【課題】リフロー工程でのフラックスの飛散エリアを十分に縮小できるリフロー装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリフロー装置は、フレキシブルテープ３上に素子５を実装する際、前記素子５と前記フレキシブルテープ３とを半田ペースト６によって接合するためのリフロー装置であって、前記半田ペースト６を加熱して溶融させる本ヒート用ステージ２と、前記本ヒート用ステージ２によって前記半田ペースト６を加熱する際に前記素子５及び前記半田ペースト６を覆うフラックス飛散防止治具４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リフロー処理によりモジュール基板に反りが発生した場合での半導体モジュールの実装歩留の低下を抑制する。
【解決手段】半導体モジュール７０には、実装部品１乃至３が実装される。半導体モジュール７０に設けられる基板４１のリード端子と基板４１上に載置される実装部品の外部端子とを接続するはんだは、基板４１の反りが大きい中央部の単位面積当たりのはんだ量を多くし、端部側になるほどはんだ量を減少させ、基板４１の反りが小さい端部の単位面積当たりのはんだ量を少なくしている。 （もっと読む）

【課題】装置の構成が簡単かつ安価な半導体装置の製造方法および装置等を提供するものである。
【解決手段】バンプ同士またはバンプと電極部とを近接させて接合する工程において、特に熱による半田の溶融による接合に関して、近接していく側の位置をモニタリングすることで、接合状態を検査することを特徴とする構成である。 （もっと読む）

【課題】実装部品の製造プロセスを変更しなくても、またアンダーフィル剤を使用しなくても、実装部品と配線基板との接合信頼性を高め易い実装済み基板を得ること。
【解決手段】所定パターンの配線が形成された配線基板１と、該配線基板に表面実装された実装部品２０とを備え、配線基板の部品実装面ＭＳ₂と実装部品の下面との間に形成された複数のはんだ接合部ＳＪ₂，ＳＪ₂，……により実装部品が配線基板に接合されている実装済み基板３０を得るにあたり、リフローさせたはんだに部品実装面側から実装部品側に向かう外部応力を付与し、この状態で当該はんだを固化させてはんだ接合部とする。 （もっと読む）

【課題】金属ワイヤ等の多数の接合部材を電極表面に簡易且つ精度良く接続することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２又は回路基板の表面に形成された複数の端子１に、導電材料３を介して接合部材４を接続する半導体装置の製造方法は、前記複数の接合部材４を保持する工程と、保持された前記接合部材４を、前記接合部４材の融点未満の温度に加熱する工程と、前記端子１の表面に形成された前記導電材料３に前記接合部材４を接触させることにより、前記導電材料３を溶融させて、前記端子１に前記接合部材４を接続させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを基板に実装するに際し、はんだ付け時の擬似接触、未はんだ、及びブリッジによるはんだ付け不良を防止することが可能な半導体装置、及びその製造方法、並びにそれに用いるはんだ供給装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体パッケージ１０を基板２０に実装するに際して、はんだ供給装置４０により複数のランド端子２１・２１・・・上に半導体パッケージ１０のバンプ１１・１１・・・の形状に応じてクリームはんだ粒３・３・・・を供給し、当該供給されたクリームはんだ粒３・３・・・により各ランド端子２１・２１・・・上に形成されるクリームはんだ４・４・・・、半導体パッケージ１０及び基板２０をリフロー等して加熱することにより、半導体パッケージ１０のバンプ１１・１１・・・と基板２０のランド端子２１・２１・・・とをはんだ付けして構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】優れたフラックス残渣の溶解または拡散作用を有する液状封止樹脂組成物を提供し、かつフラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上すること。
【解決手段】半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】接着剤後入れ工法における接着剤未充填の電子装置搬送時に接合部が破損し易いという課題と、接着剤先入れ工法における実装基板と電子部品との空間部に充填される接着剤に未充填部が発生し易いという課題とを同時に解決する。
【解決手段】実装基板に第１の接着剤を塗布する塗布工程と、接続パッドとバンプとが接触するように実装部に電子部品を載置した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第１の接着剤を硬化させて実装基板と電子部品とを接着する第１の加熱工程と、減圧下で実装基板と電子部品との間の空間部に第２の接着剤を充填する充填工程と、その実装基板および電子部品を減圧下から大気圧下に戻した後、電子部品の反実装面に加熱ヘッドを押し付けて電子部品を加熱し、第２の接着剤を硬化させると共に、接続パッドとバンプとを接合させる第２の加熱工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との間の隙間に充填されるアンダーフィルが不所望領域へ広がりにくい半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ実装された半導体チップ５と対向する基板１上の銅箔パターン２（電極２０群やグラウンド電極２１）がビア導体３を介して基板１の底面側の銅箔パターン２（電極２２群やグラウンド電極２３）と導通されており、この底面側の銅箔パターン２に熱源８を接触させた状態で、半導体チップ５と基板１との間の隙間に液状のアンダーフィル６を注入して充填させる。また、基板１上には予め所定領域に半田レジスト膜４を形成しておき、半導体チップ５と対向する方形状領域Ａに形成された半田レジスト膜４の外周部で基板面露出部１０に隣接する枠状部分４ａが、銅箔パターン２と重なり合わずに半導体チップ５の実装領域を全周に亘って包囲するようにしておく。 （もっと読む）

