【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える実装構造体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】電子部品２の電極パッド６は、銅または金を含む第１下地層７ａと、該第１下地層７ａおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第１介在層８ａとを具備し、配線基板３の接続パッド１１は、銅または金を含む第２下地層７ｂと、該第２下地層７ｂおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第２介在層８ｂとを具備し、電極パッド６および接続パッド１１に接続された、スズ、インジウムまたはビスマスを含む導体バンプ４は、第１介在層８ａの前記ニッケルが拡散してなる第１拡散層領域１８ａと、第２介在層８ｂの前記ニッケルが拡散してなる第２拡散層領域１８ｂとを具備し、第１拡散層領域１８ａは、第２拡散層領域１８ｂよりも厚みが小さい。 （もっと読む）

【課題】フィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることなく、良好な接続が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ４を有する第１の回路部材１と、パッド電極５を有する第２の回路部材６の間に絶縁性樹脂組成物３を介在させた状態で、加熱および加圧により前記第１の回路部材のバンプと前記第２の回路部材のパッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプが下式（１）を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。ｔ１−ｔ２＞０．１ｒ（１）ｔ１：最頂部のバンプ高さｔ２：最頂部からバンプ半径ｒの１／２離れた位置のバンプ高さｒ：バンプ半径 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。
【解決手段】複数の回路基板１の第一端子と、複数の半導体素子２のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層３を配置して複数の積層体４を形成し、複数の積層体４を加熱しながら、複数の積層体４を同時に積層体４の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体４を加熱炉５１内で加熱しながら、加熱炉５１内に配置されたダイアフラム５４を複数の積層体４あるいは、複数の積層体４を挟圧するための部材５３１に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体４を真空下で同時に積層体４の積層方向から加圧する。 （もっと読む）

【課題】はんだ表面の酸化物の生成を抑制できる手段を提供する。
【解決手段】ある実施例では、システムは、堆積システム及びプラズマ/ボンディングシステムを有する。当該堆積システムは、多数の基板のうちの1つの基板表面にはんだを堆積する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記基板をプラズマ洗浄するプラズマシステム、及び、前記基板のボンディングを行うボンディングシステムを有する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する。ある実施例では、基板表面にはんだを堆積する工程、前記基板から金属酸化物を除去する工程、及び、前記基板の表目にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】低溶融粘度化によって、チップ搭載温度の低温化への対応および超音波振動を利用したフリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量が１００００より大きく、常温(２５℃)において固形である樹脂、（ｂ）絶縁性球状無機フィラー、（ｃ）エポキシ樹脂、（ｄ）硬化剤を必須成分とするフィルム状接着剤であって、５０〜２５０℃のいずれかの温度で最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であり、硬化物の２５〜２６０℃における平均線膨張係数が２００×１０^−６/℃以下であるフィルム状接着剤。該フィルム状接着剤を使用する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】再配線層を形成しなくても、アナログ回路を構成する素子や配線に対する外来ノイズの影響を低減できる、リード部上にフリップチップ実装されたＩＣチップが樹脂で封止されてなる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】互いに電気的に分離された４つのリード部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ上にＩＣチップ３がフリップチップ実装されている。リード部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及びＩＣチップ３は封止樹脂７によって樹脂封止されている。ＩＣチップ３内に形成された少なくとも１つのアナログ回路は、ＩＣチップ３がリードフレーム上に実装された状態で、そのアナログ回路を構成する素子及び配線の少なくとも一部がその素子及び配線の基準となる電圧端子と電気的に接続されているリード部１ａ、１ｂ、１ｃ又は１ｄで覆われている。 （もっと読む）

