導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器
【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、電子部品と搭載基板とが有する端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とで構成され、半導体装置（電子部品）１０と搭載基板５とを電気的に接続するために用いられるものであり、これらを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっている。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とで構成され、半導体装置（電子部品）１０と搭載基板５とを電気的に接続するために用いられるものであり、これらを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板（搭載基板）に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００４】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００５】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００６】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【０００９】
かかる構成の導電接続シートを、電子部品と搭載基板との間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に電子部品および回路基板がそれぞれ有する端子同士間に凝集し、この端子間以外の領域には樹脂成分が充填されることから、電子部品と回路基板とが有する複数の端子同士間を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性を確保することができるようになる。
【００１０】
しかしながら、かかる構成の導電接続シートでは、搭載基板上に電子部品が搭載される領域では、上述したように、これらが備える端子同士間に金属層に由来する金属材料を選択的に凝集させて、端子同士間を電気的に接続することができるものの、搭載基板上の電子部品が搭載されない領域では、金属材料を凝集させるべき端子が存在しないことから、樹脂成分中に金属材料が残存し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、電子部品と搭載基板とが有する端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（２０）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられる導電接続シートであって、
前記電子部品と前記搭載基板とを電気的に接続する際に、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量が、前記第２の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする導電接続シート。
【００１３】
（２） 前記搭載基板には、複数の前記電子部品が搭載される上記（１）に記載の導電接続シート。
【００１４】
（３） 前記第１の部分において、前記金属層の厚さが、前記第２の部分における金属層の厚さより厚くなっている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。
【００１５】
（４） 前記第２の部分において、前記金属層が部分的に設けられている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１６】
（５） 前記搭載基板および前記電子部品は、ともに端子を有し、当該導電接続シートを用いて形成された接続部を介して前記端子同士が電気的に接続される上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１７】
（６） 前記樹脂組成物層は、前記樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１８】
（７） 前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する上記（６）に記載の導電接続シート。
【００１９】
（８） 前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物を含有する上記（６）または（７）に記載の導電接続シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）ｎ−ＣＯＯＨ・・・・・（１）
（式（１）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
【００２０】
（９） 前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（２）および下記一般式（３）で表わされる化合物のうちの少なくとも一方を含有する上記（６）または（７）に記載の導電接続シート。
【化１】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【化２】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【００２１】
（１０） 前記樹脂組成物において、前記フラックス機能を有する化合物の含有量は、１〜５０重量％である上記（６）ないし（９）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２２】
（１１） 前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２３】
（１２） 前記金属層は、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される上記（１１）に記載の導電接続シート。
【００２４】
（１３） 前記金属層は、Ｓｎ−３７Ｐｂ合金またはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金を主材料として構成される上記（１２）に記載の導電接続シート。
【００２５】
（１４） 前記積層体は、２つの前記樹脂組成物層および１つの前記金属層で構成され、前記樹脂組成物層、金属層および前記樹脂組成物層がこの順で積層されたものである上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２６】
（１５） 前記電子部品は、半導体装置である上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２７】
（１６） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２８】
（１７） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２９】
（１８） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００３０】
（１９） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００３１】
（２０） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて電気的に接続された前記電子部品と前記搭載基板とを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、電子部品と搭載基板との間に配置される第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００３３】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を選択的に電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の導電接続シートを用いて搭載基板に電気的に接続される半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の導電接続シートを用いて半導体装置を電気的に接続する搭載基板の一例を示す平面図である。
【図３】本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の端子間の接続方法を用いて、搭載基板と半導体装置との間に接続部および封止層を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載基板が備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図６】本発明の導電接続シートの他の構成を示す縦断面図である。
【図７】他の構成例の導電接続シートが備える金属層の第２の部分における構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて電気的に接合すべき半導体装置（電子部品）と、この半導体装置を搭載する搭載基板について説明する。
【００３７】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて搭載基板に電気的に接続される半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３８】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有する端子７０とを有している。
【００３９】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００４０】
インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。
【００４１】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００４２】
各端子７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
この端子７０は、例えば、端子４１と同様に、銅等の導電性金属材料で構成される。
【００４３】
また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成される接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。
【００４４】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。
【００４５】
＜搭載基板＞
図２は、本発明の導電接続シートを用いて半導体装置を電気的に接続する搭載基板の一例を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す搭載基板５は、基板５０と端子６と配線９とを有している。
【００４６】
基板５０は、この上に設けられた端子６、配線９および搭載基板５に搭載される半導体装置１０等の各種部品を支持するための支持体である。
【００４７】
基板５０の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリイミド等の基材からなるフレキシブル基板、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の熱硬化性樹脂を繊維基材に含浸させた基材を含むリジッド基板が挙げられる。
基板５０上には、端子６と、この端子６に電気的に接続する配線９が設けられている。
【００４８】
端子６は、端子６１、端子６２、端子６３および端子６４で構成される。これらのうち、端子６１、６２、６３は、それぞれ、半導体装置を接続（実装）するための端子を構成し、さらに、端子６４は、外部部材との接続を行うための端子を構成する。
【００４９】
半導体装置を接続するための端子６１、６２、６３は、それぞれ、基板５０上に複数個（本実施形態では、端子６１、６２がそれぞれ１４個、端子６３が１８個）設けられている。これらの端子６１、６２、６３は、基板５０上に、それぞれ四角形状をなすように配置されており、各端子６１、６２、６３で取り囲まれる領域により半導体装置を搭載（実装）する搭載領域６５、６６、６７が構成される。
【００５０】
また、配線９は、配線９１、配線９２および配線９３で構成されている。これらのうち、配線９１は、外部部材と半導体装置とを接続し、配線９２は、半導体装置同士を接続し、さらに、配線９３は、半導体装置と、基板５０上に設けられた他の部材（図示せず）とを接続する。
【００５１】
端子６および配線９の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、または、これらを含む合金等が挙げられる。
【００５２】
このような構成の搭載基板５において、搭載領域６５、６６、６７に半導体装置が搭載され、本実施形態では、搭載領域６５に半導体装置１０が搭載される。
【００５３】
この搭載基板５に対する半導体装置の搭載、すなわち搭載基板５と半導体装置との電気的な接続に、本発明の導電接続シートが用いられる。
【００５４】
換言すれば、本発明の導電接続シートを用いた、後述する本発明の端子間の接続方法により、図４に示す接続部８７および封止層８８が形成され、さらに、後述する本発明の接続端子の形成方法により、図５に示す接続端子８５および補強層８６が形成される。
【００５５】
以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
＜導電接続シート＞
図３は、本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図であり、より詳しくは、本発明の導電接続シートを半導体装置と搭載基板との間に配置した際の図２中のＡ−Ａ線における縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５６】
本発明の導電接続シートは、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられるものであり、半導体装置（電子部品）と搭載基板とを電気的に接続する際に、半導体装置と搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、第１の部分に対応する金属層を構成する金属材料の量が、第２の部分に対応する金属層を構成する金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする。
【００５７】
このような導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、電子部品と搭載基板との間に配置される第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５８】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を選択的に電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５９】
本実施形態では、導電接続シート１は、図３に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体、すなわち、第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との間で金属層１２がこれらに互いに接合する構成を有する三層構造をなす積層体で構成されるものであり、半導体装置１０と搭載基板５とを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなるものである。
【００６０】
かかる構成の導電接続シート１において、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成され、金属層１２が、低融点の金属材料で構成された金属箔で構成され、第１の部分１５に対応するこの金属層１２の厚さが、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さよりも厚くなっている。
【００６１】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。
【００６２】
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、本実施形態では、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成される。
【００６３】
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００６４】
樹脂組成物は、樹脂成分を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００６５】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００６６】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００６７】
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００６８】
また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６９】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。
【００７０】
このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００７２】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００７３】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００７４】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００７５】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００７６】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００７７】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００７８】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７９】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００８０】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００８１】
（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。
【００８２】
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００８３】
具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００８４】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００８５】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。
【００８６】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００８７】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００８８】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８９】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９０】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００９１】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００９２】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００９３】
