半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法
【課題】熱硬化性樹脂を介して半導体素子をテープ基板へ搭載する際に、ハンダ材によるフリップチップ接合の信頼性を高め、隣接する未搭載領域における熱硬化性樹脂の硬化を防止した半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含み、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含み、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子をテープ基板上へ搭載する半導体素子の実装装置、およびその実装方法としては、特許文献１に開示されているものがある。これは、テープ基板上に供給した熱硬化性接着剤を、半導体素子搭載毎に半導体素子を介してツールから供給される熱により半硬化状態にし、その後、オーブンまたはリフロー炉により熱硬化性接着剤を硬化させる。これにより、初期のダイボンディング時に熱硬化性樹脂を半硬化状態にすることができ、半導体素子のズレを防ぎ、半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要がある場合であっても、所定の位置に正確に配置することができる半導体素子の実装装置およびその実装方法を提供するというものである。
【０００３】
また、半導体素子の高密度実装を実現する実装方法として、フリップチップ実装がある。フリップチップ実装とは、テープ基板上にチップを実装する方法の１つである。フリップチップ実装では、チップ表面と基板とを電気的に接続する際、ワイヤ・ボンディングのようにワイヤによって接続するのではなく、チップ上に形成されアレイ状に並んだバンプと呼ばれる突起状の端子（外部接続電極）によって接続する。上記バンプは、ハンダ等によりテープ基板上の接続電極と接続される。これにより、ワイヤ・ボンディングに比べて実装面積を小さくできる。また、配線が短いために電気的特性が良いという特徴もある。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２５１３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の方法は、半導体素子とテープ基板との電気的導通をワイヤで行う、比較的低密度な実装の場合には有効であるが、高密度実装を実現するフリップチップ実装に対しては有効ではない。フリップチップ実装では、半導体素子とテープ基板とが、アレイバンプで接続さているため、半導体素子とテープ基板との搭載ズレ防止の要求は厳しい。すなわち、特許文献１に示されているように、熱硬化性樹脂を半硬化状態とすることは、半導体素子とテープ基板との搭載ズレの原因となる。
【０００６】
また、上記搭載ズレを防止するため、上記ツールの温度を上げ、半導体素子のテープ基板へ搭載、あるいはテープ基板の半導体素子への搭載において、上記チップ上のバンプとテープ基板上の接続電極とを接合するハンダの温度を、加熱ツールによって融点以上に加熱溶融し、上記バンプと接続電極とを接続することは、必要以上に周囲の熱硬化性樹脂の温度を上げることとなる。これにより、搭載領域から隣接する未搭載領域への熱伝導により、未搭載領域の温度が上昇してしまい、半導体素子を上記未搭載領域に搭載する前に熱硬化性樹脂が硬化してしまう、という問題を本発明者は見出した。この問題は、半導体素子を微小間隔で搭載する場合に顕著となる。
【０００７】
本発明の目的は、熱硬化性樹脂を介して半導体素子をテープ基板へ搭載する際に、ハンダ材によるフリップチップ接合の信頼性を高め、隣接する未搭載領域における熱硬化性樹脂の硬化を防止した半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体素子は、第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子であって、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた該熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体素子製造装置用ツールは、第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子を製造するための半導体素子製造装置用ツールであって、先端部が、高熱伝導率部材および低熱伝導率部材を含む２種類以上の部材から構成され、該ハンダ材を加熱するための高熱伝導率部材の熱伝導率が、その周辺部に設けた低熱伝導率部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体素子の製造方法は、第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子の製造方法であって、該テープ基板を真空吸着によりピックアップする工程と、該第二の外部接続電極が該第一の外部接続電極の一部と整合するように該テープ基板の位置決めを行う工程と、該ハンダ材と該熱硬化性樹脂の一部とを加熱し、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを該ハンダ材を用いて接合させる工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体ウエハ上に熱硬化性樹脂を塗布し、個片化したテープ基板を、加熱ツールを用いて搭載する半導体装置の製造方法において、加熱ツールを２種類以上の部材から構成し、半導体ウエハ上の外部接続電極とテープ基板上の外部接続電極とを接合するハンダ材に隣接する加熱ツールの部材の熱伝導率を、その周辺部材の熱伝導率に比べて大きくすることによって、効率良くハンダ材を加熱することが可能である。
【００１２】
また、本発明によれば、加熱ツールの上記周辺部材の熱伝導率が低いため、基板未搭載部の熱硬化性樹脂の温度上昇を抑制するとともに、未搭載領域の熱硬化性樹脂の硬化を防ぐことができる。
【００１３】
さらに、本発明によれば、半導体素子の集積度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、熱硬化性樹脂を用いて半導体ウエハ上へテープ基板を搭載する半導体素子のフリップチップ実装装置、およびその半導体素子の製造方法に関する。また、本発明は、当該実装装置または当該製造方法で製造された半導体素子に関する。
【００１５】
