【課題】被実装体に電子部品を接続する前に封止樹脂材を予め形成する先封止技術を使用する電子部品装置の製造方法において、電子部品の下側に信頼性よくアンダーフィル樹脂を形成できる新規の方法を提供する。
【解決手段】接続部１４を備えた被実装体１０に、未硬化の封止樹脂材２０を介して、電子部品３０のバンプ電極３２を押し込むことにより、バンプ電極３２が接続部１４上に配置され、電子部品３０の下に封止樹脂材２０が形成された積層部材５を得る工程と、支持板４２上に積層部材５及びシート材４４を配置し、支持板４２とシート材４０とを備えた治具４０の内部の空気を排気して真空状態とすることにより、積層部材５をシート材４４で加圧する工程と、積層部材５を加圧した状態で加熱処理することにより、電子部品３０の下にアンダーフィル樹脂２２を得ると共に、電子部品３０のバンプ電極３２を被実装体１０の接続部１４に接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の突起電極をファインピッチ化し、半導体素子の小型化もしくは多ピン化を図る。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板１００と、半導体基板１００の主表面１１０上に形成された電極パッド２００と、電極パッド２００上に形成された突起電極６００とを有し、突起電極６００は、先端部に平坦部を有する略円錐形状を有し、突起電極６００の表面は、金属層で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内を排気して減圧雰囲気とした後にカルボン酸ガスを導入する。カルボン酸ガスの導入後の炉内の温度を上昇させつつ、カルボン酸ガスによる酸化膜の還元温度以上で、かつ半田バンプ１、３の溶融温度未満の温度域にて、炉内を排気して減圧雰囲気とする。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させ、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて接合する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によって、薄い被加熱物に対して減圧雰囲気中でリフローを行うことを可能とする。
【解決手段】搬送治具（微粘着フィルム２１、内周リング２２および外周リング２３）に支持されたウエハＷがチャンバ３内に搬送される。ウエハＷが下降され、微粘着フィルム２１がヒータプレート７の加熱面に対して密着される。蓋８が下降され、弾性体４１の端面によって、微粘着フィルム２１が加熱面に対して押し付けられる。最初の加熱およびプリヒート時には、蓋８の内側に気密な空間に窒素ガスが充填される。さらに、蓋８の内側の空間が排気され、ほぼ真空雰囲気とされ、ヒータプレート７によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足するフィルム状接着剤の形成を可能とする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が２万以上１０万以下の熱可塑性樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、（Ｅ）マイクロカプセル型の硬化促進剤と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線基板にフリップチップ接合する際に、半導体素子に作用するダメージを緩和できる構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子（１）は、第一の電極（２）が配置されている面と同一面上で第一の電極（２）とは離れて搭載された部品（４）と、第一の電極（２）が配置されている面と同一面上で第一の電極（２）と部品（４）との間に搭載されたダミー電極（５）とを備えており、半導体素子（１）を配線基板（７）にフリップチップ接合する際の配線基板（７）に対する半導体素子（１）の傾きを補正する支持体（６）がダミー電極（５）と配線基板（７）との間に介装されている。 （もっと読む）

【課題】下面に多数の端子を備えた電子部品をリフロー方式によって基板に実装する際、基板などの反りに起因する半田の接続不良や短絡を、信頼性を低下させたり、コストを増加させたりすることなく、確実に防止する。
【解決手段】多数の端子のそれぞれを対応するランドに対向配置させた状態で、各端子とランドとをリフロー方式によって半田付けする際、互いに対向する端子とランドとの間に供給する半田の量を、各端子とそれらに対応する各ランドのそれぞれの距離に応じて個別に増減する。 （もっと読む）