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００９４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００９５】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層（導電接続材料）１１を容易に取り扱うことが可能となる。
【００９６】
（iii）フラックス機能を有する化合物
硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、端子７０、６１および金属層１２に形成された表面酸化膜を還元する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、接続部および封止層の形成方法で詳述するように、たとえ、端子７０、６１および金属層１２の表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集することとなる。
【００９７】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。
【００９８】
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９９】
また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。
【０１０１】
芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。
【０１０２】
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【０１０３】
【化４】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【０１０４】
このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−２−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０５】
このようなフラックス機能を有する化合物は、金属層１２と端子７０、６１とが電気的に接続し得るように、金属層１２および端子７０、６１の表面酸化膜を還元する作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
【０１０６】
このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には金属層１２および端子７０、６１に形成された表面酸化膜を還元してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８７を容易に形成し、端子７０、６１間を電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部８７により端子７０、６１間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。
【０１０７】
このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
【０１０８】
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１０９】
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、搭載基板５等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。
【０１１０】
また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。
【０１１１】
さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。
【０１１２】
上述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
【０１１３】
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
【０１１４】
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【０１１５】
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１６】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１７】
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層１２および端子７０、６１の表面酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１１８】
（iｖ）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１１９】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【０１２０】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【０１２１】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子７０、６１間に形成された接続部８７の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【０１２２】
（ｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【０１２３】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１２５】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子７０、６１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８８中に金属層１２の一部が残存し、封止層８８における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１２６】
（ｖi）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１２７】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、搭載基板５等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１２８】
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１２９】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１３０】
なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１３１】
また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１３２】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
【０１３３】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１３４】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１３５】
（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１３６】
熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１３７】
また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１３８】
また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３９】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４０】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４１】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４２】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１４３】
なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４４】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子７０、６１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８８を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子７０、６１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８７の形成も可能にすることができる。
【０１４５】
以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される封止層８８および補強層８６を構成する構成材料となるものである。
【０１４６】
＜＜金属層１２＞＞
金属層１２は、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
【０１４７】
かかる金属層（金属箔層）１２は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を含む場合、樹脂組成物層１１、１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が還元されるため、溶融状態の金属層１２の濡れ性が向上する。そのため、端子７０、６１との間に選択的に金属層１２が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８７が形成される。
【０１４８】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０における端子７０、６１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４９】
さらに、接続部８７形成後、すなわち端子７０、６１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１５０】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１５１】
このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。
【０１５２】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１５３】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１５４】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられる。
【０１５５】
また、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５６】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５７】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５８】
以上のような構成の金属層１２が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される接続部８７および接続端子８５を構成する構成材料となるものである。
【０１５９】
以上のような構成の導電接続シート１は、半導体装置１０と搭載基板５とを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、本実施形態では、第１の部分１５に対応する金属層１２の厚さが、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さよりも厚くなっているが、かかる点に関する説明は後に行うこととする。
【０１６０】
なお、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子７０、６１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８８を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。
【０１６１】
また、本実施形態では、金属層１２および端子７０、６１に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれていてもよいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。
【０１６２】
＜導電接続シート１の製造方法＞
次に、上述したような構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１６３】
本実施形態の導電接続シートの製造方法は、第２の樹脂組成物層１３と、この第２の樹脂組成物層１３上に形成された金属層１２とを備える導電接続シート形成用シートを得る第１の工程と、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成する第２の工程とを有する。
【０１６４】
以下、各工程について説明する。
［１］第１の工程
まず、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等のシートや、表面がフッ素樹脂やシリコーン樹脂で離型処理された基材等の剥離基材上に、第２の樹脂組成物層１３を形成する。
【０１６５】
この剥離基材上への第２の樹脂組成物層１３の形成は、例えば、以下のようにして行われる。
【０１６６】
（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、剥離基材上に、液状をなす樹脂組成物を供給して液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより第２の樹脂組成物層１３が形成される。
【０１６７】
なお、形成すべき第２の樹脂組成物層１３に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物が供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第２の樹脂組成物層１３を容易に製造することができる。
【０１６８】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、液状の樹脂組成物を直接塗布し、その後、この樹脂組成物を半硬化させつつ巻き取ることにより、第２の樹脂組成物層１３が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１６９】
（ii）２５℃で樹脂組成物が固形状をなす場合
第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で固形状をなす場合、まず、樹脂組成物を有機溶剤に溶解してワニスを得る。そして、このワニスを剥離基材上に供給（塗布）して付着させた後、所定の温度で乾燥させることにより第２の樹脂組成物層１３が形成される。
【０１７０】
なお、形成すべき第２の樹脂組成物層１３に厚さの制御が必要な場合には、ワニスが供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、ワニスをスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第２の樹脂組成物層１３を容易に製造することができる。
【０１７１】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、ワニスを直接塗布し、その後、このワニスを乾燥させつつ巻き取ることにより、第２の樹脂組成物層１３が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１７２】
次に、剥離基材上に形成された第２の樹脂組成物層１３の剥離基材と反対側の面のほぼ全面に、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法（気相成膜法および液相成膜法）により、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さになるまで金属層を形成する。次いで、第１の部分１５に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法により、かかる領域に位置する金属層を、第１の部分１５に対応する金属層１２の厚さになるまで形成することで、第２の部分１６よりも第１の部分１５においてその厚さが厚くなった金属層１２を得ることができる。
【０１７３】
［２］第２の工程
次に、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成する。
【０１７４】
この金属層１２上への第１の樹脂組成物層１１の形成は、例えば、金属層１２上に直接第１の樹脂組成物層１１を形成する場合、前記工程［１］において、剥離基材上に第２の樹脂組成物層１３を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【０１７５】
また、第１の樹脂組成物層１１を、前記工程［１］において剥離基材上に第２の樹脂組成物層１３を形成したのと同様に、剥離基材上に形成した場合には、金属層１２と第１の樹脂組成物層１１とが対向した状態で、これらを熱ロールでラミネートして金属層１２に第１の樹脂組成物層１１を圧着することで、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成することができる。
【０１７６】
なお、本工程［２］に先立って、金属層１２には、第１の樹脂組成物層１１との密着性を高めるため、その表面粗さを向上させることを目的に、エンボス加工を施すようにしてもよい。
【０１７７】
以上のような工程を経て、導電接続シート１を得ることができる。
このような導電接続シート１が、搭載基板５と半導体装置（電子部品）との電気的な接続に用いられるが、以下では、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０を搭載して、搭載基板５と半導体装置１０とを電気的に接続する場合について説明する。
【０１７８】
ここで、搭載基板５と半導体装置１０との電気的な接続は、導電接続シート１を用いて、搭載基板５が有する端子６１と半導体装置１０が有する端子７０との間に接続部８７が形成され、さらに、この接続部８７を取り囲むように封止層８８が形成されて隣接する接続部８７が絶縁されることにより行われるが、これら接続部８７と封止層８８との形成に、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０１７９】
＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、搭載領域６５において、搭載基板５と半導体装置１０との間に接続部８７と封止層８８とを形成することで、これらを電気的に接続する場合について詳述する。
【０１８０】
図４は、本発明の端子間の接続方法を用いて、搭載基板と半導体装置との間に接続部および封止層を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１８１】
以下に説明する接続部８７および封止層８８の形成方法では、導電接続シート１を半導体装置１０が有する端子７０と、搭載基板５に設けられた端子６１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１８２】