テープ基板は、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂をテープ状にしたものであり、高価であるため、できるだけ使用量を減らしたいというニーズがある。
【００１６】
本発明の半導体素子製造装置用ツールは、外部接続電極が表面上に形成された半導体ウエハと、該外部接続電極の一部と整合するように接続電極が形成され、個片化されたテープ基板を、該半導体ウエハ上の外部接続電極と該テープ基板上の外部接続電極とをハンダ材を用いて接合させ、加熱ツールを用いて、該半導体ウエハ上に、上記個片化されたテープ基板を搭載する半導体素子の製造装置用ツールであって、該加熱ツールの先端が２種類以上の部材から形成され、該ハンダ材を該加熱ツールへ投影した箇所の該加熱ツールの部材の熱伝導率が、その周辺部材の熱伝導率に比べ大きいことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体素子の製造方法は、外部接続電極が表面上に形成された半導体ウエハと、上記外部接続電極の一部と整合するように接続電極が形成され、個片化されたテープ基板を、上記半導体ウエハ上の外部接続電極とテープ基板上の外部接続電極とをハンダ材を用いて接合させ、加熱ツールを用いて、上記半導体ウエハ上に、上記個片化されたテープ基板を搭載する半導体素子の製造方法において、上記加熱ツールの先端が２種類以上の部材から形成され、上記ハンダ材を上記加熱ツールへ投影した領域の加熱ツール部材の熱伝導率が、その周辺部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図１〜９に示した実施例により説明する。
【００１９】
図１、２は、本発明による第一の実施例である半導体ウエハへのテープ基板の実装方法を示す主要部分の断面構造図である。図３は、半導体ウエハの上面図を示しており、半導体ウエハ２上には、第一の外部接続電極（バンプ）４が形成されている。図３のＡ−Ａ’断面が図１の半導体ウエハ断面に対応している。ここで、半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４は、テープ基板６搭載位置の中央に一列に並んだ場合を例に記載している。図４（ａ）は、加熱ツールの縦断面図を示したものであり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’断面図を示す。加熱ツール７は高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１とを含む。ここで、加熱ツール７の高熱伝導率部材１０は、図３に示した半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４上を効率よく加熱するように、中央部に配置されている。また、加熱ツール７は、本発明による半導体素子製造装置用ツールの主要部である。
【００２０】
図５は、半導体ウエハ２上にテープ基板６を搭載するウエハマップの実施例を示す上面図である。また、図６は、図５の部分拡大図である。図６には、個片化する際のダイシングライン１９、２０を記してある。また、図７および図８は、半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４が、テープ基板６搭載位置の中央に２列に並んだ場合の実施例を示す縦断面図である。図９は、図６のＣ−Ｃ’断面図であり、半導体ウエハ２へのテープ基板６の搭載工程例を示した図である。
【００２１】
本発明による半導体素子の実装方法の手順を、図１、２、９を用いて説明する。
【００２２】
（１）まず、図１に示すように、台座１上に半導体ウエハ２を設置し、上記半導体ウエハ２上に熱硬化性樹脂３（アンダーフィル）を塗布する。ここで、半導体ウエハ２上には、第一の外部接続電極４が形成されている。また、本実施例では、熱硬化性樹脂３としてＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）やＮＣＰ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いている。
【００２３】
そして、個片化されたテープ基板６を、加熱ツール７を用いて搭載位置上に移動する。ここで、テープ基板６は、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂をテープ状にしたものである。また、テープ基板６上には、金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金を用いた第二の外部接続電極８が形成されており、ハンダ材５が第二の外部接続電極８の表面に備えられている。なお、テープ基板６には、表面と裏面とを導通させる配線が設けてあり、表面にある一つの第二の外部接続電極８を裏面にある複数の端子（図示せず）に電気的に接続することが可能である。このため、テープ基板６は、第二の外部接続電極８と複数の端子とを結ぶ配線を設けた回路基板と呼ぶこともできる。
【００２４】
また、本実施例では、ハンダ材５は略球形であり、直径が約５０μｍである。
【００２５】
また、加熱ツール７には、真空吸着可能な穴（図示せず）が設けられており、真空ポンプ（図示せず）に接続されている。テープ基板６は、真空吸着により加熱ツール７でピックアップされている。
【００２６】
また、加熱ツール７にはヒータ９が組み込まれており、加熱しながらテープ基板６を半導体ウエハ２上に搭載することが可能である。また、加熱ツール７は、熱伝導率の大きい部材すなわち高熱伝導率部材１０およびその周囲に設けた熱伝導率の小さい部材すなわち低熱伝導率部材１１を含む構成であり、ヒータ９と高熱伝導率部材１０とが接触し、高熱伝導率部材１０が低熱伝導率部材１１より効率良く加熱される構成となっている。言い換えると、高熱伝導率部材１０の周囲は、低熱伝導率部材１１により断熱されている。
【００２７】
ここで、高熱伝導率部材１０は、例えば銅やＳＫＤ鋼のような金属で形成されている。また、低熱伝導率部材１１は、例えばロスナボード材等の高強度断熱材で形成されている。高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１との組み合わせにおいて、高熱伝導率部材１０を銅とし、低熱伝導率部材１１として銅よりも熱伝導率が低いＳＫＤ鋼などを用いることも可能である。高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１との熱伝導率の比は、１００倍程度異なっていることが望ましい。
