【課題】ボイドを抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできるフリップチップボンダー用アタッチメント及びステージを提供する。また、該フリップチップボンダー用アタッチメントによって半導体チップを対向基板に接合させる方法、及び、該フリップチップボンダー用アタッチメントを備えたアタッチメント−ヒーター複合体及びフリップチップボンダーを提供する。
【解決手段】突起状電極を有する半導体チップを保持して、前記半導体チップに熱及び圧力を伝え、封止樹脂を介して前記半導体チップを対向基板に接合させるためのフリップチップボンダーに用いられるアタッチメントであって、前記半導体チップから投影される部分の周辺部よりも内部のほうが、熱伝導率が低いフリップチップボンダー用アタッチメント。 （もっと読む）

【課題】二段階の加熱を行う異方性導電接着剤を用いて基板に半導体チップを接続する場合に、基板や半導体チップを含んで構成される接続構造体の生産効率の向上を図るための接続構造体の製造装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】プレヒートエリアＡでは、異方性導電接着剤３の内部に存在する気泡を脱泡させる等のために接続構造体Ｗを第１温度で加熱するための予備加熱作業が行われ、圧着加熱エリアでは、半導体チップを基板１及び異方性導電接着剤に向かって加圧するとともに、異方性導電接着剤を加熱硬化させるために接続構造体Ｗを第１温度よりも高い第２温度で加熱するための圧着加熱作業が行われ、圧着加熱エリアにて先行する接続構造体Ｗについての圧着加熱作業が行われているときに、プレヒートエリアＡにて後続の接続構造体Ｗについての予備加熱作業が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し、且つ該配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、上部ステージ２９は、下部ステージ２８に載置された内側トレイ１６ａにおける配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９が間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａをそれぞれ含む８つの内側トレイ１６ａを有し且つ各配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は全ての内側トレイ１６ａを収容し、複数の下部ステージ２８の各々はチャンバ２７内において複数の内側トレイ１６ａの各々を載置し、複数のチャック２９の各々は、チャンバ２７内において、配置面１６ａａに配置された積層チップ２１の各々と一対一で対応して配設され、各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９が各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９の間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】熱処理が施されるワークに対して温度制御を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】上クランパ部２７、下クランパ部２８でクランプされたワークＷに対する温度を制御する。まず、クランプ面２７ａ側から順に冷却部３２、加熱部３３が設けられた上クランパ部２７と、下クランパ部２８とでワークＷをクランプする。次いで、冷却部３２および加熱部３３を有する温度制御機構６１によって加熱し続ける。ここで、温度制御機構６１では、加熱部３３をオン動作させながら、冷却部３２のオン動作およびオフ動作を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】積層された複数の部材の接続信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】積層された配線基板２上の半導体チップ３を含むワークＷをクランプして、各部材を圧着する圧着装置１は、ワークＷを挟み込んでクランプする上クランパ部２７および下クランパ部２８が対向して設けられている。ここで、上クランパ部２７は、クランプ面２７ａ側から遠ざかる方向に冷却部３２および加熱部３３がこの順に設けられ、クランプ面２７ａに押し当てられたワークＷを加熱するように冷却部３２および加熱部３３で温度調節を行うものである。また、下クランパ部２８は、支持ブロック３６およびこれから起立して並べられた複数の支持ロッド３７を有して、複数の支持ロッド３７の先端でワークＷをフローティング支持したまま上クランプ部２７のクランプ面２７ａに押し当てるものである。 （もっと読む）