【課題】生産性を損なうことなく、配線基板等の反りおよび配線基板と半導体チップ等との接合不良が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】一または二以上の配線基板３０３と、少なくとも二つ以上の半導体チップ３０１または半導体装置とを同時に加熱する一括リフロープロセスにより、配線基板に半導体チップまたは半導体装置を加熱接合するための半導体製造装置であって、該半導体製造装置が配線基板３０３を吸着固定するステージ３００と、半導体チップ３０１または半導体装置を非接触で加熱する熱源１００と、熱源１００の熱量を制御する制御部とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数の第１の凹部と第１の凹部内に形成された第２の凹部とを有した支持基板を準備した後に（ステップＳ１）、第２の凹部に、第１の電極層を配置する（ステップＳ２）。次に、複数の第２の電極層を配設した半導体素子を、支持基板に接近させる（ステップＳ３）。次に、加熱処理により、第２の電極層を支持基板の第１の凹部に受容しながら、第２の電極層内に第１の電極層の一部を貫入する（ステップＳ４）。そして、第１の電極層及び第２の電極層を冷却し、支持基板を第１の電極層及び第２の電極層から離反する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】高温にしたノズルで半導体チップ等を吸着し、基板の電極部上に設けた半田を加熱してフリップチップ実装する場合、電極間での温度上昇にばらつきがあると、接続の信頼性が低下してしまう。
【解決手段】半導体チップがフリップチップ実装される配線基板１２上には、配線パターン１８〜３４の一部に電極部１８ａ〜３４ａが確保されており、各電極部１８ａ〜３４ａ上に半田３６が塗布されている。このとき半田３６は、配線パターン１８〜３４への熱の分散（逃げ）を考慮して予めの使用量（塗布量）が個別に調整されている。例えば、面積の大きい配線パターン１８では半田３６の使用量を少なくし、その他の配線パターン２０〜３４では半田３６の使用量を多くする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフリップチップで実装を行う際、加熱におけるはんだの量の減少を生じず、半導体素子と回路基板の接続不良がないようにする手段を提供する。
【解決手段】貫通孔を有する第１フィルム１０１及び第２フィルム１０３を互いに貫通孔の開口が大きい面１０１ａ、１０３ａを向かい合せて、その真ん中にはんだボール１０２を載置し、半導体素子１０４の電極１０６と回路基板１００の電極１０５をそれぞれ第１フィルム及び第２フィルムの貫通孔の開口小さい面１０１ｂ、１０３ｂを位置合わせ、真空で加圧及び加熱により、半導体素子、フィルム、回路基板が互いに接着すると同時に、はんだボールを介して、半導体素子の電極と回路基板の電極が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】隣接する導通部が電気的に接続してショートするのを抑制することができるはんだペースト、電気基板、及び電気基板の製造方法を得る。
【解決手段】隣接する夫々の導通部の間が狭い場合は、はんだペースト１０の塗布範囲がばらつくことで、導通部同士が電気的に接続してショートすることが考えられる。しかし、隣接す導通部の間に、磁力によって磁性体粉末１６が集められる。磁性体粉末１６は、磁性部１６Ａを絶縁層１６Ｂで覆うことで構成されている。つまり、隣接する導通部３４同士の間が狭い場合でも、磁性体粉末１６の絶縁層１６Ｂにより、隣接する導通部３４が電気的に接続してショートするのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップパッケージの端子接合と封止をリフロー加熱により一括に行うことができ、高接続信頼を有する液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 リフロー加熱によりフリップチップパッケージの端子接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、リフロー加熱が半田の融点よりも低い温度のリフロー予備加熱温度と半田の融点よりも高い温度のリフロー本加熱温度を有し、前記液状封止樹脂組成物の粘弾性測定における粘度が、リフロー予備加熱時の温度範囲で１Ｐａ・ｓ以下で、リフロー本加熱時のピーク温度でのゲルタイムが３０ｓ以下である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】回路基板への実装が容易で、実装信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板２と、電極２１に設けられるＡｕバンプ３とを備える。Ａｕバンプ３は、突起３ａを備え、Ａｕバンプ３の周囲には、Ｎｉ層３１を介して半田層３２が形成されている。突起３ａにより低加重で容易に半導体装置１を実装することができる。また、回路基板６上の電極６１に供給する半田６２の量を少なくしても、実装後は十分な量の半田３３で接合することができる。さらに、Ｎｉ層３がバンプ食われを防止するので、高い実装信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチのバンプを有するハイエンド電子部品を実装可能な電子部品の実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】ヘッドツール３の吸着ノズル１１により吸着保持された電子部品１の各半田バンプ１ｂと回路基板４の各半田部２の当接を検出した後、各半田バンプ１ｂ及び各半田部２を加熱により溶融させ、ヘッドツール３の吸着ノズル１１による電子部品１への吸着保持の解除のタイミングを、半田の溶融中に解除するのではなく、半田が溶融後冷却されて固化した後に解除を行う。 （もっと読む）