【００２８】
加熱ツール７の先端部の温度は、ハンダ材５の融点よりも高温にする必要があり、本実施例においては約４９３Ｋになるようにヒータ９制御している。
【００２９】
また、本実施例では、第二の外部接続電極８が金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金であって、ハンダ材５がスズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系の合金である場合を示しているが、これに限らず、ハンダ材５をニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）系の合金とし、金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金である第二の外部接続電極８と超音波接合させてもよい。後者の場合、加熱ツール７は、超音波発生装置（超音波素子およびホーンを含む）を組み込んだ構成とする。
【００３０】
（２）つぎに、加熱ツール７を半導体ウエハ２上に近づけ、テープ基板６を半導体ウエハ２上の搭載位置Ｐに搭載する。ここで、加熱ツール７内部に組み込まれたヒータ９を用いてハンダ材５を融点以上に加熱する。また、加熱ツール７に荷重を加えることで、テープ基板６と半導体ウエハ２との間の、第一の外部接続電極４および第二の外部接続電極８をハンダ材５で接続する（図２および図９（１））。
【００３１】
ここで、高熱伝導率部材１０および低熱伝導率部材１１はともに、半導体ウエハ２に接触する際、半導体ウエハ２を加圧する。すなわち、加圧領域を形成する。
【００３２】
（３）つぎに、個片化された別のテープ基板１２を、加熱ツール７を用いて搭載位置Ｑ上に移動する（図９（２））。
【００３３】
（４）つぎに、加熱ツール７を半導体ウエハ２上に近づけ、テープ基板１２を半導体ウエハ２の搭載箇所Ｑ上に搭載する。ここで、ツール７内部に組み込まれたヒータ９を用いてテープ基板１２のハンダ材５を融点まで上昇させ、テープ基板１２と半導体ウエハ２との間の、第一の外部接続電極４および第二の外部接続電極８をハンダ材５で接続する（図９（３））。同様に繰返し、複数のテープ基板１３、１４を半導体ウエハ２上の搭載箇所Ｒ、Ｓに搭載する（図９（４））。
【００３４】
本発明による実施例において、テープ基板１２を半導体ウエハ２上に搭載する半導体素子の製造方法では、加熱ツール７を用いて複数のテープ基板１２を半導体ウエハ２上に搭載する際に、加熱ツール７が高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１とを含み、高熱伝導率部材１０がハンダ材５の近傍に配置されている。これにより、ハンダ材５を効率良く加熱することが可能である。一方、低熱伝導率部材１１が加熱ツール７の外側に配置されているため、テープ基板１２未搭載領域の熱硬化性樹脂３の温度上昇を抑制し、テープ基板１２未搭載領域上の熱硬化性樹脂３の硬化を防ぐことが可能である。
【００３５】
図１０〜１２は、上記の方法でテープ基板１２を搭載して半導体ウエハ２上にチップ化し、実装基板１７に搭載した例を示している。
【００３６】
まず、図１０に示すように、テープ基板１２を搭載した半導体ウエハ２をダイシングにより個片化する。
【００３７】
つぎに、図１１に示すように、個片化したテープ基板１２付半導体チップ１６を実装基板１７上にハンダ材１８により接続する。このとき、テープ基板１２付半導体チップ１６および実装基板１７は、加熱炉（図示せず）等の内部で全体が加熱される（加熱工程）。このため、テープ基板１２を搭載する際には硬化しなかった熱硬化性樹脂３が硬化する。
【００３８】
上記の２段階の加熱による熱硬化性樹脂３の硬化は、熱硬化性樹脂３の変形状態または結晶構造を観察して確認する。
【００３９】
図１１（ａ）は、実装基板１７上にテープ基板１２付半導体チップ１６を実装した上面配置図を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ’断面図を示している。この例では、実装基板１７上に５つの半導体チップ１６が実装されている。
【００４０】
一方、図１２は、他の実施例を示した図である。図１２（ａ）は、実装基板１７上にテープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃを実装した上面配置図を示し、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＥ−Ｅ’断面図を示している。図１１と図１２との違いは、スペーサ２１を用いることにより、テープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｃの高さとテープ基板付半導体チップ１１６ｂの高さとを変え、半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃを交互に搭載した例である。
【００４１】
本実施例においては、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個のテープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ（半導体素子）のうち、中央部に設置した半導体チップ１１６ｂが、他の２個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｃよりも実装基板１７から離れた位置に実装されている。
【００４２】
また、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃのうち、中央部に設置した半導体チップ１１６ｂと実装基板１７との隙間に、他の２個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｃの一部または全部を実装した、と見ることもできる。
【００４３】
また、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個以上の半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇから選ばれた１個の半導体チップ（例えば、１１６ｂ）と実装基板１７との距離が、隣接する半導体チップ（例えば、１１６ａ、１１６ｃ）と前記実装基板との距離と異なる、と見ることもできる。
【００４４】
