３０を搭載する。この後。はんだが溶融する温度で加熱処理を行い、電極パッド２５とはんだバンプ３２とを導電性ペースト２００に含まれていたはんだ２１０によって接合する。はんだ２１０による接合部分は、導電性ペースト２００に含まれていた絶縁樹脂２１２によって被覆される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕバンプ電極と配線パターンをＳｎはんだで接合する際に、界面にＳｎリッチがＡｕＳｎ化合物が形成されるのを抑制する。
【解決手段】半導体チップ３１に形成された金バンプ電極３１Ａの表面にスズを主成分とする層を付着させる工程と、前記金バンプ電極の表面と前記スズを主成分とする層を反応させて、前記金バンプ電極の表面に原子比で金の割合がスズの割合以上である金−スズ化合物の層３１Ａｂを、３μｍ〜１０μｍの範囲の一様な厚さで形成する工程と、前記半導体チップを回路基板２１上に、表面に前記金―スズ化合物の層が形成された前記金バンプ電極が、前記回路基板上の配線パターン２１Ａに、スズを主成分とするはんだ層２１ａを介して接するように配設する工程と、前記はんだ層を溶融させ前記金バンプ電極を前記配線パターンに接合することで、前記半導体チップを前記回路基板にフリップチップ実装する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチのバンプを有するハイエンド電子部品を実装可能な電子部品の実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】ヘッドツール３の吸着ノズル１１により吸着保持された電子部品１の各半田バンプ１ｂと回路基板４の各半田部２の当接を検出した後、各半田バンプ１ｂ及び各半田部２を加熱により溶融させ、ヘッドツール３の吸着ノズル１１による電子部品１への吸着保持の解除のタイミングを、半田の溶融中に解除するのではなく、半田が溶融後冷却されて固化した後に解除を行う。 （もっと読む）

【課題】回路基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、金−はんだ接合方式に用いる基板配線上に形成する錫を含むはんだを、膜厚バラツキを抑制して厚付けする。
【解決手段】回路基板１の実装面に設けられた複数の接続部導体パターンの間に、金属置換により錫を含むはんだに置換可能な金属膜４を設けたのち、前記金属膜を金属置換により錫を含むはんだ５に置換し、次いで、前記置換した錫を含むはんだを溶融させて、前記接続部導体パターン間で分割するとともに前記接続部導体パターン表面に錫を含むはんだ６を厚付けする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接合面を有し、接合面には複数の半田付け部が設けられかつ絶縁層が被覆され、絶縁層には前記複数の半田付け部を露出するための開口が形成された基板と、基板上に結合されたチップであって、本体、複数のバンプ及び自己粘着性保護層を含み、自己粘着性保護層がチップ表面上に形成され前記複数のバンプを自己粘着性保護層から露出させ、かつ突出させているチップと、を備え、当該自己粘着性保護層は、感光性接着剤、熱硬化性接着剤及び誘電体材料からなり、チップは、自己粘着性保護層と基板との結合により複数のバンプが複数の半田付け部に電気的に接続され、開口の少なくとも一端を露出できるため、ディスペンス作業を別途行うことなくチップと基板とを結合することができ、製造工程や製造コストを大幅に低減させることができる利点を有している。 （もっと読む）

少なくとも１つの電子部品と１つの担体とを有する電子モジュールを生産する方法は、構造体が担体上に提供されることであって、電子部品が構造体に対して所望の標的位置を占めるように電子部品をその上に整列させることに好適である、ことと、液体メニスカスを形成するように構造体が材料で被覆されることであって、液体メニスカスは電子部品を少なくとも部分的に受容することに好適である、ことと、複数の電子部品のストックが送達点で提供されることと、担体が構造体とともに送達点に対向した少なくとも近傍に移動させられることと、自由移動段階の後に電子部品が少なくとも部分的に材料に接触するように担体上の構造体が送達点の近くを通過中に送達点が接触を伴わずに電子部品のうちの１つを送達することと、電子部品が自身を液体メニスカス上の構造体に整列させて、標的位置を占める間に、担体が構造体とともに下流の処理点に移動させられることを有する。
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【課題】電子部品と基板との接続信頼性を向上させた半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、電極７が設けられた電子部品１と、上面に電極７と電気的に接続された基板電極１３が設けられ、電極７と基板電極１３とが対向するように配置された基板２と、電極７と基板電極１３とを接続させる接続部材９と、フラックスを含み、少なくとも接続部材９と基板電極１３との接続部分に接する第１の樹脂部３ｂと、第１の樹脂部より３ｂもフラックスの濃度が低い第２の樹脂部３ａとを有し、電子部品１と基板２との間の隙間に充填された封止フィルム３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ側の半田バンプとパッケージ基板側の予備半田を同時に加熱融解させて半導体チップとパッケージ基板と接続する場合に、半田バンプ側に予備半田が吸い取られて接続不良が発生するのを防ぐ製造方法を提供する。
