【課題】簡単な構成でワイヤボンディング工程終了後の外観目視検査を容易にした半導体チップを提供する。
【解決手段】チップ表面に並んで配置される複数のボンディングパッドを有する。上記ボンディングパッドの開口部の形状は、隣接するボンディングパッド同士において外観上の識別が可能な形状とする。チップ表面に複数の第１と第２ボンディングパッドとを有する。上記複数の第１ボンディングパッドは、搭載基板に搭載される別の半導体チップに設けられるボンディングパッドとの接続用とする。上記複数の第２ボンディングパッドは、搭載基板に設けられるボンディングリードとの接続用とする。上記第１ボンディングパッドの開口部は、上記第２ボンディングパッドの開口部よりも大きな面積を持ち、上記第２ボンディングパッドの開口部の形状は、隣接するもの同士において外観上の識別が可能な形状とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、接続信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハの、各半導体チップ形成領域における電極形成面上に突起部をそれぞれ形成し、突起部の形成されたウエハに対し、突起部を含んで半導体チップ形成領域の電極形成面全面を覆うように、電気絶縁性を有する接着部材を配置する。次に、接着部材の配置されたウエハを切り分けて複数の半導体チップとした後、接着部材を加圧して、突起部の先端部位を接着部材から露出させる。そして、接着部材から露出させた突起部を光学的な位置基準として、接着部材が配置された半導体チップと異なる半導体チップとを位置決めし、この位置決め状態でバンプを介して２枚の半導体チップの電極間を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】センサチップを回路チップに対してバンプを介してフリップチップ接続するものにあって、それらの接合強度を高める。
【解決手段】センサチップ１２を回路チップ１３に対しフェースダウン状態とし、４個のバンプ２９により接続する。このとき、センサチップ１２と回路チップ１３との間に、バンプ２９に加えて、両者の機械的な接続を行う８個のダミーバンプ３１を設ける。ダミーバンプ３１（ダミーパッド２３）を、第１〜第４の仮想線Ｌ１〜Ｌ４が形成する仮想四角形の各頂点部に４個配置すると共に、第３の仮想線Ｌ３に沿って、各頂点と第３の電極パッド２１との中間点に位置して２個、第４の仮想線Ｌ４に沿って、各頂点と第４の電極パッド２２との中間点に位置して２個配置する。各バンプ２９及び各ダミーバンプ３１の、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＸと、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＹとの関係が、ΣＸ＞ΣＹとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、半導体素子と半導体素子或いは回路基板とを電極どうしで接続し、その接続電極間に絶縁性樹脂接着剤を充填する場合、該絶縁性接着樹脂剤が流出し、接続すべき電極間に流れ込んで電気的特性が劣化するのを防止する。
【解決手段】表面が切削加工で平坦化された電極５とそれを囲む様に形成され電極５の頂面に比較して表面が僅かに高い半硬化の接着性絶縁ペースト層６を有する第１の基体に対し、表面が切削加工で平坦化され第１の電極に比較して頂面の面積が小さい電極１５とそれを囲む様に形成され電極１５の頂面に比較して僅かに低い半硬化の接着性絶縁ペースト層１６を有する第２の基体を対向させ、その位置関係で電極５と電極１５とを嵌合してから加圧及び加熱し、電極５と電極１５とを固相拡散接合すると共に半硬化の接着性絶縁ペースト層６及び１６を硬化させて第１の基体と第２の基体とを結合する。 （もっと読む）

【課題】SiPを形成するためのマルチチップ実装において、安価でしかも生産効率のよい方法で性能を劣化させることなく半導体チップ同士を接続できる半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】側面パッド形成のために凹部１３をダイシングライン１１上に形成する。その後、半導体集積回路の素子特性に影響がないように拡散防止層１４を形成する。そして凹部１３を導電体材料１５で埋める。ダイシング工程によってチップとして切り離されると同時に、チップ側面にパッドが形成される。このようにして形成された半導体集積回路チップ同士を隣接させ、側面パッドの導電体材料１５を加熱、溶解させて接合する。 （もっと読む）