さらに、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個以上の半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇから選ばれた１個の半導体チップ（例えば、１１６ｂ）と実装基板１７との隙間に、隣接する半導体チップ（例えば、１１６ａ、１１６ｃ）の一部または全部を実装した、と見ることもできる。
【００４５】
これにより、半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇの実装個数を増すことができ、実装基板１７の面積に対する集積度を増すことができる。
【００４６】
図１３は、本発明による半導体素子の実装装置の変形実施例を示す要部断面図である。本図においては、加熱ツール７と半導体ウエハ２とが接触した状態であり、図中左から３番目までのテープ基板６を半導体ウエハ２上に実装した状態である。本実施例においては、テープ基板６が実装される位置のみに熱硬化性樹脂３を設けている。ここで、設定温度とは、加熱ツール７内部に設けたヒータの設定温度であり、本実施例では５３３Ｋとしてある。また、接合部温度とは、ハンダ材５の温度であり、本実施例では４９３Ｋとしてある。
【００４７】
図１４、１５は、本発明による加熱ツール７の実施例を示す斜視図である。これらの図は、加熱ツール７を斜め下方向から見た場合を示している。図１４は高熱伝導率部材１０を低熱伝導率部材１１を分断する形で設けたものであり、図１５は高熱伝導率部材１０を低熱伝導率部材１１の中心部分を貫通する形で設けたものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明による半導体素子の実装装置の実施例を示す要部断面図である。
【図２】図１の加熱ツールと半導体ウエハとの接触状態を示す要部断面図である。
【図３】本発明による半導体ウエハの実施例を示す上面拡大図である。
【図４】本発明による加熱ツールの実施例を示す断面図である。
【図５】本発明によるウエハマップの実施例を示す上面図である。
【図６】図５のウエハマップの拡大図である。
【図７】本発明による半導体素子の実装装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図８】図７の加熱ツールと半導体ウエハとの接触状態を示す要部断面図である。
【図９】本発明による半導体素子の実装工程の実施例を示す要部断面図である。
【図１０】本発明による個片化した半導体チップの実施例を示す要部断面図である。
【図１１】本発明による個片化した半導体チップを実装基板に搭載した実施例を示す上面図および要部断面図である。
【図１２】本発明による個片化した半導体チップを実装基板に搭載した他の実施例を示す上面図および要部断面図である。
【図１３】本発明による半導体素子の実装装置の変形実施例を示す要部断面図である。
【図１４】本発明による加熱ツールの実施例を示す斜視図である。
【図１５】本発明による加熱ツールの他の実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１：台座、２：半導体ウエハ、３：熱硬化性樹脂、４：第一の外部接続電極、５：ハンダ材、６：テープ基板、７：加熱ツール、８：第二の外部接続電極、９：ヒータ、１０：高熱伝導率部材、１１：低熱伝導率部材、１２、１３、１４：テープ基板、１６：テープ基板付半導体チップ、１７：実装基板、１９、２０：ダイシングライン、２１：スペーサ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子をテープ基板上へ搭載する半導体素子の実装装置、およびその実装方法としては、特許文献１に開示されているものがある。これは、テープ基板上に供給した熱硬化性接着剤を、半導体素子搭載毎に半導体素子を介してツールから供給される熱により半硬化状態にし、その後、オーブンまたはリフロー炉により熱硬化性接着剤を硬化させる。これにより、初期のダイボンディング時に熱硬化性樹脂を半硬化状態にすることができ、半導体素子のズレを防ぎ、半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要がある場合であっても、所定の位置に正確に配置することができる半導体素子の実装装置およびその実装方法を提供するというものである。
【０００３】
また、半導体素子の高密度実装を実現する実装方法として、フリップチップ実装がある。フリップチップ実装とは、テープ基板上にチップを実装する方法の１つである。フリップチップ実装では、チップ表面と基板とを電気的に接続する際、ワイヤ・ボンディングのようにワイヤによって接続するのではなく、チップ上に形成されアレイ状に並んだバンプと呼ばれる突起状の端子（外部接続電極）によって接続する。上記バンプは、ハンダ等によりテープ基板上の接続電極と接続される。これにより、ワイヤ・ボンディングに比べて実装面積を小さくできる。また、配線が短いために電気的特性が良いという特徴もある。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２５１３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の方法は、半導体素子とテープ基板との電気的導通をワイヤで行う、比較的低密度な実装の場合には有効であるが、高密度実装を実現するフリップチップ実装に対しては有効ではない。フリップチップ実装では、半導体素子とテープ基板とが、アレイバンプで接続さているため、半導体素子とテープ基板との搭載ズレ防止の要求は厳しい。すなわち、特許文献１に示されているように、熱硬化性樹脂を半硬化状態とすることは、半導体素子とテープ基板との搭載ズレの原因となる。
【０００６】
また、上記搭載ズレを防止するため、上記ツールの温度を上げ、半導体素子のテープ基板へ搭載、あるいはテープ基板の半導体素子への搭載において、上記チップ上のバンプとテープ基板上の接続電極とを接合するハンダの温度を、加熱ツールによって融点以上に加熱溶融し、上記バンプと接続電極とを接続することは、必要以上に周囲の熱硬化性樹脂の温度を上げることとなる。これにより、搭載領域から隣接する未搭載領域への熱伝導により、未搭載領域の温度が上昇してしまい、半導体素子を上記未搭載領域に搭載する前に熱硬化性樹脂が硬化してしまう、という問題を本発明者は見出した。この問題は、半導体素子を微小間隔で搭載する場合に顕著となる。
【０００７】