【課題】小型化（ファイン化）された半導体チップを確実に実装することができるとともに、製造コストを低減することができる、半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用配線部材１０は、半導体チップ１５上の電極１５Ａと外部配線部材２１とを電気的に接続するものである。このような半導体装置用配線部材１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の一の側に配置された金属基板１２と、絶縁層１１の他の側に配置された銅配線層１３とを備えている。また絶縁層１１の銅配線層１３側に半導体チップ載置部１１Ａが形成されている。銅配線層１３は、半導体チップ１５上の電極１５Ａと接続される第１端子部１３Ｄと、外部配線部材２１と接続される第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを接続する配線部１３Ｃとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】より高速に且つより高精度に２つの対象物の位置合わせを行うことが可能なアライメント技術を提供する。
【解決手段】ボンディング装置３０は、チップＣＰを保持するヘッド部３３Ｈと基板ＷＴを保持する基板保持部と、両対象物ＣＰ，ＷＴの相対位置誤差を測定する測定手段（撮像部３５ａ，３５ｂ等）とを備える。測定手段は、両対象物ＣＰ，ＷＴが対向配置され且つ基板ＷＴの載置面に平行な平面内においてチップＣＰが所定のボンディング位置（Ｘ、Ｙ）に配置された状態で、両対象物ＣＰ，ＷＴの各対向面とは反対側の面である２つの反対向面のうちの少なくとも一方面側（チップＣＰの上側および／または基板ＷＴの下側）から、チップＣＰに関するアライメントマークＭＣ１と基板ＷＴに関するアライメントマークＭＣ２とを撮像することによって、両対象物ＭＣ１の相対位置誤差を測定する。 （もっと読む）

【課題】ヒータ構成各部間に隙間が生じないようにする。
【解決手段】半導体チップと基板とを導電性ボンディング材を通じて接続するためのヒータにおいて、前記半導体チップを吸着する吸着エア用の第１流路と、前記導電性ボンディング材を溶着するための発熱体と、前記発熱体を挟み込む各部を接続する締付具と、前記発熱体によって加熱された導電性ボンディグ材を冷却する冷却エア用の第２流路とを備え、前記締付具は中空構造とされていて、当該中空部分が前記第１流路を構成しているヒータ。 （もっと読む）

【課題】接着層を介した部材同士の接続信頼性を向上する。
【解決手段】上型１１は、上加熱加圧部１７を有する。下型１２は、上下動可能な下加熱加圧部１７と、上下方向に延在する支持ピン２４とを有する。上加熱加圧部１６、１７には、クランプ面１６ａ、１７ａが形成されている。支持ピン２４は、下加熱加圧部１７が上動することで相対的にクランプ面１７ａから退避し、下動することで相対的にクランプ面１７ａから突出する。支持ピン２４がクランプ面１７ａから突出した状態で、支持ピン２４は、ワークＷを支持する。支持ピン２４がクランプ面１７ａから退避した状態で、下加熱加圧部１７は、支持ピン２４から受け取ったワークＷをクランプ面１７ａで載置したままクランプ面１６ａに押し当ててクランプする。上加熱加圧部１６および下加熱加圧部１７は、ワークＷをクランプしたまま加熱加圧する。 （もっと読む）

【課題】応力を軽減して、薄いシリコンチップを基板にはんだバンプ接続可能な半導体接合装置を提供する。
【解決手段】５０μｍ以下の厚さのシリコンチップ上のコンタクトと、基板上の複数のコンタクトのはんだバンプ接続において、厚さが７５μｍ〜１２５μｍのＰＧＳ(Pyrolytic Graphite Sheet)を接着したツールヘッドを使用して、加熱溶融と、空気の強制対流に基づいた徐熱によって、電気的機械的接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】接続端子間の接続信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】上クランパ１６および下クランパ１７は、対向して位置合わせされた接続パッド５および接続バンプ６を有するワークＷをクランプして、接続パッド５および接続バンプ６を当接させる。超音波振動子３２は、当接された接続パッド５および接続バンプ６を振動させる。ヒータ３１は、当接された接続パッド５および接続バンプ６を加熱する。シール機構１４は、上クランパ１６と複数の下クランパ１７の周囲に設けられ、クランプされたワークＷが内包される密閉空間を形成する。上クランパ１６および下クランパ１７は、加熱された接続パッド５および接続バンプ６をさらに加圧して、接続パッド５および接続バンプ６を接合させる。 （もっと読む）