なお、接続部８７および封止層８８を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０１８３】
＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体装置１０が有する端子７０と、搭載基板５が有する端子６１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１８４】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体装置１０と、搭載基板５とを用意する。
【０１８５】
次いで、搭載基板５の端子６１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５に、第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように配置する。
【０１８６】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、搭載基板５から突出する端子６１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０１８７】
さらに、この状態を維持したまま、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０が載置されるように、換言すれば、これらが備える端子７０と端子６１とがそれぞれ対向するように、搭載基板５に半導体装置１０を位置あわせする（図４（ａ）参照。）。
【０１８８】
これにより、端子７０と端子６１とがそれぞれ対向した状態で、半導体装置１０と、搭載基板５との間に、導電接続シート１が配置され、搭載領域６５には第１の部分１５が、搭載領域６５以外の領域には第２の部分１６が位置することになる。
【０１８９】
なお、導電接続シート１は、図４（ａ）に示すように、搭載基板５の端子６１側に熱圧着される場合に限らず、半導体装置１０の端子７０側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０１９０】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体装置１０と、端子６１が設けられた搭載基板５との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０１９１】
加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０１９２】
具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０１９３】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体装置１０および搭載基板５等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１９４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０１９５】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子７０、６１間に凝集し易い状態となる。
【０１９６】
さらに、たとえ端子７０、６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子７０、６１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０１９７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子７０、６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８８に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０１９８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子７０、６１間の間に選択的に凝集する。
【０１９９】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２００】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２０１】
換言すれば、端子７０、６１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２０２】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子７０と端子６１とが接続される。
【０２０３】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子７０、６１の間には金属材料で構成される接続部８７が形成され、端子７０と端子６１とが接続部８７を介して電気的に接続される。このとき、接続部８７の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８８が形成される。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子７０、６１間のショートが防止されることとなる。
【０２０４】
また、第１の部分における金属層１２の厚さは、特に限定されるものではなく、対向する端子７０、６１間のギャップ、および隣接する端子間７０、６１の離隔距離等に応じて適宜設定されるが、本実施形態のように、半導体装置１０とこれを搭載する搭載基板５における端子７０、６１間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０２０５】
さらに、第１の部分における金属層１２の厚さをＡ［μｍ］とし、第２の部分における金属層１２の厚さをＢ［μｍ］としたとき、これらの厚さの比であるＢ／Ａは、０．５以下であるのが好ましく、０．２以下であるのがより好ましい。これにより、端子７０、６１間に接続部８７を確実に形成しつつ、封止層８８中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。
【０２０６】
以上のような導電接続シート１を用いた接続部８７および封止層８８の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子７０、６１間で凝集させて接続部８７を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８８を形成することができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子７０、６１間の接続部８７を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２０７】
また、微細な配線回路においても多数の端子７０、６１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２０８】
なお、本工程［２］では、対向する端子７０、６１間の距離を近づけるように、半導体装置１０と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の半導体装置１０と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子７０、６１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子７０、６１間の接続部８７による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２０９】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２１０】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８７と封止層８８とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８８を固定する。
【０２１１】
これにより、端子７０、６１間の接続部８７による電気的信頼性、および、封止層８８による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２１２】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８８の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０２１３】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０２１４】
以上のような工程を経て、搭載領域６５において、半導体装置１０と搭載基板５との間に、接続部８７および封止層８８が形成されることから、半導体装置１０と搭載基板５とが電気的に接続される。
【０２１５】
＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体装置１０と、搭載基板５との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０２１６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、端子７０と端子６１とがそれぞれ対向した状態となるように、半導体装置１０を、端子６１で囲まれた搭載領域６５に対応して載置する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に、第１の部分１５が搭載領域６５に対応するように導電接続シート１を配置する。
【０２１７】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体装置１０と、端子６１が設けられた搭載基板５との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上の温度で加熱する。
【０２１８】
加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２１９】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２２０】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２２１】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されて確実に除去されることになる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子７０、６１間に凝集し易い状態となっている。
【０２２２】
さらに、たとえ端子７０、６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去されているため、その濡れ性が確実に高められている。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子７０、６１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となっている。
【０２２３】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８８に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２２４】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子７０、６１間の間に選択的に凝集する。
【０２２５】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２２６】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２２７】
換言すれば、端子７０、６１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２２８】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子７０と端子６１とが接続される。
【０２２９】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子７０、６１の間には金属材料で構成される接続部８７が形成され、端子７０と端子６１とが接続部８７を介して電気的に接続される。このとき、接続部８７の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８８が形成される。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子７０、６１間のショートが防止されることとなる。
【０２３０】
以上のような接続部８７および封止層８８の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子７０、６１間で凝集させて接続部８７を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８８を形成することができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子７０、６１間の接続部８７を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２３１】
また、微細な配線回路においても多数の端子７０、６１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２３２】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８７と封止層８８とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８８を固定する。
【０２３３】
これにより、端子７０、６１間の接続部８７による電気的信頼性、および、封止層８８による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２３４】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２３５】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８８の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２３６】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８７を確実に形成することができるとともに、封止層８８を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子７０、６１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２３７】
以上のような工程を経て、半導体装置１０と、搭載基板５との間に、接続部８７および封止層８８が形成される。
【０２３８】
なお、第１実施形態および第２実施形態では、搭載基板５に半導体装置１０を搭載するために、これらがそれぞれ備える端子６１と端子７０との間に、接続部８７を形成して、搭載基板５と半導体装置１０とを電気的に接続する場合について説明したが、搭載基板５に搭載する電子部品としては、半導体装置１０に限定されず、例えば、コンデンサー等の電子部品等が挙げられる。
【０２３９】
＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載領域６５において、端子接続部８７と封止層８８とを形成する場合について説明する。
【０２４０】
この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、搭載基板５の搭載領域６５に、端子６１に対応して接続端子８５を形成するともに、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６を形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた搭載基板５の搭載領域６５に、半導体装置１０を接続（実装）することで、半導体装置１０と搭載基板５との間に接続部８７と封止層８８とが形成される。
【０２４１】
以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、搭載領域６５において、搭載基板５の端子６１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。
【０２４２】
図５は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載基板が備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２４３】
以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４４】
なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０２４５】
＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、搭載基板５を用意する。
【０２４７】
次いで、搭載基板５の端子６１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５に、導電接続シート１の第１の部分１５が対応するように配置する。
【０２４８】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、搭載基板５から突出する端子６１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる（図５（ａ）参照。）。
【０２４９】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載基板５上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２５０】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２５１】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２５２】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２５３】
さらに、たとえ端子６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２５４】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２５５】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち硬化性樹脂成分中を移動して端子６１の表面に選択的に凝集する。
【０２５６】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２５７】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２５８】
換言すれば、端子６１の表面に金属材料を選択的に凝集させるべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２５９】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子６１の表面に凝集させることができる。
【０２６０】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子６１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２６１】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子６１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２６２】