【課題】電極端子の接続信頼性が高い樹脂組成物、及びこの樹脂組成物を用いて製造する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１とを半田接合する際に、第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物１３０であって、前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、１８０℃、及び２５０℃におけるゲルタイムが１００秒以上である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、はんだボールを有するパッケージ部品と実装基板との接合強度を確保することが可能なパッケージ部品の接合方法を提供する。
【解決手段】パッケージ部品の接合方法は、はんだボールを有するパッケージ部品を実装基板に接合させるパッケージ部品の接合方法であって、熱硬化性樹脂組成物からなり、厚みが前記はんだボールの高さ寸法に対して２０％以上９０％以下である樹脂組成物膜を形成する膜形成工程と、前記パッケージ部品１のはんだボール１１を前記樹脂組成物膜中に浸漬させて、前記熱硬化性樹脂組成物３１を前記はんだボールに付着させる樹脂組成物付着工程と、前記熱硬化性樹脂組成物が付着したパッケージ部品を前記実装基板２の接合用ランド２１上に搭載する搭載工程と、リフロー工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板の電極パッドを拡幅化することなく、電子部品の端子を回路基板の電極パッドに確実に実装する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の第１の端子１２０ａにより加圧された際に前記第１の端子に対して回路基板２００の実装表面と平行な第１の抗力Ｆ１ａを作用させる、前記回路基板上に形成された第１の電極２２３ａに、前記第１の端子を接触させると共に、前記電子部品の第２の端子１２０ｂにより加圧された際に前記第２の端子に対して前記第１の抗力を相殺する第２の抗力Ｆ１ｂを作用させる、前記回路基板上に形成された第２の電極２２３ｂに、前記第２の端子を接触させる工程と、前記第１の端子及び前記第２の端子を前記第１の電極及び前記第２の電極に加圧する工程と、を備える電子装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】対向する複数の端子同士間において、優れた選択性をもって溶融状態の金属材料を各端子同士間に凝集させて、これら端子同士を金属材料を介して優れた精度で電気的に接続することができる端子間の接続方法、および、接続端子の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の端子間の接続方法は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、端子２１と端子４１とを電気的に接続する方法であり、導電接続シート１を、端子２１と端子４１との間に配置する工程と、端子２１と端子４１との間の離間距離が接近するように半導体チップ２１とインターポーザー３０とを加圧しつつ、金属材料の融点未満の温度で導電接続シート１を加熱する工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 （もっと読む）