本発明の目的は、熱硬化性樹脂を介して半導体素子をテープ基板へ搭載する際に、ハンダ材によるフリップチップ接合の信頼性を高め、隣接する未搭載領域における熱硬化性樹脂の硬化を防止した半導体素子、半導体素子製造装置用ツールおよび半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体素子は、第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子であって、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた該熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体素子製造装置用ツールは、第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子を製造するための半導体素子製造装置用ツールであって、先端部が、高熱伝導率部材および低熱伝導率部材を含む２種類以上の部材から構成され、該ハンダ材を加熱するための高熱伝導率部材の熱伝導率が、その周辺部に設けた低熱伝導率部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体素子の製造方法は、第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子の製造方法であって、該テープ基板を真空吸着によりピックアップする工程と、該第二の外部接続電極が該第一の外部接続電極の一部と整合するように該テープ基板の位置決めを行う工程と、該ハンダ材と該熱硬化性樹脂の一部とを加熱し、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを該ハンダ材を用いて接合させる工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体ウエハ上に熱硬化性樹脂を塗布し、個片化したテープ基板を、加熱ツールを用いて搭載する半導体装置の製造方法において、加熱ツールを２種類以上の部材から構成し、半導体ウエハ上の外部接続電極とテープ基板上の外部接続電極とを接合するハンダ材に隣接する加熱ツールの部材の熱伝導率を、その周辺部材の熱伝導率に比べて大きくすることによって、効率良くハンダ材を加熱することが可能である。
【００１２】
また、本発明によれば、加熱ツールの上記周辺部材の熱伝導率が低いため、基板未搭載部の熱硬化性樹脂の温度上昇を抑制するとともに、未搭載領域の熱硬化性樹脂の硬化を防ぐことができる。
【００１３】
さらに、本発明によれば、半導体素子の集積度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、熱硬化性樹脂を用いて半導体ウエハ上へテープ基板を搭載する半導体素子のフリップチップ実装装置、およびその半導体素子の製造方法に関する。また、本発明は、当該実装装置または当該製造方法で製造された半導体素子に関する。
【００１５】
テープ基板は、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂をテープ状にしたものであり、高価であるため、できるだけ使用量を減らしたいというニーズがある。
【００１６】
本発明の半導体素子製造装置用ツールは、外部接続電極が表面上に形成された半導体ウエハと、該外部接続電極の一部と整合するように接続電極が形成され、個片化されたテープ基板を、該半導体ウエハ上の外部接続電極と該テープ基板上の外部接続電極とをハンダ材を用いて接合させ、加熱ツールを用いて、該半導体ウエハ上に、上記個片化されたテープ基板を搭載する半導体素子の製造装置用ツールであって、該加熱ツールの先端が２種類以上の部材から形成され、該ハンダ材を該加熱ツールへ投影した箇所の該加熱ツールの部材の熱伝導率が、その周辺部材の熱伝導率に比べ大きいことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体素子の製造方法は、外部接続電極が表面上に形成された半導体ウエハと、上記外部接続電極の一部と整合するように接続電極が形成され、個片化されたテープ基板を、上記半導体ウエハ上の外部接続電極とテープ基板上の外部接続電極とをハンダ材を用いて接合させ、加熱ツールを用いて、上記半導体ウエハ上に、上記個片化されたテープ基板を搭載する半導体素子の製造方法において、上記加熱ツールの先端が２種類以上の部材から形成され、上記ハンダ材を上記加熱ツールへ投影した領域の加熱ツール部材の熱伝導率が、その周辺部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図１〜９に示した実施例により説明する。
【００１９】
図１、２は、本発明による第一の実施例である半導体ウエハへのテープ基板の実装方法を示す主要部分の断面構造図である。図３は、半導体ウエハの上面図を示しており、半導体ウエハ２上には、第一の外部接続電極（バンプ）４が形成されている。図３のＡ−Ａ’断面が図１の半導体ウエハ断面に対応している。ここで、半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４は、テープ基板６搭載位置の中央に一列に並んだ場合を例に記載している。図４（ａ）は、加熱ツールの縦断面図を示したものであり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’断面図を示す。加熱ツール７は高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１とを含む。ここで、加熱ツール７の高熱伝導率部材１０は、図３に示した半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４上を効率よく加熱するように、中央部に配置されている。また、加熱ツール７は、本発明による半導体素子製造装置用ツールの主要部である。
【００２０】
図５は、半導体ウエハ２上にテープ基板６を搭載するウエハマップの実施例を示す上面図である。また、図６は、図５の部分拡大図である。図６には、個片化する際のダイシングライン１９、２０を記してある。また、図７および図８は、半導体ウエハ２上の第一の外部接続電極４が、テープ基板６搭載位置の中央に２列に並んだ場合の実施例を示す縦断面図である。図９は、図６のＣ−Ｃ’断面図であり、半導体ウエハ２へのテープ基板６の搭載工程例を示した図である。
【００２１】
本発明による半導体素子の実装方法の手順を、図１、２、９を用いて説明する。
【００２２】
