【課題】はんだを特別な形状としたり、はんだにフラックス成分を混入させたりすることなく、酸化膜が存在してもフラックスを用いずに、適切にはんだ接合を行うＩＣチップの一面と基板の一面との間を、はんだによってはんだ接合してなる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１０の一面のうちはんだ接合される部位に、当該一面より突出しその先端面に鋭利形状をなす鋭利部１２が設けられた導電性のポスト１１を形成し、基板２０の一面のうちはんだ接合される部位に、はんだ３０を配置し、次に、ＩＣチップ１０と基板２０とを互いの一面同士にて対向させ、ＩＣチップ１０を基板２０側に押し付けてポスト１１の鋭利部１２ではんだ３０の表面に位置する酸化膜を突き破り、この状態ではんだ３０をリフローさせる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、不活性ガスの消費量を少なくして短時間にガス置換ができ、小型化を実現した連続低酸素雰囲気処理室を提供する。
【解決手段】ガス置換室３は、被処理物１１を搬入及び搬出するためのドア４と、処理室２に連通する開口部１０とを備え、大気に開放されたベントライン５０と、不活性ガスを供給するガス供給管２０と、ガスを排気する排気管３０とを接続し、処理室２は、ガス置換室３と処理室２との間で被処理物１１を移送する移送手段６とを備え、ガス供給管２５と、排気管４０とを接続し、さらに、処理室２とガス置換室３とを連通させる開口部１０を開閉するシャッター５とを備えたことを特徴とする。. （もっと読む）

【課題】半田の塗布むらを防止し、良好な電子モジュールの半田付けを実現する。
【解決手段】電子モジュール１０の回路基板１２の裏面には、多数のグランド電極１６や機能端子１８を構成する裏面電極１８ａ，１８ｂが形成されている。裏面電極１８ａ，１８ｂは、回路基板１２の内層で電気的に接続されており、２つで１つの端子（ランド）を構成している。このため端子全体が細長くならず、１つ１つの裏面電極１８ａ，１８ｂを短くすることができるので、半田の塗布むらが解消され、半田付け時のボイド（空隙）が発生しなくなる。 （もっと読む）

【課題】 フラックス機能を有する接着剤層を介して半田を接続する方法において、信頼性に優れた半田接続方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半田の接続方法は、第１半田バンプを有する第１電子部品と、電極を有する第２電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して第１半田バンプと電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、第１電子部品の一方の面から第１半田バンプの高さをＡ〔μｍ〕とし、フラックス機能を有する接着剤層の厚さをＢ〔μｍ〕としたときＡ＞Ｂであり、第１電子部品に、接着剤層を配置する工程と、第１電子部品と第２電子部品の対向する表面の距離が、接着剤層の厚さＢ〔μｍ〕とほぼ同じとなるように、第１半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、第１半田バンプを変形させると共に、第１半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有する。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法が開示される。第１の接点と、第１の接点上に形成された非ドープの電気メッキされた鉛フリーのハンダ・バンプ（６１０）とを有する半導体基板が、提供される。第２の接点と、ドーパントを含む第２の接点上のドープした鉛フリーのハンダ層（５１０）とを有するデバイス・パッケージ基板が、提供される。ドーパントが鉛フリーのハンダ・バンプ内に組み入れられると、ドーパントは、非ドープの鉛フリーのハンダ・バンプの凝固過冷却温度を縮小する。非ドープの電気メッキされた鉛フリーのハンダ・バンプとドープした鉛フリーのハンダ層とが溶融され、それにより、ドーパントが非ドープの鉛フリー・ハンダの中に組み入れられ、ドープしたハンダ・バンプ（１４０）が形成される。ハンダ・バンプは、第１の接点と第２の接点との間に電気的接続をもたらす。
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例えば異なる基板（１、４）の上の導電性材料（２、５）の間に、低温および低圧で、信頼性のある電気的接続を実現するためのデバイスおよび方法が開示される。一の形態では、粗くて壊れやすい金属間層（３）が、第１基板（１）の上の導電性材料（２）の上に形成される。他の基板（４）の上の柔らかい半田材料層（６）は、破壊される、壊れやすく粗い金属間層（３）と接触するために使用される。半田材料（６）は比較的柔らかいため、破壊された金属間層（３）と半田材料（６）との間の接続が、表面領域の大きな部分で実現できる。この段階で、第２金属間層（７）が半田材料（６）と第１金属間層（３）との間に形成され、電気的接続を実現する。
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【課題】熱硬化性樹脂を介して半導体素子をテープ基板へ搭載する際に、ハンダ材によるフリップチップ接合の信頼性を高め、隣接する未搭載領域における熱硬化性樹脂の硬化を防止した半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含み、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有する。 （もっと読む）