パッケージ基板にダイを取り付けるためのフリップチップパッケージング方法であって、その方法が、ダイをはんだペーストに浸すステップ；パッケージ基板上にダイを配置するステップ；及びパッケージ基板にダイを取り付けるためにはんだペーストをリフローするステップ；を含む。前記ダイが導電バンプを有し、前記ダイを前記はんだペーストに浸すステップが、前記導電バンプを前記はんだペーストに浸すステップを含む。前記パッケージ基板がパッドを有し、前記パッケージ基板に前記ダイを取り付けるために前記はんだペーストをリフローするステップが、前記導電バンプを前記パッドにはんだ付けするステップを含む。他の実施形態が記載され、且つ請求される。
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【課題】回路部材間の接着剤層におけるボイド発生が十分に抑制され、ピッチ間が十分に封止充填されており、且つ接続信頼性に優れる回路板を提供すること、及び当該回路板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高さｔ_ｃの第一の突起電極と該第一の突起電極上に形成された高さｔ_ｍのハンダを有する第一の回路部材と、高さｔ_ｓの第二の突起電極を有する第二の回路部材とを、上記第一の突起電極と上記第二の突起電極を対向して配置し、対向配置した上記第一の突起電極と上記第二の突起電極の間に厚さｔ_２の接着剤層を介在させ、加熱加圧して、下記式（１）、（２）及び（３）を満たすように対向配置した上記第一の突起電極と上記第二の突起電極を電気的に接続させてなる、回路板。
ｔ_１≧ｔ_ｃ＋ｔ_ｓ （１）
ｔ_１×１．３≧ｔ_２＞ｔ_ｃ＋ｔ_ｍ （２）
ｔ_１×１．３≧ｔ_２＞ｔ_ｃ＋ｔ_ｓ （３）
［式中、ｔ_１は加熱加圧後の前記第一の回路部材と前記第二の回路部材の間の積層方向に沿った距離を示し、ｔ_ｃは第一の突起電極の高さを示し、ｔ_ｓは第二の突起電極の高さを示し、ｔ_２は加熱加圧前の接着剤層の厚さを示し、ｔ_ｍは第一の突起電極上に形成されたハンダの高さを示す。］ （もっと読む）

【課題】 狭ピッチ化に対応しつつ、コストアップに繋がる余分な工程を加えることなく電極間のショートを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子（３）は電極パッド（１）と電極パッド（１）上に設けられたバンプ（２）とを備え、半導体キャリア基板（４）は基板電極（９）を備え、バンプ（２）は空間部（Ｓ）が設けられ、バンプ（２）は半田（６）によって基板電極（９）に物理的かつ電気的に接続されると共に接続に供せられない半田（６）は空間部（Ｓ）に受容される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高いＢＧＡ接続構造の提供。
【解決手段】半導体装置１と配線基板（実装基板１０）とをはんだによりＢＧＡ接続する半導体装置と配線基板の接続構造において、はんだバンプよりも軸線方向に長く形成し、且つ、断面積が中央部分よりも半導体装置側に接合される一端と配線基板側に接合される他端の方で広くなる形状に形成したスタッドピン８と、半導体装置側と実装基板側に各々配設してスタッドピンの両端を各々接合する当該スタッドピンの両端よりも大きい基板パッド（第１金属製パッド７、第２金属製パッド１１）と、はんだによるスタッドピンと半導体装置及び実装基板との間のフィレット形状接合部と、を備えること。 （もっと読む）

【課題】基板および部品の双方が接着剤に接触したことを的確に検知して部品と基板との接着作業を行うことができる半導体製造装置および其の低荷重接触検出装置と低荷重接触検知方法を提供すること。
【解決手段】ステージ３の上下位置を固定とし、アクチュエータ７の駆動トルクを制限した状態でホルダ６を下降させながらホルダ６の現在位置ｚを所定周期毎に検出してホルダ６の下降速度Ｆを逐次求め、下降速度Ｆが設定値Ｆ_２（駆動トルクを制限した状態で無負荷状態のホルダ６が下降するときの移動速度Ｆ_０と、駆動トルクを制限した状態でホルダ６に保持した部品５の下面が接着剤２５に接触しながら下降するときのホルダ６の移動速度Ｆ_１との間にある設定値）を下回った時点で、部品５が接着剤２５に接触したものと判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスが実装基板上にフリップチップ接続されてなる半導体装置において、実装基板の電極端子間に多くの配線を通し得るようにする。
【解決手段】導電性バンプ２ｂを有する半導体デバイス２が、前記導電性バンプが回路基板１上の電極端子１ｂに接続される態様にて回路基板上に実装されている半導体装置において、電極端子１ｂのサイズ（幅または一辺の長さまたは径）が導電性バンプ２ｂの径以下（１/４程度）であり、かつ、導電性バンプは電極端子の下端までは濡らしていない。つまり、導電性バンプ２ｂは、回路基板１の絶縁性基板１ａの表面には接していない。 （もっと読む）