（１）まず、図１に示すように、台座１上に半導体ウエハ２を設置し、上記半導体ウエハ２上に熱硬化性樹脂３（アンダーフィル）を塗布する。ここで、半導体ウエハ２上には、第一の外部接続電極４が形成されている。また、本実施例では、熱硬化性樹脂３としてＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）やＮＣＰ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いている。
【００２３】
そして、個片化されたテープ基板６を、加熱ツール７を用いて搭載位置上に移動する。ここで、テープ基板６は、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂をテープ状にしたものである。また、テープ基板６上には、金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金を用いた第二の外部接続電極８が形成されており、ハンダ材５が第二の外部接続電極８の表面に備えられている。なお、テープ基板６には、表面と裏面とを導通させる配線が設けてあり、表面にある一つの第二の外部接続電極８を裏面にある複数の端子（図示せず）に電気的に接続することが可能である。このため、テープ基板６は、第二の外部接続電極８と複数の端子とを結ぶ配線を設けた回路基板と呼ぶこともできる。
【００２４】
また、本実施例では、ハンダ材５は略球形であり、直径が約５０μｍである。
【００２５】
また、加熱ツール７には、真空吸着可能な穴（図示せず）が設けられており、真空ポンプ（図示せず）に接続されている。テープ基板６は、真空吸着により加熱ツール７でピックアップされている。
【００２６】
また、加熱ツール７にはヒータ９が組み込まれており、加熱しながらテープ基板６を半導体ウエハ２上に搭載することが可能である。また、加熱ツール７は、熱伝導率の大きい部材すなわち高熱伝導率部材１０およびその周囲に設けた熱伝導率の小さい部材すなわち低熱伝導率部材１１を含む構成であり、ヒータ９と高熱伝導率部材１０とが接触し、高熱伝導率部材１０が低熱伝導率部材１１より効率良く加熱される構成となっている。言い換えると、高熱伝導率部材１０の周囲は、低熱伝導率部材１１により断熱されている。
【００２７】
ここで、高熱伝導率部材１０は、例えば銅やＳＫＤ鋼のような金属で形成されている。また、低熱伝導率部材１１は、例えばロスナボード材等の高強度断熱材で形成されている。高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１との組み合わせにおいて、高熱伝導率部材１０を銅とし、低熱伝導率部材１１として銅よりも熱伝導率が低いＳＫＤ鋼などを用いることも可能である。高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１との熱伝導率の比は、１００倍程度異なっていることが望ましい。
【００２８】
加熱ツール７の先端部の温度は、ハンダ材５の融点よりも高温にする必要があり、本実施例においては約４９３Ｋになるようにヒータ９制御している。
【００２９】
また、本実施例では、第二の外部接続電極８が金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金であって、ハンダ材５がスズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系の合金である場合を示しているが、これに限らず、ハンダ材５をニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）系の合金とし、金（Ａｕ）または金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を含む合金である第二の外部接続電極８と超音波接合させてもよい。後者の場合、加熱ツール７は、超音波発生装置（超音波素子およびホーンを含む）を組み込んだ構成とする。
【００３０】
（２）つぎに、加熱ツール７を半導体ウエハ２上に近づけ、テープ基板６を半導体ウエハ２上の搭載位置Ｐに搭載する。ここで、加熱ツール７内部に組み込まれたヒータ９を用いてハンダ材５を融点以上に加熱する。また、加熱ツール７に荷重を加えることで、テープ基板６と半導体ウエハ２との間の、第一の外部接続電極４および第二の外部接続電極８をハンダ材５で接続する（図２および図９（１））。
【００３１】
ここで、高熱伝導率部材１０および低熱伝導率部材１１はともに、半導体ウエハ２に接触する際、半導体ウエハ２を加圧する。すなわち、加圧領域を形成する。
【００３２】
（３）つぎに、個片化された別のテープ基板１２を、加熱ツール７を用いて搭載位置Ｑ上に移動する（図９（２））。
【００３３】
（４）つぎに、加熱ツール７を半導体ウエハ２上に近づけ、テープ基板１２を半導体ウエハ２の搭載箇所Ｑ上に搭載する。ここで、ツール７内部に組み込まれたヒータ９を用いてテープ基板１２のハンダ材５を融点まで上昇させ、テープ基板１２と半導体ウエハ２との間の、第一の外部接続電極４および第二の外部接続電極８をハンダ材５で接続する（図９（３））。同様に繰返し、複数のテープ基板１３、１４を半導体ウエハ２上の搭載箇所Ｒ、Ｓに搭載する（図９（４））。
【００３４】
本発明による実施例において、テープ基板１２を半導体ウエハ２上に搭載する半導体素子の製造方法では、加熱ツール７を用いて複数のテープ基板１２を半導体ウエハ２上に搭載する際に、加熱ツール７が高熱伝導率部材１０と低熱伝導率部材１１とを含み、高熱伝導率部材１０がハンダ材５の近傍に配置されている。これにより、ハンダ材５を効率良く加熱することが可能である。一方、低熱伝導率部材１１が加熱ツール７の外側に配置されているため、テープ基板１２未搭載領域の熱硬化性樹脂３の温度上昇を抑制し、テープ基板１２未搭載領域上の熱硬化性樹脂３の硬化を防ぐことが可能である。
【００３５】
図１０〜１２は、上記の方法でテープ基板１２を搭載して半導体ウエハ２上にチップ化し、実装基板１７に搭載した例を示している。
【００３６】
まず、図１０に示すように、テープ基板１２を搭載した半導体ウエハ２をダイシングにより個片化する。
【００３７】
つぎに、図１１に示すように、個片化したテープ基板１２付半導体チップ１６を実装基板１７上にハンダ材１８により接続する。このとき、テープ基板１２付半導体チップ１６および実装基板１７は、加熱炉（図示せず）等の内部で全体が加熱される（加熱工程）。このため、テープ基板１２を搭載する際には硬化しなかった熱硬化性樹脂３が硬化する。
【００３８】
上記の２段階の加熱による熱硬化性樹脂３の硬化は、熱硬化性樹脂３の変形状態または結晶構造を観察して確認する。
