【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、カソードであるｎ側バンプ２３とアノードであるｐ側バンプ２４を備え、このｎ側バンプ２３とｐ側バンプ２４の間にバリスタ２６が充填されている。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】電子部品を実装する際の冷却時間の短縮を図るための電子部品実装装置を提供する。
【解決手段】熱溶融する接合金属を介して電子部品３１の電極と基板の電極とを接合し、電子部品３１を基板の上に実装する電子部品実装装置において、基板と接離方向に駆動され、セラミックヒータ２７ｈを内蔵するヒータベース２７ａと、ヒータベース２７ａの下面に密着して固定される上面２８ａと下面２８ｂ面に形成されて電子部品３１を吸着保持する台座２８ｃとを有し、ヒータベース２７ａのセラミックヒータ２７ｈによって加熱され、台座２８ｃに吸着した電子部品３１を基板に熱圧着するボンディングツール２８と、を備え、ボンディングツール２８は、上面２８ａと台座２８ｃの側面２８ｄとを連通する冷却流路を有する。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】導電体が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層２３と、第二絶縁層２３の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層２２の一部と接触する金属層２７とを備え、金属層２７は、第一回路層２２側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）２７１、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）２７２、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）２７３がこの順に構成されている回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】半田接続部に生じる熱応力の緩和効果を維持しつつ、半田接続部の耐疲労性を向上させることを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態においては、配線基板２の接続パッド４上にＳｎ合金からなる予備半田層１０を形成する。半導体チップ２の電極パッド５上にＳｎ合金からなる半田バンプ１３を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３とを位置合せしつつ接触させた後、予備半田層１０及び半田バンプ１３の融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ａｇ及びＣｕを含むＳｎ合金からなる半田接続部６を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３のうち、予備半田層１０のみをＡｇを含むＳｎ合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＢｉ系はんだを用いてはんだ接合する際の接合信頼性を向上することができるはんだ接合方法とその接合方法を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の導電部材１１と第２の導電部材１４を、Ｓｎ及びＢｉを含有するはんだを用いて接合する方法において、第１の導電部材１１と第２の導電部材１４の少なくとも一方を、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる第１金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であるＸと、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる第２金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であるＹの合金で形成し、第１の導電部材１１と第２の導電部材１４を、前記はんだを介して位置合わせして加熱処理する。はんだ中のＢｉをＸ−Ｙ合金中に拡散させることによりＢｉ偏析を防止する。 （もっと読む）

【課題】半田バンプのオープン不良を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】配線基板上に配線を形成し、配線基板上をソルダレジストで覆い、配線を露出させるようにソルダレジストに開口を形成する。配線基板の配線と半導体チップの電極とを半田バンプを介して接続させることで、配線基板上に半導体チップをフリップチップ接続させる。半田バンプの半田の量を、ソルダレジストの開口の角と電極に内接する球の体積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ボール状はんだバンプを有するＬＳＩなど半導体素子を、電極上に予備はんだを有するパッケージ基板に実装する場合、基板の反りなどに起因する、各予備はんだの高さのばらつきや相対的な位置のずれなどを吸収して両者を高信頼度で実装可能とする半導体素子実装用回路基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板１には、その先端部に対する金型５を用いた押圧加工などによって、先端面の周辺部に比し中心部が窪んだ凹部領域を有する柱状の予備はんだ（金型加圧した接続用はんだ構造物４）を形成し、これによって、はんだバンプをフリップチップボンディングしてＬＳＩを実装する。予備はんだの先端部の外周部を中心部より高くすることで、水平方向および垂直方向における、はんだバンプと予備はんだ接触・接合の自由度が増加して、基板反りなどによる接続不良を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】安価な方法で、低温かつ固相状態で金属同士を接合する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一方に錫を含む金属部材同士の表面を、蟻酸またはクエン酸溶液中において煮沸あるいは蟻酸またはクエン酸蒸気に暴露するステップと、この煮沸又は暴露された金属部材の表面同士をつき合わせ、加熱及び加圧するステップと、を含む接合方法とする。 （もっと読む）

【課題】高密度実装では占有面積の低減と低背化がキーとなっている。半導体デバイスを積層化した構造は高密度実装に適しているが、強度確保のための樹脂インターポーザの厚さ、上下のデバイスを電気接続する導電ボールの大きさ、ワイヤボンディングのための空間確保などにより、低背化が制限されていた。このための半導体デバイスを低背化して実装可能とする技術を提供する。
【解決手段】樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊１３から成る導電路２０で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。また、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化することにより、積層化プロセスが容易になった。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージにおいて長期接続信頼性を向上させ、エレクトロマイグレーション耐性を改善する。
【解決手段】半導体素子１の電極パッドと基板２１上の電極パッド２０とをはんだボールによって接続する。はんだボールは、金属製コア部１１と、金属製コア部１１の周囲に設けられ、前記コア部１１よりも剛性が低く融点が低いはんだ部１０とで構成されている。はんだボールを半導体素子１にリフローによって接続する。その後、半田ボールが付いた半導体素子１と基板２１を超音波にて接続し、基板２１側において、金属コア１１と電極２０を直接接続する。これによって熱ストレスの少ない、かつ、抵抗の小さい接続を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 格子状に配置された突起電極を用いた実装において、実装プロセスを複雑化することなく、フラックスの揮発及び／又はパッケージ反り等に起因する突起電極の接続不良の発生を抑制する。
【解決手段】 半導体部品１１０の突起電極面１１０ａを凹状に変形させて半導体部品１１０を吸着し、凹状に変形された突起電極面１１０ａの突起電極１１３をフラックス又は半田ペースト１７１内に浸漬させて、突起電極１１３にフラックス又は半田ペースト１７２を転写する。その後、突起電極１１３を基板１２０上の電極パッド１２２に位置合わせして半導体部品１１０を基板１２０上にマウントし、吸着を解除した後、突起電極１１３と電極パッド１２２とを半田接合する。 （もっと読む）