【課題】第１の半導体チップとダイボンド剤との界面での剥離を抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ２が形成された第１のシリコンウェーハ基板１を可塑剤を含まないダイシングテープ４に貼り合わせてダイシング処理を行なって個片化された第１の半導体チップを得る。そして、第１の半導体チップ２上に第２の半導体チップ６を配置し、加熱処理を施して第１のチップ側バンプ３と第２のチップ側バンプ７とを溶融することで第１の半導体チップと第２の半導体チップとを電気的に接続した後に、実装基板に実装を行なう。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ技術における冶金上の問題および機械的安定性の問題の両方に対処するはんだバンプ構造を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に配置された相互接続層を備える半導体デバイス１００において、相互接続層１１５の上に不活性化層１２２が配置され、不活性化層１２２中にはんだバンプ１２８の支持開口１２５が形成されている。導体材料を含む複数の支持ピラー１２４がはんだバンプ１２８の支持開口１２５内に配置される。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路層間の隙間に電気的絶縁性接着剤を確実に配置でき、前記隙間よりはみ出た余分の接着剤を除去しなくてすむ、三次元積層構造集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの内部に複数の埋込配線（導電性プラグ）１５を形成し、それらの端を第１半導体回路層１ａの裏面に露出させる。第２半導体回路層２の表面に、各プラグ１５に対応して複数のバンプ電極４３ａを形成する。第２半導体回路層２の表面に、バンプ電極４３ａとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜４４ａを形成する。その後、第１半導体回路層１ａの裏面と第２半導体回路層２の表面を対向させて近づけ、その間で接着剤膜４４ａを変形させながら各バンプ電極４３ａの少なくとも一部を押し潰すことにより、埋込配線１５とバンプ電極４３ａとを相互に機械的接続すると共に、接着剤膜４４ａにより両回路層１ａと２を接着する。 （もっと読む）

【課題】 金属端子の接合を、長時間を要することなく大きな接合強度で実現できるようにする。
【解決手段】 第１の電子部品の金属端子２ａと第２の電子部品の金属端子２ｂを対向させ、対向する金属端子同士の間に金属端子の金属と同質の金属からなる金属超微粒子３を配置し、酸化皮膜を還元させた上で焼結させることで金属端子同士を接合させた接合部分を持つ電子部品の集合体を得る。好ましい例は、銅の金属端子同士を、銅あるいは銅合金から成る金属超微粒子により接合することである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが他の半導体チップなどの固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる半導体チップおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】子チップ２において、接続確認用バンプ１３は、機能バンプ１２よりも低く形成されている。そのため、子チップ２の表面１１が親チップ１の表面３に対して少しでも傾いていると、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分において、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間に広い隙間が生じる。そのため、はんだ接合材１６が膨張しても、そのはんだ接合材１６が接続確認用バンプ７の頂面に届かず、接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されない。よって、子チップ２が親チップ１に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と当該半導体基板が搭載される支持基板との熱膨張係数の違いに基づく応力が半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との間に於ける導電性部材部分に集中して、半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との電気的接続が破断されてしまうことを防止することができる凸状外部接続端子の配設構造を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の一方の主面に複数個の外部接続端子パッド１０２が配設され、当該外部接続パッド１０２上に複数個の凸状外部接続端子１０３Ａ、１０３Ｂが配設される。凸状外部接続端子を複数個配設することにより、半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との間に介在される接続部材との接触面積が増加することから、前記昇温・降温の際に生じるストレスはより広い範囲に分散される。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の半導体装置を製造するための部品実装動作を部品ダメージを生じることなく効率よく行うことができる部品実装装置および部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下チップ１４に上チップ１５を実装してチップオンチップ構造の実装体を形成する部品実装装置において、部品収納部２から部品移送ヘッド２１に装着された軟質材より成る第１の部品保持ノズル２２Ａによって、上チップ１５、下チップ１４を取り出して実装ステージ１８および実装ヘッド２７に供給し、下チップ１４に上チップ１５を実装した実装体を、部品移送ヘッド２１に装着された耐熱性の第２の部品保持ノズル２２Ｂによって保持して、実装ステージ１８から部品収納部２の第１の部品トレイ１３Ａに収納する。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の半導体装置を製造するための部品実装動作を部品ダメージを生じることなく効率よく行うことができる部品実装装置および部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下チップ１４に上チップ１５を実装してチップオンチップ構造の実装体を形成する部品実装装置において、部品収納部２から部品移送ヘッド２１に装着された軟質材より成る第１の部品保持ノズル２２Ａによって、上チップ１５、下チップ１４を取り出して同時に搬送し、実装ステージ１８に下チップ１４を載置するとともに上チップ１５を実装ヘッド２７に供給し、下チップ１４に上チップ１５を実装した実装体を、部品移送ヘッド２１に装着された耐熱性の第２の部品保持ノズル２２Ｂによって保持して、実装ステージ１８から部品収納部２の第１の部品トレイ１３Ａに収納する。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の実装体を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる部品実装装置および部品実装方法を提供すること。
【解決手段】下チップ６に上チップ７を実装してチップオンチップ構造の半導体装置とする部品実装装置において、第１の部品トレイ５Ａから搭載ヘッド１６によって下チップ６を搭載ステージ９に移載した後、搭載ヘッド１６によって上チップ７を第２の部品トレイ５Ｂから取り出して、搭載ステージ９上の下チップ６に搭載して半田接合する。その後、下チップ６に上チップ７が実装された実装体は、搭載ヘッド１６によって上チップ７を保持した状態で搭載ステージ９から搬出され、第１の部品トレイ５Ａに収納される。このような構成を採用することにより、簡略な構成の部品実装装置によってチップオンチップ構造の実装体を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の半導体装置を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる部品実装装置および部品接合方法を提供すること。
【解決手段】下チップ１４に上チップ１５を実装してチップオンチップ構造の実装体１９を形成する部品実装装置において、部品搬入部６から部品搬入ヘッド３３によって取り出した下チップ１４を実装ステージ１８に載置し、第２の部品トレイ１３Ｂから部品移送ヘッド２１によって取り出した上チップ１５を回転軸２１ａ廻りに上下反転させて部品受渡位置［Ｐ１］にて実装ヘッド２７に受渡し、部品実装位置［Ｐ２］にて、実装ステージ１８に保持された下チップ１４に実装ヘッド２７によって保持された上チップ１５を下降させて半田接合により実装する。実装により形成された実装体１９は、部品移動ヘッド２１により実装ステージ１８から搬出され、部品収納部２の第１の部品トレイ１３Ａに収納される。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップどうし或いは半導体チップと配線基板とをフリップチップボンディング方式で接合する際に、チップ自体にダメージを及ぼすことなく電気的に確実な導通をとって接合できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ１１（あるいは配線基板）の電極形成面をそれぞれ同一成分からなる液状の絶縁性封止樹脂５，１５で突起電極３，１３を覆うように被覆する工程と、被覆した封止樹脂５，１５を固化させる工程と、封止樹脂５，１５と突起電極３，１３の頭部とを一様の高さに研削する工程と、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ１１とを突起電極３，１３どうし当接させ、それぞれの封止樹脂５，１５を昇温させて一体に硬化させるとともに、それに伴って昇温する突起電極３，１３の当接部を熱結合させる工程とを有する。 同一成分からなる封止樹脂を用いるので、剥離やボイドが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】 半導体ベアチップの回路形成面側に他のチップまたは基板を対向させて積層し、コンポジット材料でそれらの間を接合して成る半導体装置において、前記コンポジット材料中のフィラーによる半導体ベアチップへのストレスを緩和して不具合の発生を防止する。
【解決手段】 ＭＥＭＳチップ２をシリコン半導体チップ３に積層して成る半導体装置１において、両者の回路形成面を相互に対向させて導電性微小突起４で電極間を接続するとともに、両者間に、低い硬化温度および線膨張係数で、充分な強度を得ることができるコンポジット材料５を充填して接合するにあたって、チップ２，３側には保護層７，８を介在する。したがって、コンポジット材料５中の硬いフィラー１０が、チップ２，３の表面を傷付けることを未然に防止し、半導体装置１の信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ放熱性が良く、突起電極精度の高い半導体実装体半製品、半導体実装体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップと基板電極が、金属線又は金属テープの側面で対向して接続されていることを特徴とする半導体実装体、その半製品及びこれらの製造方法である。 （もっと読む）