【解決手段】半導体バンプ１１の材料と予備半田２１の材料を同一材料にする。半導体チップ１０に半田バンプ１１が接する開口半径（ＵＢＭ径）ｒ１と、パッケージ基板２０に予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２との比ｒ２／ｒ１を０．８以上で１．２以下とする。このとき、半田バンプ１１の高さｈ１は、予備半田２１の高さｈ２よりも高くする。また、半田バンプ１１の半田量と、予備半田２１の半田量は、「予備半田の曲率半径Ｒ２」≧「半田バンプ１１の曲率半径Ｒ１」を満たすように決められる。また、予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２は、予備半田２１の高さｈ２以上とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板及び電子部品の実装方法において、実装時に回路基板が受けるダメージを低減すること。
【解決手段】回路基板１の電極パッド３の上に、上面が凸状の予備はんだ１１を形成する工程と、予備はんだ１１の上に、上面が平坦又は凹状の樹脂台座３１ａを形成する工程と、はんだバンプ２２が形成された半導体素子２０を樹脂台座３１ａの上にはんだバンプ２２を下側にして載せる工程と、予備はんだ１１、樹脂台座３１ａ、及びはんだバンプ２２をリフローすることにより、予備はんだ１１とはんだバンプ２２とを接合する工程とを有する電子装置の実装方法による。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の低コスト化を図る。
【解決手段】回路基板の主面に選択的に形成された配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させ（ステップＳ１）、前記樹脂を介して、回路基板の主面と半導体素子の主面に配置された電極パッドとを対向させる（ステップＳ２）。そして、導電性粒子の融点以上に導電性粒子を加熱して、複数の導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、電極パッドと配線層とを電気的に接続する。それと共に、導電層を樹脂で被覆する（ステップＳ３）。これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の低コスト化を実現する。
【解決手段】配線支持基材の主面に配線層を選択的に形成する（ステップＳ１）。次に、上記配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させる（ステップＳ２）。次に、前記樹脂を介して、配線支持基材の主面に、半導体素子の主面に配置された電極パッドを対向させる（ステップＳ３）。そして、導電性粒子の融点以上に当該導電性粒子を加熱して、複数の導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、電極パッドと配線層とを電気的に接続する。また、当該電気的な接続と共に、導電層を樹脂で被覆する（ステップＳ４）。これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】熱、応力等の外的負荷を低減し、加工工程の簡略化を図り、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】金属端子膜４の材料となる液状体を実装基板２上に塗布する塗布工程と、前記実装基板２上に塗布された前記液状体に半導体部材の接続端子５が接触するように、前記実装基板２の上に前記半導体部材を載置する載置工程と、前記液状体を固化する固化工程と、を含む。従って、異方性導電材料等を用いて電気的に接続を行う必要がないので、加工工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ化された半導体装置２を回路基板８上に実装するときに、鼓型状の接合用はんだ６を容易に形成することができる実装方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、第１配置工程と第２配置工程と載置工程と加熱工程と冷却工程を備えている。第１配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの中央部に環状のはんだ４を配置する。第２配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの外周部にはんだ６を配置する。載置工程では、第１及び第２配置工程により配置したはんだ４，６を介して回路基板８上に半導体装置８を配置する。加熱工程では、はんだ４，６を加熱して溶融する。冷却工程では、はんだ４，６を冷却して固化する。加熱工程において、はんだが溶融した状態では、環状に配置したはんだ４と半導体装置と回路基板によって密閉された空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リペア、リワーク工程を前提とし、その工程の条件設定等有意義な情報を得るための測定方法及び測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体チップ及び基板と、この片面を封止する封止樹脂と、前記片面の半対面に形成されるバンプと、前記バンプが接合する実装基板と、アンダーフィル・サイドフィルとを備える半導体パッケージの実装構造において、アンダーフィル或いはサイドフィルした後、硬化した液状樹脂組成物のリペア、リワーク性を定量化するための測定方法及びその測定装置であって、半導体チップ及び基板下部に、実装基板との間に電気的接続をするための半田ボール間を、半田間隙を２６０℃に耐えられるワイヤーで通し、この状態でアンダーフィル或いはサイドフィルした後、ワイヤーをロードセル或いは圧力センサー等に取り付けたものを、所定の温度に加熱後、引き上げることで荷重を測定する方法。 （もっと読む）