また、微細なピッチで複数の端子６１を有する搭載基板５においても端子６１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２６３】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子６１との距離を近づけるように、導電接続シート１と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子６１との距離を一定に制御することができるため、端子６１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２６４】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２６５】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２６６】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５の搭載領域６５に、半導体装置１０を実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０２６７】
以上のように、導電接続シート１を用いて搭載基板５上の搭載領域６５に形成された端子６１に対応して接続端子８５を形成する場合、導電接続シート１の第１の部分１５が搭載領域６５に対応し、第２の部分１６が搭載領域６５以外の領域に対応するように、導電接続シート１を搭載基板５上に配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子６１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２６８】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５上に、搭載領域６５に対応するように、半導体装置１０を配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、搭載基板５と半導体装置１０との間に、接続部８７と封止層８８とが形成され、その結果、搭載基板５と半導体装置１０とが電気的に接続される。
【０２６９】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８８を固定する。これにより、接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２７０】
＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２７１】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着（配置）させる。
【０２７２】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載基板５上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２７３】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２７４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２７５】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２７６】
さらに、たとえ端子６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２７７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２７８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち熱可塑性樹脂成分中を移動して端子６１の表面に選択的に凝集する。
【０２７９】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２８０】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２８１】
換言すれば、端子６１の表面に金属材料を選択的に凝集させるべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２８２】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子６１の表面に凝集させることができる。
【０２８３】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子６１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２８４】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子６１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２８５】
また、微細なピッチで複数の端子６１を有する搭載基板５においても端子６１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２８６】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子６１との距離を近づけるように、導電接続シート１と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子６１との距離を一定に制御することができるため、端子６１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２８７】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２８８】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２８９】
以上のように、導電接続シート１を用いて搭載基板５の端子６１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子６１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２９０】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５上に、搭載領域６５に対応するように、半導体装置１０を配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、搭載基板５と半導体装置１０との間に、接続部８７と封止層８８とが形成され、その結果、搭載基板５と半導体装置１０とが電気的に接続される。
【０２９１】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、熱可塑性樹脂成分が含まれるため、前記のように冷却することで熱可塑性樹脂組成物を固化させることができ、これにより、封止層８８が固定されるため、接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２９２】
以上のような工程を経て、搭載基板５上の搭載領域６５において、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。
【０２９３】
なお、前記第１〜第４実施形態では、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０を搭載する場合について説明したが、搭載基板５の搭載領域６６、６７においても、半導体装置１０とは異なる半導体装置が搭載される。この場合、各搭載領域６６、６７に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さは、搭載領域６５に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さと、同様であってもよいが、異なっているのが好ましい。すなわち、各搭載領域６６、６７に搭載する半導体装置の種類に応じて、各搭載領域６６、６７に位置する金属層１２の厚さを設定するのが好ましい。例えば、本実施形態では、前述したように、搭載領域６５には端子６１が１４個設けられ、搭載領域６７には端子６３が１８個設けられており、各領域に搭載する半導体装置もこれと同数の端子を備えている場合では、半導体装置が備える端子と搭載基板５が備える端子６との間に接続部を形成するために、搭載領域６５への半導体装置１０の搭載よりも、搭載領域６７への半導体装置の搭載の方が、より多くの金属材料を必要とする。そのため、搭載領域６７に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さは、搭載領域６５に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さよりも厚くなっているのが好ましい。これにより、搭載領域６７に半導体装置を搭載する際に、半導体装置が有する端子と端子６３との間に十分量の金属材料を供給することができるので、搭載領域６７において搭載基板５と半導体装置とをより確実に電気的に接続することができる。
【０２９４】
また、前記第１〜第４実施形態では、半導体装置１０と搭載基板５との間に、図２に示した導電接続シート１を配置して接続部８７および封止層８８を形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような構成の導電接続シート１’を用いることができる。
【０２９５】
図６は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図、図７は、他の構成例の導電接続シートが備える金属層の第２の部分における構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２９６】
以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１’について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２９７】
導電接続シート１’では、このものが備える金属層１２の第２の部分１６における構成がことなること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２９８】
すなわち、導電接続シート１’では、第２の部分１６において、金属層１２の厚さが第１の部分１５の厚さよりも薄くなっているのに代えて、図６に示すように、金属層１２が部分的に設けられていること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２９９】
かかる構成とすることによっても、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量を、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くすることができる。
【０３００】
したがって、かかる構成の導電接続シート１’によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８７および接続端子８５を形成することができる。
【０３０１】
なお、金属層１２は、第２の部分において、平面視で部分的に形成されていればよく、その形状は特に限定されず、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０３０２】
具体的には、図７に示すように、例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３０３】
なお、本構成では、第２の部分１６において金属層１２が部分的に設けられ、第１の部分１５において金属層１２が部分的に設けられることなく均一な厚さのシート状をなしているものとして説明したが、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっている限りにおいては、第１の部分１５における金属層１２も、第２の部分１６における金属層１２と同様に、部分的に設けられていてもよい。また、第１の部分１５における金属層１２の形状も、特に限定されず、例えば、図７に示した形状が挙げられる。
【０３０４】
また、繰り返しパターン状の金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、平面状に形成した金属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチング等により所定のパターンを形成する方法、また、遮蔽板やマスク等を使用することにより蒸着、スパッタ、めっき等で形成する方法等が挙げられる。
【０３０５】
なお、本実施形態では、導電接続シート１、１’が、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３がこの順に積層された三層構造をなす積層体で構成される場合について説明したが、本発明の導電シートが備える積層体としては、かかる構成のものに限定されず、例えば、第１の樹脂組成物層１１上にこれとは異なる組成の第３の樹脂組成物層を備える四層構造をなすものであってもよいし、さらに、第１の樹脂組成物層１１と第３の樹脂組成物層との間に金属層１２と同様の構成をなす第２の金属層を備える五層構造をなすものであってもよい。
【０３０６】
また、本実施形態では、導電接続シート１、１’の第２の部分１６において、第１の部分１５よりも、金属層１２の厚さが薄くなること、または金属層１２が部分的に設けられていることで、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっているが、かかる構成に限定されず、例えば、これらの構成を組み合わせるようにしてもよい。さらに、例えば、搭載基板に搭載する半導体装置同士の離間距離が大きい場合には、これらの間では金属材料が不要となるため、これら半導体装置間に対応する第２の部分では、金属層１２の形成を省略することができる。
【０３０７】
また、本発明の導電接続シートを用いて電気的に接続された半導体装置１０が搭載された搭載基板５は、端子６４を介して外部部材（外部機器）と電気的に接続することで各種電子機器に組み込まれるが、この電子機器としては、特に限定されず、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子辞書、電卓および電子ゲーム機器等が挙げられる。
【０３０８】
以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０３０９】
例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０３１０】
また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【０３１１】
１、１’ 導電接続シート
１０ 半導体装置
１１ 第１の樹脂組成物層
１２ 金属層
１３ 第２の樹脂組成物層
１５ 第１の部分
１６ 第２の部分
２０ 半導体チップ
２１ 端子
３０ インターポーザー
４１ 端子
５ 搭載基板
５０ 基板
６、６１、６２、６３、６４ 端子
６５、６６、６７ 搭載領域
７０ 端子
８０、８８ 封止層
８１、８７ 接続部
８５ 接続端子
８６ 補強層
９、９１、９２、９３ 配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板（搭載基板）に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００４】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００５】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００６】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【０００９】
かかる構成の導電接続シートを、電子部品と搭載基板との間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に電子部品および回路基板がそれぞれ有する端子同士間に凝集し、この端子間以外の領域には樹脂成分が充填されることから、電子部品と回路基板とが有する複数の端子同士間を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性を確保することができるようになる。
【００１０】
しかしながら、かかる構成の導電接続シートでは、搭載基板上に電子部品が搭載される領域では、上述したように、これらが備える端子同士間に金属層に由来する金属材料を選択的に凝集させて、端子同士間を電気的に接続することができるものの、搭載基板上の電子部品が搭載されない領域では、金属材料を凝集させるべき端子が存在しないことから、樹脂成分中に金属材料が残存し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、電子部品と搭載基板とが有する端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（２０）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられる導電接続シートであって、
前記電子部品と前記搭載基板とを電気的に接続する際に、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量が、前記第２の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする導電接続シート。
【００１３】
（２） 前記搭載基板には、複数の前記電子部品が搭載される上記（１）に記載の導電接続シート。
【００１４】
（３） 前記第１の部分において、前記金属層の厚さが、前記第２の部分における金属層の厚さより厚くなっている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。
【００１５】
（４） 前記第２の部分において、前記金属層が部分的に設けられている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１６】
（５） 前記搭載基板および前記電子部品は、ともに端子を有し、当該導電接続シートを用いて形成された接続部を介して前記端子同士が電気的に接続される上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１７】
（６） 前記樹脂組成物層は、前記樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１８】
（７） 前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する上記（６）に記載の導電接続シート。
【００１９】
（８） 前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物を含有する上記（６）または（７）に記載の導電接続シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）ｎ−ＣＯＯＨ・・・・・（１）
（式（１）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
【００２０】
（９） 前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（２）および下記一般式（３）で表わされる化合物のうちの少なくとも一方を含有する上記（６）または（７）に記載の導電接続シート。
【化１】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【化２】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【００２１】
（１０） 前記樹脂組成物において、前記フラックス機能を有する化合物の含有量は、１〜５０重量％である上記（６）ないし（９）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２２】