【課題】加熱したチップの温度低下を抑制して温度バラツキを最小限に抑えることにより、接合不良なくチップを基板に実装することができるチップ加熱ヘッドを提供する。
【解決手段】チップ加熱ヒータ部５を、チップ７を加熱する熱源となるヒータ本体１０と、ヒータ本体１０により加熱されて真空吸着等でチップ７を把持するコレット１１とから構成する。ヒータ本体１０からチップ７への伝熱方向において、チップ７のチップ中央部とチップ外周部とでコレット１１とチップ７との接触密度が異なるように構成されている。具体的には、チップ７の中央部にコレット１１がチップ７と接触する接触部を設け、チップ７の外周部にコレット１１がチップと接触しない非接触部を設ける。これによって、チップ７の温度分布を均一にして、半田未溶融やボイド残留などの接合不良を発生させることなく、チップ７を基板へ実装することができる。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の熱影響を低減しながらも、スタッドバンプを利用して効率的に電子部品を組み立てる。
【解決手段】常温より高い温度に基板を加熱しながら、スタッドバンプ形成装置によって基板に金属のスタッドバンプを形成し、このスタッドバンプの形成以降、基板を常温まで温度降下させない状態を維持し、チップボンダによって前板の前記スタッドバンプ上に電子部品片を配置して超音波接合するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ピラーバンプなどの微細な半田バンプが形成されたチップを基板に熱圧着する実装方法において、ピラーバンプが基板の電極に良好に熱圧着されかどうかを判定することができる実装方法および実装装置を提供すること。
【解決手段】 チップを熱圧着ツールで保持して基板側に下降させる工程と、チップのピラーバンプが基板の電極に接触した後、チップを保持する熱圧着ツールの温度を半田溶融温度に昇温する工程と、予め設定されている押し込み量だけ、チップを基板側に押し込み、押し込みが完了した際の、基板の電極からの反力を測定する第１の反力測定工程と、ピラーバンプに設けられた半田溶融した際の基板の電極からの反力を測定する第２の反力測定工程と、前記第１の反力測定工程の測定結果と、前記第２の反力測定工程の測定結果から、溶融したピラーバンプと電極の位置合わせの良否を判定する反力判定工程と、を有する実装方法および実装装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを配線基板に接着剤を介してフリップチップ実装する際の熱圧着時に、流動した接着剤が加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入しないようにすると共に、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤が過度に拡がらず、また、半導体チップの側面が十分に硬化した接着剤で覆われるようにし、更に、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で空気を噴出させることができるような構成を有する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための半導体製造装置は、吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている加熱ヘッドを有する。 （もっと読む）

【課題】実装部近傍の構成部品に対する熱衝撃を緩和させる。
【解決手段】熱硬化性の接着剤層２３を介して実装部品１８，２１を熱加圧することにより実装部２０，２２に実装部品１８，２１を接続する熱圧着ヘッド３において、熱圧着ヘッド３は、ペルチェ素子５を有し、ペルチェ素子５は、実装部品１８，２１を熱加圧する際に、実装部２０，２２近傍に設けられた他の構成部品１５と対峙する面側を冷却部６とする。 （もっと読む）

【課題】この発明はＴＣＰに貼着された熱硬化性の粘着テープを、ＴＣＰを基板に実装する前に硬化させることがないようにした実装装置を提供することにある。
【解決手段】加熱することで溶融硬化する粘着テープが貼着されて実装ヘッド１４に吸着保持されたＴＣＰを、加圧加熱しながら基板に実装する実装装置であって、
実装ヘッドは、ＴＣＰの粘着テープが貼着された一方の面と反対側の他方の面を吸着保持する吸着面４８ａを有する実装ツール部４１と、ＴＣＰを基板に実装するときに実装ツール部を加熱するヒータ５８を有するヒータブロック４３と、実装ツール部とヒータブロックとの間に設けられＴＣＰが基板に実装されたならば、実装ツール部を冷却する冷却媒体が流される流通路５４が形成された伝熱ブロック４２を具備する。 （もっと読む）

【課題】チップ仮置済み基板を前工程で製作することにより、ボンディングヘッドを単純化させることによって小型で作業速度を早くすることができ作業効率を向上させることができる手段を提供する。
【解決手段】チップ２０を基板２１上に仮置した状態２３でボンディングヘッド３０が下降してチップに接触した位置を力センサ３１によって計測し、チップを吸引し保持高さを調整し、パルスヒータ３８でチップを加熱冷却することで制作速度を早くできる。 （もっと読む）