スルーワイヤ相互連結（１０２）によって半導体構成要素（８６）を製造するための方法は、回路側（６２）、裏側（６４）、及びスルービア（７６）を有する基板（５４）を供給するステップを含んでいる。本方法は、ビア（７６）を介してワイヤ（１４）を通し、裏側（６４）上のワイヤ（１４）上にコンタクト（９０）を形成し、回路側（６２）上のワイヤ（１４）上に、ボンディングされたコンタクト（９２）を形成し、続いてワイヤ（１４）を、ボンディングされたコンタクト（９２）から切断するステップもまた含んでいる。スルーワイヤ相互連結（１０２）は、ビア（７６）内のワイヤ（１４）、裏側（６４）上のコンタクト（９０）及び回路側（６２）上のボンディングされたコンタクト（９２）を含んでいる。裏側（６４）上のコンタクト（９０）及び回路側（６２）上のボンディングされたコンタクト（９２）は、多数の構成要素（８６−１、８６−２、８６−３）が隣接した構成要素の間で電気的な接続（１７０）を伴ってスタックされることを許容する。本方法を実施するためのシステム（１２０）は、ビア（７６）をともなう基板（５４）及びビア（７６）を介してワイヤ（１４）を通し、コンタクト（９０）及びボンディングされたコンタクト（９２）を形成するよう構成されたボンディングキャピラリ（１２）を有するワイヤボンダ（１０）を含んでいる。半導体構成要素（８６）は、チップスケール構成要素、ウェーハスケール構成要素、スタックされた構成要素（１４６）或いは、他の半導体構成要素（１５６）を電気的に作動させる、或いはテストするための相互連結構成要素（８６Ｉ）を形成するために使用されうる。 （もっと読む）

フリップチップマウントの際に、ウェーハ（１）内に製造された複数の半導体部品（２）の複数の接続コンタクト（３）上への複数のさらなる接続コンタクト（５）を有する、複数の半導体チップ（４）の表面に、液状層（６）が提供される。その液状層は、ウェーハ（１）上への複数の半導体チップ（４）の配置の際に、固まり、それにより、半導体チップを固定する。その構造は、真空オーブン内において、高温状態においてはんだ付けされ得、その際、付着剤は蒸発する。複数の半導体チップ（４）は、その際、ウェーハ上において加圧され得る。
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