（１１） 前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２３】
（１２） 前記金属層は、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される上記（１１）に記載の導電接続シート。
【００２４】
（１３） 前記金属層は、Ｓｎ−３７Ｐｂ合金またはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金を主材料として構成される上記（１２）に記載の導電接続シート。
【００２５】
（１４） 前記積層体は、２つの前記樹脂組成物層および１つの前記金属層で構成され、前記樹脂組成物層、金属層および前記樹脂組成物層がこの順で積層されたものである上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２６】
（１５） 前記電子部品は、半導体装置である上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２７】
（１６） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２８】
（１７） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２９】
（１８） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００３０】
（１９） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００３１】
（２０） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて電気的に接続された前記電子部品と前記搭載基板とを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、電子部品と搭載基板との間に配置される第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００３３】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を選択的に電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の導電接続シートを用いて搭載基板に電気的に接続される半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の導電接続シートを用いて半導体装置を電気的に接続する搭載基板の一例を示す平面図である。
【図３】本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の端子間の接続方法を用いて、搭載基板と半導体装置との間に接続部および封止層を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載基板が備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図６】本発明の導電接続シートの他の構成を示す縦断面図である。
【図７】他の構成例の導電接続シートが備える金属層の第２の部分における構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて電気的に接合すべき半導体装置（電子部品）と、この半導体装置を搭載する搭載基板について説明する。
【００３７】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて搭載基板に電気的に接続される半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３８】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有する端子７０とを有している。
【００３９】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００４０】
インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。
【００４１】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００４２】
各端子７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
この端子７０は、例えば、端子４１と同様に、銅等の導電性金属材料で構成される。
【００４３】
また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成される接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。
【００４４】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。
【００４５】
＜搭載基板＞
図２は、本発明の導電接続シートを用いて半導体装置を電気的に接続する搭載基板の一例を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す搭載基板５は、基板５０と端子６と配線９とを有している。
【００４６】
基板５０は、この上に設けられた端子６、配線９および搭載基板５に搭載される半導体装置１０等の各種部品を支持するための支持体である。
【００４７】
基板５０の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリイミド等の基材からなるフレキシブル基板、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の熱硬化性樹脂を繊維基材に含浸させた基材を含むリジッド基板が挙げられる。
基板５０上には、端子６と、この端子６に電気的に接続する配線９が設けられている。
【００４８】
端子６は、端子６１、端子６２、端子６３および端子６４で構成される。これらのうち、端子６１、６２、６３は、それぞれ、半導体装置を接続（実装）するための端子を構成し、さらに、端子６４は、外部部材との接続を行うための端子を構成する。
【００４９】
半導体装置を接続するための端子６１、６２、６３は、それぞれ、基板５０上に複数個（本実施形態では、端子６１、６２がそれぞれ１４個、端子６３が１８個）設けられている。これらの端子６１、６２、６３は、基板５０上に、それぞれ四角形状をなすように配置されており、各端子６１、６２、６３で取り囲まれる領域により半導体装置を搭載（実装）する搭載領域６５、６６、６７が構成される。
【００５０】
また、配線９は、配線９１、配線９２および配線９３で構成されている。これらのうち、配線９１は、外部部材と半導体装置とを接続し、配線９２は、半導体装置同士を接続し、さらに、配線９３は、半導体装置と、基板５０上に設けられた他の部材（図示せず）とを接続する。
【００５１】
端子６および配線９の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、または、これらを含む合金等が挙げられる。
【００５２】
このような構成の搭載基板５において、搭載領域６５、６６、６７に半導体装置が搭載され、本実施形態では、搭載領域６５に半導体装置１０が搭載される。
【００５３】
この搭載基板５に対する半導体装置の搭載、すなわち搭載基板５と半導体装置との電気的な接続に、本発明の導電接続シートが用いられる。
【００５４】
換言すれば、本発明の導電接続シートを用いた、後述する本発明の端子間の接続方法により、図４に示す接続部８７および封止層８８が形成され、さらに、後述する本発明の接続端子の形成方法により、図５に示す接続端子８５および補強層８６が形成される。
【００５５】
以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
＜導電接続シート＞
図３は、本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図であり、より詳しくは、本発明の導電接続シートを半導体装置と搭載基板との間に配置した際の図２中のＡ−Ａ線における縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５６】
本発明の導電接続シートは、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられるものであり、半導体装置（電子部品）と搭載基板とを電気的に接続する際に、半導体装置と搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、第１の部分に対応する金属層を構成する金属材料の量が、第２の部分に対応する金属層を構成する金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする。
【００５７】
このような導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、電子部品と搭載基板との間に配置される第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５８】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を選択的に電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００５９】
本実施形態では、導電接続シート１は、図３に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体、すなわち、第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との間で金属層１２がこれらに互いに接合する構成を有する三層構造をなす積層体で構成されるものであり、半導体装置１０と搭載基板５とを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなるものである。
【００６０】
かかる構成の導電接続シート１において、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成され、金属層１２が、低融点の金属材料で構成された金属箔で構成され、第１の部分１５に対応するこの金属層１２の厚さが、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さよりも厚くなっている。
【００６１】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。
【００６２】
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、本実施形態では、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成される。
【００６３】
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００６４】
樹脂組成物は、樹脂成分を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００６５】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００６６】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００６７】
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００６８】
また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６９】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。
【００７０】
このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００７２】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００７３】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００７４】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００７５】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００７６】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００７７】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００７８】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７９】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００８０】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００８１】
（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。
【００８２】
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００８３】
具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００８４】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００８５】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。
【００８６】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００８７】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００８８】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８９】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９０】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００９１】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００９２】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００９３】
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００９４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００９５】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層（導電接続材料）１１を容易に取り扱うことが可能となる。
【００９６】
（iii）フラックス機能を有する化合物
硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、端子７０、６１および金属層１２に形成された表面酸化膜を還元する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、接続部および封止層の形成方法で詳述するように、たとえ、端子７０、６１および金属層１２の表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集することとなる。
【００９７】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。
【００９８】
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９９】
また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。
【０１０１】
芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。
【０１０２】
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【０１０３】
【化４】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【０１０４】
このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−２−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０５】
このようなフラックス機能を有する化合物は、金属層１２と端子７０、６１とが電気的に接続し得るように、金属層１２および端子７０、６１の表面酸化膜を還元する作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
【０１０６】
このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には金属層１２および端子７０、６１に形成された表面酸化膜を還元してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８７を容易に形成し、端子７０、６１間を電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部８７により端子７０、６１間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。
【０１０７】
このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
【０１０８】
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１０９】
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、搭載基板５等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。
【０１１０】
また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。
【０１１１】
さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。
【０１１２】
上述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
【０１１３】
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
【０１１４】
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【０１１５】
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１６】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１７】
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層１２および端子７０、６１の表面酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１１８】
（iｖ）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１１９】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【０１２０】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【０１２１】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子７０、６１間に形成された接続部８７の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【０１２２】
（ｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【０１２３】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１２５】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子７０、６１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８８中に金属層１２の一部が残存し、封止層８８における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１２６】
（ｖi）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１２７】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、搭載基板５等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１２８】
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１２９】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１３０】
なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１３１】
また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１３２】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
【０１３３】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１３４】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１３５】
（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１３６】
熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１３７】
また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１３８】
また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３９】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４０】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１４１】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４２】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１４３】
なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子７０、６１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４４】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子７０、６１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８８を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子７０、６１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８７の形成も可能にすることができる。
【０１４５】
以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される封止層８８および補強層８６を構成する構成材料となるものである。
【０１４６】
＜＜金属層１２＞＞
金属層１２は、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
【０１４７】
かかる金属層（金属箔層）１２は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を含む場合、樹脂組成物層１１、１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が還元されるため、溶融状態の金属層１２の濡れ性が向上する。そのため、端子７０、６１との間に選択的に金属層１２が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８７が形成される。
【０１４８】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０における端子７０、６１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４９】
さらに、接続部８７形成後、すなわち端子７０、６１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１５０】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１５１】
このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。
【０１５２】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１５３】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１５４】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられる。
【０１５５】
また、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５６】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５７】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５８】
以上のような構成の金属層１２が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される接続部８７および接続端子８５を構成する構成材料となるものである。
【０１５９】
以上のような構成の導電接続シート１は、半導体装置１０と搭載基板５とを電気的に接続する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、本実施形態では、第１の部分１５に対応する金属層１２の厚さが、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さよりも厚くなっているが、かかる点に関する説明は後に行うこととする。
【０１６０】
なお、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子７０、６１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８８を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。
【０１６１】
また、本実施形態では、金属層１２および端子７０、６１に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれていてもよいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。
【０１６２】
＜導電接続シート１の製造方法＞
次に、上述したような構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１６３】
本実施形態の導電接続シートの製造方法は、第２の樹脂組成物層１３と、この第２の樹脂組成物層１３上に形成された金属層１２とを備える導電接続シート形成用シートを得る第１の工程と、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成する第２の工程とを有する。
【０１６４】
以下、各工程について説明する。
［１］第１の工程
まず、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等のシートや、表面がフッ素樹脂やシリコーン樹脂で離型処理された基材等の剥離基材上に、第２の樹脂組成物層１３を形成する。
【０１６５】
この剥離基材上への第２の樹脂組成物層１３の形成は、例えば、以下のようにして行われる。
【０１６６】
（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、剥離基材上に、液状をなす樹脂組成物を供給して液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより第２の樹脂組成物層１３が形成される。
【０１６７】
なお、形成すべき第２の樹脂組成物層１３に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物が供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第２の樹脂組成物層１３を容易に製造することができる。
【０１６８】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、液状の樹脂組成物を直接塗布し、その後、この樹脂組成物を半硬化させつつ巻き取ることにより、第２の樹脂組成物層１３が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１６９】
（ii）２５℃で樹脂組成物が固形状をなす場合
第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で固形状をなす場合、まず、樹脂組成物を有機溶剤に溶解してワニスを得る。そして、このワニスを剥離基材上に供給（塗布）して付着させた後、所定の温度で乾燥させることにより第２の樹脂組成物層１３が形成される。
【０１７０】
なお、形成すべき第２の樹脂組成物層１３に厚さの制御が必要な場合には、ワニスが供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、ワニスをスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第２の樹脂組成物層１３を容易に製造することができる。
【０１７１】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、ワニスを直接塗布し、その後、このワニスを乾燥させつつ巻き取ることにより、第２の樹脂組成物層１３が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１７２】
次に、剥離基材上に形成された第２の樹脂組成物層１３の剥離基材と反対側の面のほぼ全面に、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法（気相成膜法および液相成膜法）により、第２の部分１６に対応する金属層１２の厚さになるまで金属層を形成する。次いで、第１の部分１５に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法により、かかる領域に位置する金属層を、第１の部分１５に対応する金属層１２の厚さになるまで形成することで、第２の部分１６よりも第１の部分１５においてその厚さが厚くなった金属層１２を得ることができる。
【０１７３】
［２］第２の工程
次に、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成する。
【０１７４】
この金属層１２上への第１の樹脂組成物層１１の形成は、例えば、金属層１２上に直接第１の樹脂組成物層１１を形成する場合、前記工程［１］において、剥離基材上に第２の樹脂組成物層１３を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【０１７５】
また、第１の樹脂組成物層１１を、前記工程［１］において剥離基材上に第２の樹脂組成物層１３を形成したのと同様に、剥離基材上に形成した場合には、金属層１２と第１の樹脂組成物層１１とが対向した状態で、これらを熱ロールでラミネートして金属層１２に第１の樹脂組成物層１１を圧着することで、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１１を形成することができる。
【０１７６】
なお、本工程［２］に先立って、金属層１２には、第１の樹脂組成物層１１との密着性を高めるため、その表面粗さを向上させることを目的に、エンボス加工を施すようにしてもよい。
【０１７７】
以上のような工程を経て、導電接続シート１を得ることができる。
このような導電接続シート１が、搭載基板５と半導体装置（電子部品）との電気的な接続に用いられるが、以下では、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０を搭載して、搭載基板５と半導体装置１０とを電気的に接続する場合について説明する。
【０１７８】
ここで、搭載基板５と半導体装置１０との電気的な接続は、導電接続シート１を用いて、搭載基板５が有する端子６１と半導体装置１０が有する端子７０との間に接続部８７が形成され、さらに、この接続部８７を取り囲むように封止層８８が形成されて隣接する接続部８７が絶縁されることにより行われるが、これら接続部８７と封止層８８との形成に、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０１７９】
＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、搭載領域６５において、搭載基板５と半導体装置１０との間に接続部８７と封止層８８とを形成することで、これらを電気的に接続する場合について詳述する。
【０１８０】
図４は、本発明の端子間の接続方法を用いて、搭載基板と半導体装置との間に接続部および封止層を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１８１】
以下に説明する接続部８７および封止層８８の形成方法では、導電接続シート１を半導体装置１０が有する端子７０と、搭載基板５に設けられた端子６１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１８２】
なお、接続部８７および封止層８８を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０１８３】
＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体装置１０が有する端子７０と、搭載基板５が有する端子６１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１８４】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体装置１０と、搭載基板５とを用意する。
【０１８５】
次いで、搭載基板５の端子６１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５に、第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように配置する。
【０１８６】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、搭載基板５から突出する端子６１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０１８７】
さらに、この状態を維持したまま、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０が載置されるように、換言すれば、これらが備える端子７０と端子６１とがそれぞれ対向するように、搭載基板５に半導体装置１０を位置あわせする（図４（ａ）参照。）。
【０１８８】
これにより、端子７０と端子６１とがそれぞれ対向した状態で、半導体装置１０と、搭載基板５との間に、導電接続シート１が配置され、搭載領域６５には第１の部分１５が、搭載領域６５以外の領域には第２の部分１６が位置することになる。
【０１８９】
なお、導電接続シート１は、図４（ａ）に示すように、搭載基板５の端子６１側に熱圧着される場合に限らず、半導体装置１０の端子７０側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０１９０】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体装置１０と、端子６１が設けられた搭載基板５との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０１９１】
加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０１９２】
具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０１９３】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体装置１０および搭載基板５等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１９４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０１９５】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子７０、６１間に凝集し易い状態となる。
【０１９６】
さらに、たとえ端子７０、６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子７０、６１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０１９７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子７０、６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８８に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０１９８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子７０、６１間の間に選択的に凝集する。
【０１９９】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２００】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２０１】
換言すれば、端子７０、６１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２０２】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子７０と端子６１とが接続される。
【０２０３】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子７０、６１の間には金属材料で構成される接続部８７が形成され、端子７０と端子６１とが接続部８７を介して電気的に接続される。このとき、接続部８７の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８８が形成される。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子７０、６１間のショートが防止されることとなる。
【０２０４】