【００３９】
図１１（ａ）は、実装基板１７上にテープ基板１２付半導体チップ１６を実装した上面配置図を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ’断面図を示している。この例では、実装基板１７上に５つの半導体チップ１６が実装されている。
【００４０】
一方、図１２は、他の実施例を示した図である。図１２（ａ）は、実装基板１７上にテープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃを実装した上面配置図を示し、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＥ−Ｅ’断面図を示している。図１１と図１２との違いは、スペーサ２１を用いることにより、テープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｃの高さとテープ基板付半導体チップ１１６ｂの高さとを変え、半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃを交互に搭載した例である。
【００４１】
本実施例においては、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個のテープ基板付半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ（半導体素子）のうち、中央部に設置した半導体チップ１１６ｂが、他の２個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｃよりも実装基板１７から離れた位置に実装されている。
【００４２】
また、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃのうち、中央部に設置した半導体チップ１１６ｂと実装基板１７との隙間に、他の２個の半導体チップ１１６ａ、１１６ｃの一部または全部を実装した、と見ることもできる。
【００４３】
また、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個以上の半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇから選ばれた１個の半導体チップ（例えば、１１６ｂ）と実装基板１７との距離が、隣接する半導体チップ（例えば、１１６ａ、１１６ｃ）と前記実装基板との距離と異なる、と見ることもできる。
【００４４】
さらに、１個の実装基板１７上に実装した、相隣る３個以上の半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇから選ばれた１個の半導体チップ（例えば、１１６ｂ）と実装基板１７との隙間に、隣接する半導体チップ（例えば、１１６ａ、１１６ｃ）の一部または全部を実装した、と見ることもできる。
【００４５】
これにより、半導体チップ１１６ａ〜１１６ｇの実装個数を増すことができ、実装基板１７の面積に対する集積度を増すことができる。
【００４６】
図１３は、本発明による半導体素子の実装装置の変形実施例を示す要部断面図である。本図においては、加熱ツール７と半導体ウエハ２とが接触した状態であり、図中左から３番目までのテープ基板６を半導体ウエハ２上に実装した状態である。本実施例においては、テープ基板６が実装される位置のみに熱硬化性樹脂３を設けている。ここで、設定温度とは、加熱ツール７内部に設けたヒータの設定温度であり、本実施例では５３３Ｋとしてある。また、接合部温度とは、ハンダ材５の温度であり、本実施例では４９３Ｋとしてある。
【００４７】
図１４、１５は、本発明による加熱ツール７の実施例を示す斜視図である。これらの図は、加熱ツール７を斜め下方向から見た場合を示している。図１４は高熱伝導率部材１０を低熱伝導率部材１１を分断する形で設けたものであり、図１５は高熱伝導率部材１０を低熱伝導率部材１１の中心部分を貫通する形で設けたものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明による半導体素子の実装装置の実施例を示す要部断面図である。
【図２】図１の加熱ツールと半導体ウエハとの接触状態を示す要部断面図である。
【図３】本発明による半導体ウエハの実施例を示す上面拡大図である。
【図４】本発明による加熱ツールの実施例を示す断面図である。
【図５】本発明によるウエハマップの実施例を示す上面図である。
【図６】図５のウエハマップの拡大図である。
【図７】本発明による半導体素子の実装装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図８】図７の加熱ツールと半導体ウエハとの接触状態を示す要部断面図である。
【図９】本発明による半導体素子の実装工程の実施例を示す要部断面図である。
【図１０】本発明による個片化した半導体チップの実施例を示す要部断面図である。
【図１１】本発明による個片化した半導体チップを実装基板に搭載した実施例を示す上面図および要部断面図である。
【図１２】本発明による個片化した半導体チップを実装基板に搭載した他の実施例を示す上面図および要部断面図である。
【図１３】本発明による半導体素子の実装装置の変形実施例を示す要部断面図である。
【図１４】本発明による加熱ツールの実施例を示す斜視図である。
【図１５】本発明による加熱ツールの他の実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１：台座、２：半導体ウエハ、３：熱硬化性樹脂、４：第一の外部接続電極、５：ハンダ材、６：テープ基板、７：加熱ツール、８：第二の外部接続電極、９：ヒータ、１０：高熱伝導率部材、１１：低熱伝導率部材、１２、１３、１４：テープ基板、１６：テープ基板付半導体チップ、１７：実装基板、１９、２０：ダイシングライン、２１：スペーサ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子であって、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた該熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
１個の実装基板上に、請求項１記載の半導体素子を複数個実装したことを特徴とする実装半導体素子。