【課題】部品実装の放熱上の制約を大幅に軽減できる封止用樹脂層を備えた実装構造体を提供する。
【解決手段】概ね板状の電子部品１の電極１３が、回路基板２の実装面に形成された電極２１に接合されることで実装構造体１００ａが構成され、かつ電子部品１の一方の主面と回路基板２の間、および電子部品１の他方の主面上の少なくとも一方に絶縁性樹脂層５が形成されている。絶縁性樹脂層５は、接着強度および熱伝導率の異なる複数の層（５Ａ、５Ｂ）で構成され、電子部品１および回路基板２のいずれかに接する部分には、相対的に接着強度が高い層５Ａが配置され、電子部品１および回路基板２のいずれとも接しない部分には、相対的に熱伝導率が高い層５Ｂが配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い実装体を実現することのできる基板間の接続方法を提供する。
【解決手段】第１の基板３０と第２の基板３２との間に、導電性粒子１１及び気泡発生剤が含有された樹脂１０を供給した後、樹脂１０を加熱して、樹脂１０中に含有する気泡発生剤から気泡を発生させて、電極３１、３３間に樹脂１０を自己集合させ、然る後、樹脂１０をさらに加熱して、樹脂１０中に含有する導電性粒子１１を溶融することにより、電極３１、３３間に接続体１３を形成する。樹脂１０の周縁部近傍には、基板３０、３２間を塞ぐ隔壁部材２０が設けられ、樹脂１０中の気泡は、隔壁部材２０の設けられていない樹脂１０の周縁部から外部に排出される。 （もっと読む）

【課題】半田の接着強度と共に放熱効果を維持しつつ、基板面と撮像素子を水平に保ちながら容易かつ確実に実装できて画質不良を防止する。
【解決手段】表面側中央部分に固体撮像素子３が搭載されたセンサデバイス４を、センサデバイス４の裏面側の各金属接合端子４ａと、各ペイスト状半田材料６ａとをそれぞれ位置合せをして、４箇所のパールボール５上に載置する。周囲温度を摂氏２３０度にして、センサデバイス４の裏面側の各金属接合端子４ａと、配線パターン２ａの中央部側の各端部（ランド部）とをそれぞれ、各ペイスト状半田材料６ａにより半田接合部６として接合する。このようにして、マウント基板２とセンサデバイス４との間に間隔保持用のパールボール５を介在させている。 （もっと読む）