【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、電子部品と搭載基板とが有する端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とで構成され、半導体装置（電子部品）１０と搭載基板５とを電気的に接続するために用いられるものであり、これらを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっている。 （もっと読む）

【課題】金属層に亀裂や皺が生じることなく、金属層と樹脂組成物層との間で優れた密着性が維持された導電接続シートを製造することができる導電接続シートの製造方法、かかる製造方法により製造された導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シートの製造方法で製造される導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、樹脂組成物層１１、１３同士の間でこれらに互いに接合する金属層１２とを有するものであり、この導電接続シート１は、樹脂組成物層１１と金属層１２とを備えるシート５１および樹脂組成物層１３を備えるシート５２をそれぞれ用意する工程と、金属層１２の樹脂組成物層１１と反対側の面と、樹脂組成物層１３の一方の面とが対向するようにして、シート５１とシート５２とを圧着する工程とを経ることにより製造される。 （もっと読む）

【課題】電子機器の高機能化及び小型化の要求に伴う、電子材料における端子間の狭ピッチ化にも対応可能な端子間の接続方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、接続端子の形成方法等を提供する。
【解決手段】樹脂組成物１２０と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔１１０とから構成される積層構造を有する導電接続材料１００を介して対向する端子１１，２１間を電気的に接続する方法において、導電接続材料１００を対向する端子１１，２１間に配置する配置工程と、金属箔１１０の融点以上の温度で導電接続材料１００を加熱するとともに超音波を印加する加熱印加工程と、樹脂組成物１２０を凝固または硬化させる凝固、硬化工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板に実装した後にアンダーフィル樹脂を充填する必要がなく、耐落下衝撃性を向上できる半導体部品の実装方法を提供する。
【解決手段】はんだ粒子及びフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物１を用いて半導体部品２と回路基板４とを接合する接合部６を設ける半導体部品２の実装方法に関する。熱硬化性樹脂組成物１を回路基板４の電極５ごとに塗布する。熱硬化性樹脂組成物１を被覆するように、フラックス成分を含有しない封止材９を塗布する。熱硬化性樹脂組成物１及び封止材９が共に未硬化状態のまま、半導体部品２の端子３と回路基板４の電極５とが対向するように半導体部品２と回路基板４とを重ねて加熱する。熱硬化性樹脂組成物１を硬化させて、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部７と、はんだ部７の周囲を被覆する樹脂硬化部８とで形成される接合部６を設ける。封止材９を硬化させて、接合部６の周囲を封止する。 （もっと読む）

【課題】電極本体と電子部品又は基板との接合面積の低下を抑制できる電極、電子部品及び基板の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、電子部品１２にはんだ付けされて設けられ、電子部品１２が基板１３に実装される際に、基板１２にはんだ付けされる電極１０である。この電極１０は、電子部品１２及び基板１２にはんだ付けされる柱状の電極本体１１を有している。電極本体１１が電子部品１２又は基板１３にはんだ付けされる際に、電極本体１１の接合面１１ａ，１１ｂと電子部品１２又は基板１３との間におけるはんだ１４内に発生する空気溜まり１５内の空気１５ａを排出する空気排出手段としての溝２０を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留り向上を図る。
【解決手段】ステージ１０上に吸着固定した配線基板２上に形成された複数のはんだバンプ５に対して、はんだバンプ５を溶融させた状態で、Ａｕ膜１４ａが形成されたガラス板１４を上（Ｄ）方向から押し込んで、複数のはんだバンプ５とＡｕ膜１４ａとを接触させてはんだ濡れ性を検査することで、はんだバンプ５の表面の酸化膜の破壊状況を高感度に細かく見ることができ、その結果、ロット判定によって良品の配線基板２を選別して半導体装置の組み立てに用いることができ、フリップチップ接続が行われて組み立てられる半導体装置の歩留り向上を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、対向する接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法、並びに該製造方法で作製された導電接続材料を用い端子間の接続方法、接続端子の形成方法を提供することにある。
【解決手段】上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層の少なくとも一方の面に、真空スパッタリング法または真空蒸着法により金属層を形成することにより解決することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図るとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に樹脂封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ２２とその上に設けられたはんだボール２４とからなる突起電極を有する半導体ウェハ２０面上に、粘接着剤層２及び弾性率が４５０ＭＰａ以下であるプラスチックシート１をこの順に備える接着シートを、粘接着剤層２が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、半導体ウェハ２０の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ２０及び粘接着剤層２を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、熱圧着して配線回路基板と半導体素子とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が粘接着剤２により封止された構造の半導体装置を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を用いて支持体と被着体との接続を行う電子部品の製造方法において、樹脂層の硬化物中に空隙が発生し難い電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０の第一の端子と、被着体２０の第二の端子とを、半田又は錫を用いて接合して該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、硬化性樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、加圧流体７により加圧しながら前記硬化性樹脂組成物を硬化させる加圧硬化工程とを順に行う。 （もっと読む）