【課題】加熱工程を削減でき、電気的な接合の品質を安定に維持することができ、必要な強度を得ることが出来る実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板（１）における半導体パッケージ部品（３）の実装予定位置（６）の中に第１の補強用接着剤（５）を塗布し、基板（１）の電極（２）と半導体パッケージ部品（３）の電極が凝固状態の接合金属（４）を介して当接するよう半導体パッケージ部品（３）を基板（１）にマウントし、基板（１）における半導体パッケージ部品（３）がマウントされたエリアの周部（６）と半導体パッケージ部品（３）の外面との間にわたって第２の補強用接着剤（５ａ）を塗布し、その後にリフローして接合金属（４）を溶融させ接合金属（４）が凝固するとともに第１，第２の補強用接着剤（５，５ａ）を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極に形成されている溶融性金属が、半導体素子の電極の接合箇所に必要以上に濡れ広がることを抑制する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１Ａに突起電極２Ａを形成する工程と、突起電極の上部表面に溶解液を形成する工程と、回路基板１１に基板電極１２を形成する工程と、基板電極を覆うように樹脂膜１３を形成する工程と、半導体素子を回路基板に押し当てながら、突起電極の上部表面に形成された溶解液と、基板電極を覆うように形成された樹脂膜とを接触させることにより、樹脂膜に開口を形成する工程と、半導体素子に形成された突起電極と、樹脂膜の開口から露出する基板電極とを接合する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板同士の横方向のずれを抑制するために、接合時の荷重を小さくすると、バンプ表面の薄い酸化膜を破壊してバンプの清浄面同士を接触させることが困難になる。
【解決手段】 表面に複数の部分球状の第１のバンプが形成された第１の基板と、表面の、前記複数の第１のバンプに対応する位置にそれぞれ部分球状の第２のバンプが形成された第２の基板とを、相互に対応する該第１のバンプと該第２のバンプとが接触するように対向させる。第１のバンプと第２のバンプとが接触した状態で、第１のバンプと第２のバンプとを加熱して溶融させた後、固化させる。溶融する前の第１のバンプの各々の体積が、溶融する前の対応する第２のバンプの体積と異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法、及び回路基板シートにおいて、回路基板と半導体素子との接続信頼性を高めること。
【解決手段】回路基板２０に設けられた接続パッド３０の延長部３０ａに接続媒体３５を供給する工程と、回路基板２０の接続パッド３０と半導体素子３７の電極端子３８とを対向させる工程と、接続媒体３５を加熱して溶融することにより、溶融した該接続媒体３５を延長部３０ａから接続パッド３０に伝わせ、接続媒体３５を介して接続パッド３０と電極端子３８とを接続する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】電気部品と配線基板の距離をできるだけ短くするために、はんだの流れ出しを抑えられる薄い保護皮膜を形成する配線基板の提供と、この配線基板に電気部品を搭載する方法を提供する。
【解決手段】最上層に電極を有する金属製の配線パターン１１が設けられた配線基板１００において、電極を含めて配線パターン１１を覆う電気絶縁性の保護皮膜２が形成されている。そして、絶縁基板１００の最も高い箇所に、保護皮膜２が位置している。保護皮膜の厚さは、電極を含めた金属製の配線パターン１１の厚み未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】一方の基板に形成された配線が他方の基板に形成された配線以外の導電体と導通することを防止する。
【解決手段】可撓性の基材３２に形成された配線３４の第１部分Ａ１を覆う金属層３６と配線３４の第２部分Ａ２を覆うソルダーレジスト３８とを含むフレキシブルプリント基板と、導電性基材２１の表面に形成される絶縁層２４上に形成される信号線２５を有する表示パネルと、を備え、フレキシブルプリント基板は、金属層３６が信号線２５と対向して当該信号線２５に接続されるとともに、ソルダーレジスト３８が、導電性基材２１の表面のうち絶縁層２４の周縁から張り出した縁領域Ｂと対向するように配置されるという構成を有する電子装置。 （もっと読む）

【課題】吸着ヘッドと接続されるチューブのバネ定数と重量の両方を安定化させることが可能であり、今後さらに微細化していくデバイスにも対応できるチップ実装機、及び、チップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップ実装機１は、吸着ヘッド２と、真空発生手段３４と、吸着ヘッド２と接続され、半導体チップ１１を真空吸着するための、弾性を有するチューブ２５と、チューブ２５と非接触の状態で、チューブ２５を加熱する加熱手段４と、フラックストラップ手段５とを備えた構成としてある。 （もっと読む）