また、第１の部分における金属層１２の厚さは、特に限定されるものではなく、対向する端子７０、６１間のギャップ、および隣接する端子間７０、６１の離隔距離等に応じて適宜設定されるが、本実施形態のように、半導体装置１０とこれを搭載する搭載基板５における端子７０、６１間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子７０、６１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子７０、６１間で接続部８７によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０２０５】
さらに、第１の部分における金属層１２の厚さをＡ［μｍ］とし、第２の部分における金属層１２の厚さをＢ［μｍ］としたとき、これらの厚さの比であるＢ／Ａは、０．５以下であるのが好ましく、０．２以下であるのがより好ましい。これにより、端子７０、６１間に接続部８７を確実に形成しつつ、封止層８８中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。
【０２０６】
以上のような導電接続シート１を用いた接続部８７および封止層８８の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子７０、６１間で凝集させて接続部８７を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８８を形成することができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子７０、６１間の接続部８７を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２０７】
また、微細な配線回路においても多数の端子７０、６１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２０８】
なお、本工程［２］では、対向する端子７０、６１間の距離を近づけるように、半導体装置１０と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の半導体装置１０と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子７０、６１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子７０、６１間の接続部８７による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２０９】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２１０】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８７と封止層８８とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８８を固定する。
【０２１１】
これにより、端子７０、６１間の接続部８７による電気的信頼性、および、封止層８８による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２１２】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８８の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０２１３】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０２１４】
以上のような工程を経て、搭載領域６５において、半導体装置１０と搭載基板５との間に、接続部８７および封止層８８が形成されることから、半導体装置１０と搭載基板５とが電気的に接続される。
【０２１５】
＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体装置１０と、搭載基板５との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０２１６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、端子７０と端子６１とがそれぞれ対向した状態となるように、半導体装置１０を、端子６１で囲まれた搭載領域６５に対応して載置する際に、半導体装置１０と搭載基板５との間に、第１の部分１５が搭載領域６５に対応するように導電接続シート１を配置する。
【０２１７】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体装置１０と、端子６１が設けられた搭載基板５との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上の温度で加熱する。
【０２１８】
加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２１９】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２２０】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２２１】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されて確実に除去されることになる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子７０、６１間に凝集し易い状態となっている。
【０２２２】
さらに、たとえ端子７０、６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去されているため、その濡れ性が確実に高められている。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子７０、６１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となっている。
【０２２３】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８８に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２２４】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子７０、６１間の間に選択的に凝集する。
【０２２５】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２２６】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２２７】
換言すれば、端子７０、６１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２２８】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子７０、６１同士の間に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子７０と端子６１とが接続される。
【０２２９】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子７０、６１の間には金属材料で構成される接続部８７が形成され、端子７０と端子６１とが接続部８７を介して電気的に接続される。このとき、接続部８７の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８８が形成される。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子７０、６１間のショートが防止されることとなる。
【０２３０】
以上のような接続部８７および封止層８８の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子７０、６１間で凝集させて接続部８７を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８８を形成することができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子７０、６１間の接続部８７を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２３１】
また、微細な配線回路においても多数の端子７０、６１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２３２】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８７と封止層８８とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８８を固定する。
【０２３３】
これにより、端子７０、６１間の接続部８７による電気的信頼性、および、封止層８８による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２３４】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２３５】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８８の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２３６】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８７を確実に形成することができるとともに、封止層８８を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子７０、６１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子７０、６１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２３７】
以上のような工程を経て、半導体装置１０と、搭載基板５との間に、接続部８７および封止層８８が形成される。
【０２３８】
なお、第１実施形態および第２実施形態では、搭載基板５に半導体装置１０を搭載するために、これらがそれぞれ備える端子６１と端子７０との間に、接続部８７を形成して、搭載基板５と半導体装置１０とを電気的に接続する場合について説明したが、搭載基板５に搭載する電子部品としては、半導体装置１０に限定されず、例えば、コンデンサー等の電子部品等が挙げられる。
【０２３９】
＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載領域６５において、端子接続部８７と封止層８８とを形成する場合について説明する。
【０２４０】
この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、搭載基板５の搭載領域６５に、端子６１に対応して接続端子８５を形成するともに、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６を形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた搭載基板５の搭載領域６５に、半導体装置１０を接続（実装）することで、半導体装置１０と搭載基板５との間に接続部８７と封止層８８とが形成される。
【０２４１】
以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、搭載領域６５において、搭載基板５の端子６１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。
【０２４２】
図５は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、搭載基板が備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２４３】
以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４４】
なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０２４５】
＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、搭載基板５を用意する。
【０２４７】
次いで、搭載基板５の端子６１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５に、導電接続シート１の第１の部分１５が対応するように配置する。
【０２４８】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、搭載基板５から突出する端子６１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる（図５（ａ）参照。）。
【０２４９】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載基板５上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２５０】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２５１】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２５２】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２５３】
さらに、たとえ端子６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２５４】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２５５】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち硬化性樹脂成分中を移動して端子６１の表面に選択的に凝集する。
【０２５６】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２５７】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２５８】
換言すれば、端子６１の表面に金属材料を選択的に凝集させるべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２５９】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子６１の表面に凝集させることができる。
【０２６０】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子６１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２６１】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子６１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２６２】
また、微細なピッチで複数の端子６１を有する搭載基板５においても端子６１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２６３】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子６１との距離を近づけるように、導電接続シート１と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子６１との距離を一定に制御することができるため、端子６１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２６４】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２６５】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２６６】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５の搭載領域６５に、半導体装置１０を実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０２６７】
以上のように、導電接続シート１を用いて搭載基板５上の搭載領域６５に形成された端子６１に対応して接続端子８５を形成する場合、導電接続シート１の第１の部分１５が搭載領域６５に対応し、第２の部分１６が搭載領域６５以外の領域に対応するように、導電接続シート１を搭載基板５上に配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子６１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２６８】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５上に、搭載領域６５に対応するように、半導体装置１０を配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、搭載基板５と半導体装置１０との間に、接続部８７と封止層８８とが形成され、その結果、搭載基板５と半導体装置１０とが電気的に接続される。
【０２６９】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８８を固定する。これにより、接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２７０】
＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、搭載基板５上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２７１】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、導電接続シート１を搭載基板５の端子６１側の面に熱圧着（配置）させる。
【０２７２】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載基板５上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２７３】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２７４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２７５】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２７６】
さらに、たとえ端子６１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子６１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２７７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子６１の表面に凝集する際に、その一部が端子６１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２７８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち熱可塑性樹脂成分中を移動して端子６１の表面に選択的に凝集する。
【０２７９】
このとき、本実施形態では、半導体装置１０を搭載すべき搭載領域６５には第２の部分よりも金属層１２の厚さが厚くなっている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する領域には第１の部分が対応し、それ以外の領域には第２の部分が対応するように、搭載基板５上に導電接続シート１が配置されている。
【０２８０】
このことから、搭載基板５と半導体装置１０との間に対応する搭載領域６５では、金属層１２を構成する金属材料の量が多くなり、それ以外の領域では、金属層１２を構成する金属材料の量が少なくなる。
【０２８１】
換言すれば、端子６１の表面に金属材料を選択的に凝集させるべき搭載領域６５では金属材料の量が多くなり、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき領域（搭載領域６５以外の領域）では金属材料の量が少なくなる。