【課題】実装基板と半導体素子との接合ギャップに応じて電極パッド上のはんだバンプの高さを調節することができる回路基板の製造方法、及びその方法を適用した回路基板を提供する。
【解決手段】厚みが異なる領域を備える第１基板１１０を準備する工程と、第１基板の厚みに対応してそれぞれ第１電極パッド１３１、１３２，１３３を形成する工程と、絶縁被覆層１２０を形成する工程と、厚みが異なる領域にそれぞれに形成された第１電極パッド上の絶縁被覆層をそれぞれの厚みに応じて除去する工程と、第１電極パッド上をはんだで埋め、溶融させてはんだバンプ１６１、１６２、１６３を形成する工程と、第１電極パッドに対向する第２電極パッド２３１、２３２、２３３、を備えた第２基板２１０を準備する工程と、第１電極パッド上のはんだバンプと、第２電極パッドとを対向させて熱処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属接合を利用したフリップチップ実装において、実装信頼性を低下させることなく、接合強度の高い実装が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まり、信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板の素子搭載領域外に、ゴム部材を接触させ、前記ゴム部材の未重合成分を前記素子搭載領域外に転写させる。次いで、前記素子搭載領域に、半導体素子を実装し、前記配線基板と前記半導体素子との間隙に、封止用樹脂材を充填する。そして、前記封止用樹脂材を硬化させ、前記配線基板と前記半導体素子との前記間隙に、アンダーフィル材で構成される封止用樹脂を形成する。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板にフリップチップ実装する際の半導体素子に印加する荷重を低減させ、実装後においても半導体素子に外力が作用したときに生じる応力を緩和する。
【解決手段】半導体素子１は、一表面側に複数個のスタッドバンプ４１が突設され、スタッドバンプ４１の先端部には、突出方向において塑性変形可能な変形可能部４１ｂが設けられる。半導体素子１を実装する基板２には、各スタッドバンプ４１にそれぞれ対応する基板電極２１が形成される。半導体素子１と基板２とは弾性および導電性を有する接着部材４２により接着され、各スタッドバンプ４１は素子電極１１に直接に電気的に接続されるとともに、接着部材４２を介して基板電極２１に電気的に接続される。半導体素子１を基板２に実装するにあたっては、各スタッドバンプ４１が変形可能部４１ｂの変形限度位置まで変形せずに変形許容量を残した形で塑性変形するように、低荷重を印加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップがフリップチップ接続される配線基板と、半導体チップと配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、ボイドの発生を防いで、半導体装置の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板本体２１の上面２１Ａに、基板本体２１の上面２１Ａ、パッド２２、及びはんだ２３との間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂３１を貼り付け、次いで、フィルム状アンダーフィル樹脂３１の上面３１Ａを平坦化し、その後、上面３１Ａが平坦化されたフィルム状アンダーフィル樹脂３１に半導体チップ１２を押圧して、パッド２２に半導体チップ１２をフリップチップ接続した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＮＳＭＤ型ランド構造を有するＢＧＡ型パッケージの半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板ＷＢの表面に配置された半導体チップと、配線基板ＷＢの裏面ｓ２に配置された配線ＭＷ、配線ＭＷ端のランド部ＭＬ、ソルダレジストＳＲ、ボール電極ＥＢ、および、保護樹脂ＰＲとを有する半導体装置であって、半導体チップと配線ＭＷとは電気的に接続され、ソルダレジストＳＲは配線基板ＷＢの裏面ｓ２において配線ＭＷを覆うように形成され、ソルダレジストＳＲはランド部ＭＬ上においてＮＳＭＤ型の開口部ＯＦを有し、ボール電極ＥＢはランド部ＭＬに電気的に接続されるようにして形成され、保護樹脂ＰＲはボール電極ＥＢとランド部ＭＬとの接触部を含むソルダレジストＳＲの開口部ＯＦ内を埋め込むようにして形成され、保護樹脂ＰＲは有機酸、溶剤、および、硬化剤を含む熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置がプリント基板に搭載された基板ユニットにおいて、アンダーフィルを充填することなく、基板ユニットの信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】複数の端子２１´を有する半導体装置２０と、この半導体装置２０を搭載し複数の端子２１´のそれぞれと電気的に接合する複数の基板端子１１´を有する基板１０ａと、端子２１´と基板端子１１´とを各々電気的に接合させる、端子２１´または基板端子１１´の接合部１１，２２の面積よりも小さな面積の接合部３２´，３３´を有する複数の導体部３１´とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】被半田付け部品の仮固定のための乾燥工程や基板を反転させる工程を設ける必要がなく、使用できる半田がクリーム状半田ペーストに限定されず、両面同時に被半田付け部品を基板に半田付けすることができる半田付け方法を提供する。
【解決手段】支持台１１上に基板１２をその下面に半田付けされる半導体素子１３上に配置された半田１８と所定間隔を設けて支持するとともに半導体素子１３の位置決めを行う基板支持治具１４を介して支持する。基板１２の上面にはその上面に半田付けされる半導体素子１３を基板１２との間に半田１８を配置して位置決めされた状態で載置し、その状態で基板１２、半導体素子１３、半田１８及び基板支持治具１４の全体を加熱して半田を溶融させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＣバンプの形状や、リフロー温度のばらつきなどに依存することなく、半導体装置を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体チップに塗布されたフラックスの量を測定するフラックス量測定装置を備えるマウント装置と、半導体チップを基板に接続するときの半導体チップの周囲の温度を測定する温度測定装置を備えるリフロー装置と、フラックスを洗浄する洗浄装置とを具備する半導体装置の製造装置を構成する。ここで、洗浄装置は、フラックス量測定装置によって得られたフラックスの量と、温度測定装置によって得られた半導体チップの周囲の温度とに基づいて、フラックス洗浄条件を決定する。 （もっと読む）