パッケージ化された超小型電子アセンブリは、前面（１２２）と、前面（１２２）から離れる方に延伸している複数の第１の固体金属ポスト（１１０）と、を有している超小型電子素子（１０４）を備えている。第１のポスト（１１０）の各々は、前面（１２２）の方向における幅および前面（１２２）から延びる高さを有しており、この高さ（Ｈ２）は、幅（Ｗ１）の少なくとも半分になっている。上面（１０１）と、上面（１０２）から延伸して第１の固体金属ポスト（１１０）に接合されている複数の第２の固体金属ポスト（１０８）と、を有している基板（１０２）も設けられている。
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【課題】半田が溶融する時の電子部品１４の中心軸のズレを抑制し且つ電子部品１４の回転方向のズレを許容する。
【解決手段】電子部品１４の電極は第１〜第４の半田付け位置Ｐ_１〜Ｐ_４において第１〜第４のランド部１３ａ〜１３ｄに接続され、第１の半田付け位置Ｐ_１と第３の半田付け位置Ｐ_３は電子部品の対角上に配置され、第２の半田付け位置Ｐ_２と第４の半田付け位置Ｐ_４は電子部品の他の対角上に配置され、第１のランド部１３ａは、第１の半田付け位置Ｐ_１から＋Ｙ方向に向けて延長され、第２のランド部１３ｂは、第２の半田付け位置Ｐ_２から＋Ｙ方向に対して略９０度の角度に向けて延長され、第３のランド部１３ｃは、第３の半田付け位置Ｐ_３から＋Ｙ方向に対して略１８０度の角度に向けて延長され、第４のランド部１３ｄは、第４の半田付け位置Ｐ_４から＋Ｙ方向に対して略２７０度の角度に向けて延長されている。 （もっと読む）