【課題】バンプ付きの電子部品を部分的に樹脂補強材によって基板に固着して補強する実装形態において、樹脂補強材が電極を局部的に覆うことに起因するはんだ接合性の低下を有効に防止することができる電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の熱硬化性樹脂に第１の活性成分を配合した熱硬化型フラックス８を介してバンプ２を電極６に着地させ、第２の熱硬化性樹脂に第２の活性成分を配合した樹脂補強材１０を電子部品１の補強部位１ａに接触させた後に基板５を加熱し、バンプ２と電極６とを接合するはんだ接合部２＊を形成するとともに、はんだ接合部を周囲から補強する樹脂補強部を形成する形態の部品実装に際して、熱硬化型フラックス８および樹脂補強材１０の配合組成において、第２の活性成分の配合比率を第１の活性成分の配合比率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの半田バンプとパッケージ基板ユニットの半田バンプとの接続信頼性の向上及び半田バンプ間での狭ピッチ化を図れるパッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板ユニット１の半導体チップ実装層２０は、絶縁層２１と、絶縁層２１の上面に形成された導電めっきシート層２２ａと、導電めっきシート層２２ａの上面に形成された導電パッド２３と、導電パッド２３の上面のほぼ中央部に形成される金属ポスト２４と、導電パッド２３及び金属ポスト２４とを包囲するように形成されたソルダーレジスト層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１０を外部接続用突起電極９を介して配線基板２０に実装する方法は、前記半導体素子１０の前記外部接続用突起電極９と前記配線基板２０とを接続するためにリフロー加熱処理を施した後に、接続された前記半導体素子１０及び前記配線基板２０を、約０．５℃／秒以下の冷却速度で冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
熱容量の異なる半導体素子接続パッドに半田バンプを介して半導体素子の電極を接続する際、半田バンプ同士の短絡を防ぎ半導体素子の正常作動が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
ビア導体２ａが充填された多数のビアホール１ｃを有する絶縁層１ｂの表面にビア導体２ａと一体的に形成された導体層２から成る第１の半導体素子接続パッド３ａと、絶縁層１ｂ上に形成された導体層２のみから成る第２の半導体素子接続パッド３ｂとが、第１の半導体素子接続パッド３ａの配列中に第２の半導体素子接続パッド３ｂが分散して配設されるとともに第１および第２の半導体素子接続パッド３ａおよび３ｂに半田バンプ５が溶着されて成る配線基板１０であって、第２の半導体素子接続パッド３ｂに溶着された半田バンプ５の体積が第１の半導体素子接続パッド３ａに溶着された半田バンプ５の体積より小さい配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制しながら、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いる封止樹脂を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装による半導体チップ実装体の製造方法であって、ハンダからなるバンプを有する半導体チップを、封止樹脂が塗布又は貼付された基板又は他の半導体チップ上に、前記封止樹脂を介して位置合わせする工程と、前記ハンダの溶融温度よりも低い温度で加熱するとともに荷重を付与して、前記封止樹脂の硬化率を７０％以上に調整するとともに、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接触させて半導体チップ固定体を得る固定工程と、前記ハンダを溶融させて、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接続する電極接続工程とを有する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】吸着ノズルの移動を妨げることなく、浸漬ポイントにおける膜厚を検出することが可能なディップフラックスユニットを提供することを課題とする。
【解決手段】ディップフラックスユニット５は、基部５０と、基部５０に取り付けられ、吸着ノズル３２０に吸着される電子部品３２０ａが浸漬される浸漬ポイントＡを有する液体の膜５１２ａが形成される転写台５１２を有し、浸漬ポイントＡにおいて電子部品３２０ａに液体が転写される転写位置と、吸着ノズル３２０の移動範囲外の退避位置と、の間を移動する可動部５１と、転写台５１２に対して移動し、液体に当接することにより液体の膜厚を調整する当接部５２０を有するスキージ５２と、退避位置において浸漬ポイントＡの膜厚を検出する膜厚検出センサ５３と、膜厚検出センサ５３により検出される膜厚を基に、当接部５２０の転写台５１２に対する高度を調整する高度調整部５４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し、信頼性が高く電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化銅から銅へ還元する際、酸化銅内に多数の金属銅の核が形成し、元の外形を維持したまま形骸化して還元され、生成する銅の曲率は大きくなる。この微粒子化メカニズムを利用することで、酸化銅を粒子状ではなく、緻密な層状で提供しても接合が可能となる。また、耐マイグレーション耐性の高い銅を用いることで従来の銀よりも高い信頼性を有する接合が可能となる。本発明は、電気信号を入出力する電極または電気信号を接続するための接続端子を備えた電子部材であって、電極または接続端子の最表面が酸化銅層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板の回路基板に対する実装高さをより大きくすることによりパッケージ基板と回路基板との間の接続信頼性を高めるに当り、所望の実装高さを容易に達成することができる手段を提供する。
【解決手段】熱膨張率が異なる第１基板２７と第２基板２４とが半田材２８により加熱接合されて形成される回路基板ユニットであって、第１基板２７と第２基板２４との間に配置され、熱膨張性材１１と熱硬化性材１２から形成されるスペーサ１０を備え、熱硬化性材１２の硬化温度は前記半田材２８の融点よりも高い。 （もっと読む）

【課題】フラックス除去の工程を省略することができるにもかかわらず、基板間の位置ずれを軽減する半田付け方法を提供する。
【解決手段】
複数の基板５０ａ、５０ｂに仮止め剤５５を塗布して、仮止め剤５５を介して基板同士を仮止めした状態でヒータ３３によって加熱し、半田５４の溶融する前または半田５４の溶融中に仮止め剤５５を蒸発させつつ、溶融した半田５４を介して基板５０ａ、５０ｂを半田接合する （もっと読む）