【請求項３】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個の前記半導体素子のうち、中央部に設置した前記半導体素子が、他の２個の前記半導体素子よりも前記実装基板から離れた位置に実装されていることを特徴とする請求項２記載の実装半導体素子。
【請求項４】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個の前記半導体素子のうち、中央部に設置した前記半導体素子と前記実装基板との隙間に、他の２個の前記半導体素子の一部または全部を実装したことを特徴とする請求項２または３に記載の実装半導体素子。
【請求項５】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個以上の前記半導体素子から選ばれた１個の前記半導体素子と前記実装基板との距離が、隣接する前記半導体素子と前記実装基板との距離と異なることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の実装半導体素子。
【請求項６】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個以上の前記半導体素子から選ばれた１個の前記半導体素子と前記実装基板との隙間に、隣接する前記半導体素子の一部または全部を実装したことを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の実装半導体素子。
【請求項７】
第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子を製造するための半導体素子製造装置用ツールであって、先端部が、高熱伝導率部材および低熱伝導率部材を含む２種類以上の部材から構成され、該ハンダ材を加熱するための高熱伝導率部材の熱伝導率が、その周辺部に設けた低熱伝導率部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする半導体素子製造装置用ツール。
【請求項８】
第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子の製造方法であって、該テープ基板を真空吸着によりピックアップする工程と、該第二の外部接続電極が該第一の外部接続電極の一部と整合するように該テープ基板の位置決めを行う工程と、該ハンダ材と該熱硬化性樹脂の一部とを加熱し、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを該ハンダ材を用いて接合させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１】
第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子であって、該テープ基板の面積が該半導体ウエハの面積よりも小さく、該半導体ウエハの表面に設けられた該熱硬化性樹脂のうち、該ハンダ材による接合時の加熱で硬化した部分と、その後の加熱工程で硬化した部分とを有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
１個の実装基板上に、請求項１記載の半導体素子を複数個実装したことを特徴とする実装半導体素子。
【請求項３】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個の前記半導体素子のうち、中央部に設置した前記半導体素子が、他の２個の前記半導体素子よりも前記実装基板から離れた位置に実装されていることを特徴とする請求項２記載の実装半導体素子。
【請求項４】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個の前記半導体素子のうち、中央部に設置した前記半導体素子と前記実装基板との隙間に、他の２個の前記半導体素子の一部または全部を実装したことを特徴とする請求項２または３に記載の実装半導体素子。
【請求項５】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個以上の前記半導体素子から選ばれた１個の前記半導体素子と前記実装基板との距離が、隣接する前記半導体素子と前記実装基板との距離と異なることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の実装半導体素子。
【請求項６】
１個の前記実装基板上に実装した、相隣る３個以上の前記半導体素子から選ばれた１個の前記半導体素子と前記実装基板との隙間に、隣接する前記半導体素子の一部または全部を実装したことを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の実装半導体素子。
【請求項７】
第一の外部接続電極を有する半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子を製造するための半導体素子製造装置用ツールであって、先端部が、高熱伝導率部材および低熱伝導率部材を含む２種類以上の部材から構成され、該ハンダ材を加熱するための高熱伝導率部材の熱伝導率が、その周辺部に設けた低熱伝導率部材の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする半導体素子製造装置用ツール。
【請求項８】
第一の外部接続電極を有し、熱硬化性樹脂を塗布または貼付した半導体ウエハと、該第一の外部接続電極の一部と整合する第二の外部接続電極を有するテープ基板と、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを電気的に接続するハンダ材とを含む半導体素子の製造方法であって、該テープ基板を真空吸着によりピックアップする工程と、該第二の外部接続電極が該第一の外部接続電極の一部と整合するように該テープ基板の位置決めを行う工程と、該ハンダ材と該熱硬化性樹脂の一部とを加熱し、該第一の外部接続電極と該第二の外部接続電極とを該ハンダ材を用いて接合させる工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−５６３４９（Ｐ２０１０−５６３４９Ａ）
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２０５９３（Ｐ２００８−２２０５９３）
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
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