【０２８２】
そのため、搭載領域６５には十分量の金属材料を供給し、かつ、それ以外の領域には不要な金属材料が供給されるのを的確に防止または抑制できることから、凝集する金属材料をより高い選択性をもって、端子６１の表面に凝集させることができる。
【０２８３】
以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子６１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２８４】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子６１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２８５】
また、微細なピッチで複数の端子６１を有する搭載基板５においても端子６１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２８６】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子６１との距離を近づけるように、導電接続シート１と搭載基板５とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と搭載基板５とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子６１との距離を一定に制御することができるため、端子６１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２８７】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２８８】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２８９】
以上のように、導電接続シート１を用いて搭載基板５の端子６１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子６１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２９０】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた搭載基板５上に、搭載領域６５に対応するように、半導体装置１０を配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、搭載基板５と半導体装置１０との間に、接続部８７と封止層８８とが形成され、その結果、搭載基板５と半導体装置１０とが電気的に接続される。
【０２９１】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、熱可塑性樹脂成分が含まれるため、前記のように冷却することで熱可塑性樹脂組成物を固化させることができ、これにより、封止層８８が固定されるため、接続部８７および封止層８８の機械的強度を高めることができる。
【０２９２】
以上のような工程を経て、搭載基板５上の搭載領域６５において、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。
【０２９３】
なお、前記第１〜第４実施形態では、搭載基板５の搭載領域６５に半導体装置１０を搭載する場合について説明したが、搭載基板５の搭載領域６６、６７においても、半導体装置１０とは異なる半導体装置が搭載される。この場合、各搭載領域６６、６７に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さは、搭載領域６５に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さと、同様であってもよいが、異なっているのが好ましい。すなわち、各搭載領域６６、６７に搭載する半導体装置の種類に応じて、各搭載領域６６、６７に位置する金属層１２の厚さを設定するのが好ましい。例えば、本実施形態では、前述したように、搭載領域６５には端子６１が１４個設けられ、搭載領域６７には端子６３が１８個設けられており、各領域に搭載する半導体装置もこれと同数の端子を備えている場合では、半導体装置が備える端子と搭載基板５が備える端子６との間に接続部を形成するために、搭載領域６５への半導体装置１０の搭載よりも、搭載領域６７への半導体装置の搭載の方が、より多くの金属材料を必要とする。そのため、搭載領域６７に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さは、搭載領域６５に対応する導電接続シート１の金属層１２の厚さよりも厚くなっているのが好ましい。これにより、搭載領域６７に半導体装置を搭載する際に、半導体装置が有する端子と端子６３との間に十分量の金属材料を供給することができるので、搭載領域６７において搭載基板５と半導体装置とをより確実に電気的に接続することができる。
【０２９４】
また、前記第１〜第４実施形態では、半導体装置１０と搭載基板５との間に、図２に示した導電接続シート１を配置して接続部８７および封止層８８を形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような構成の導電接続シート１’を用いることができる。
【０２９５】
図６は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図、図７は、他の構成例の導電接続シートが備える金属層の第２の部分における構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２９６】
以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１’について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２９７】
導電接続シート１’では、このものが備える金属層１２の第２の部分１６における構成がことなること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２９８】
すなわち、導電接続シート１’では、第２の部分１６において、金属層１２の厚さが第１の部分１５の厚さよりも薄くなっているのに代えて、図６に示すように、金属層１２が部分的に設けられていること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０２９９】
かかる構成とすることによっても、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量を、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くすることができる。
【０３００】
したがって、かかる構成の導電接続シート１’によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８７および接続端子８５を形成することができる。
【０３０１】
なお、金属層１２は、第２の部分において、平面視で部分的に形成されていればよく、その形状は特に限定されず、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０３０２】
具体的には、図７に示すように、例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３０３】
なお、本構成では、第２の部分１６において金属層１２が部分的に設けられ、第１の部分１５において金属層１２が部分的に設けられることなく均一な厚さのシート状をなしているものとして説明したが、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっている限りにおいては、第１の部分１５における金属層１２も、第２の部分１６における金属層１２と同様に、部分的に設けられていてもよい。また、第１の部分１５における金属層１２の形状も、特に限定されず、例えば、図７に示した形状が挙げられる。
【０３０４】
また、繰り返しパターン状の金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、平面状に形成した金属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチング等により所定のパターンを形成する方法、また、遮蔽板やマスク等を使用することにより蒸着、スパッタ、めっき等で形成する方法等が挙げられる。
【０３０５】
なお、本実施形態では、導電接続シート１、１’が、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３がこの順に積層された三層構造をなす積層体で構成される場合について説明したが、本発明の導電シートが備える積層体としては、かかる構成のものに限定されず、例えば、第１の樹脂組成物層１１上にこれとは異なる組成の第３の樹脂組成物層を備える四層構造をなすものであってもよいし、さらに、第１の樹脂組成物層１１と第３の樹脂組成物層との間に金属層１２と同様の構成をなす第２の金属層を備える五層構造をなすものであってもよい。
【０３０６】
また、本実施形態では、導電接続シート１、１’の第２の部分１６において、第１の部分１５よりも、金属層１２の厚さが薄くなること、または金属層１２が部分的に設けられていることで、第１の部分１５に対応する金属層１２を構成する金属材料の量が、第２の部分１６に対応する金属層１２を構成する金属材料の量よりも多くなっているが、かかる構成に限定されず、例えば、これらの構成を組み合わせるようにしてもよい。さらに、例えば、搭載基板に搭載する半導体装置同士の離間距離が大きい場合には、これらの間では金属材料が不要となるため、これら半導体装置間に対応する第２の部分では、金属層１２の形成を省略することができる。
【０３０７】
また、本発明の導電接続シートを用いて電気的に接続された半導体装置１０が搭載された搭載基板５は、端子６４を介して外部部材（外部機器）と電気的に接続することで各種電子機器に組み込まれるが、この電子機器としては、特に限定されず、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子辞書、電卓および電子ゲーム機器等が挙げられる。
【０３０８】
以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０３０９】
例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０３１０】
また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【０３１１】
１、１’ 導電接続シート
１０ 半導体装置
１１ 第１の樹脂組成物層
１２ 金属層
１３ 第２の樹脂組成物層
１５ 第１の部分
１６ 第２の部分
２０ 半導体チップ
２１ 端子
３０ インターポーザー
４１ 端子
５ 搭載基板
５０ 基板
６、６１、６２、６３、６４ 端子
６５、６６、６７ 搭載領域
７０ 端子
８０、８８ 封止層
８１、８７ 接続部
８５ 接続端子
８６ 補強層
９、９１、９２、９３ 配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられる導電接続シートであって、
前記電子部品と前記搭載基板とを電気的に接続する際に、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量が、前記第２の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする導電接続シート。
【請求項２】
前記搭載基板には、複数の前記電子部品が搭載される請求項１に記載の導電接続シート。
【請求項３】
前記第１の部分において、前記金属層の厚さが、前記第２の部分における金属層の厚さより厚くなっている請求項１または２に記載の導電接続シート。
【請求項４】
前記第２の部分において、前記金属層が部分的に設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項５】
前記搭載基板および前記電子部品は、ともに端子を有し、当該導電接続シートを用いて形成された接続部を介して前記端子同士が電気的に接続される請求項１ないし４のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項６】
前記樹脂組成物層は、前記樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される請求項１ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項７】
前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する請求項６に記載の導電接続シート。
【請求項８】
前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物を含有する請求項６または７に記載の導電接続シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）ｎ−ＣＯＯＨ・・・・・（１）
（式（１）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
【請求項９】
前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（２）および下記一般式（３）で表わされる化合物のうちの少なくとも一方を含有する請求項６または７に記載の導電接続シート。
【化１】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【化２】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【請求項１０】
前記樹脂組成物において、前記フラックス機能を有する化合物の含有量は、１〜５０重量％である請求項６ないし９のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１１】
前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１２】
前記金属層は、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される請求項１１に記載の導電接続シート。
【請求項１３】
前記金属層は、Ｓｎ−３７Ｐｂ合金またはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金を主材料として構成される請求項１２に記載の導電接続シート。
【請求項１４】
前記積層体は、２つの前記樹脂組成物層および１つの前記金属層で構成され、前記樹脂組成物層、金属層および前記樹脂組成物層がこの順で積層されたものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１５】
前記電子部品は、半導体装置である請求項１ないし１４のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを用いて電気的に接続された前記電子部品と前記搭載基板とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成され、電子部品と、該電子部品を搭載する搭載基板とを電気的に接続するために用いられる導電接続シートであって、
前記電子部品と前記搭載基板とを電気的に接続する際に、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量が、前記第２の部分に対応する前記金属層を構成する前記金属材料の量よりも多くなっていることを特徴とする導電接続シート。
【請求項２】
前記搭載基板には、複数の前記電子部品が搭載される請求項１に記載の導電接続シート。
【請求項３】
前記第１の部分において、前記金属層の厚さが、前記第２の部分における金属層の厚さより厚くなっている請求項１または２に記載の導電接続シート。
【請求項４】
前記第２の部分において、前記金属層が部分的に設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項５】
前記搭載基板および前記電子部品は、ともに端子を有し、当該導電接続シートを用いて形成された接続部を介して前記端子同士が電気的に接続される請求項１ないし４のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項６】
前記樹脂組成物層は、前記樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される請求項１ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項７】
前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する請求項６に記載の導電接続シート。
【請求項８】
前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物を含有する請求項６または７に記載の導電接続シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）ｎ−ＣＯＯＨ・・・・・（１）
（式（１）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
【請求項９】
前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式（２）および下記一般式（３）で表わされる化合物のうちの少なくとも一方を含有する請求項６または７に記載の導電接続シート。
【化１】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【化２】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【請求項１０】
前記樹脂組成物において、前記フラックス機能を有する化合物の含有量は、１〜５０重量％である請求項６ないし９のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１１】
前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１２】
前記金属層は、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される請求項１１に記載の導電接続シート。
【請求項１３】
前記金属層は、Ｓｎ−３７Ｐｂ合金またはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金を主材料として構成される請求項１２に記載の導電接続シート。
【請求項１４】
前記積層体は、２つの前記樹脂組成物層および１つの前記金属層で構成され、前記樹脂組成物層、金属層および前記樹脂組成物層がこの順で積層されたものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１５】
前記電子部品は、半導体装置である請求項１ないし１４のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品と前記搭載基板との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを、前記搭載基板上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の導電接続シートを用いて電気的に接続された前記電子部品と前記搭載基板とを備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１８７４８７（Ｐ２０１１−１８７４８７Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４８０９２（Ｐ２０１０−４８０９２）
【出願日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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