【課題】いわゆる後工程に分離プロセスを適用し、低コストで３次元実装された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１１の表面側に複数の第１の集積回路１７を作製する工程と、第２の半導体基板１に設けられた分離層２の上に形成された半導体層３に、複数の第２の集積回路７を作製する工程と、２つの半導体基板を接合部同士が接合するように貼り合せ、貼り合わせ構造体を得る工程と、前記分離層で前記貼り合せ構造体から前記第２の半導体基板を分離することにより、前記複数の第２の集積回路が作製された半導体層３を前記第１の半導体基板１１に移設する工程と、前記第１の半導体基板１１をダイシングして、前記第１の集積回路と前記第２の集積回路とを有する積層チップを得る工程、とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップが基板上に積層されている半導体装置において、半導体チップ間の接続不良を低減する手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ２と、基板４上に半導体チップ２と互いに積層され、平面積が半導体チップ２よりも大きな半導体チップ３ａと、半導体チップ２の中央部のみで半導体チップ２を貫通している貫通電極２２と、貫通電極２２に対向する位置で半導体チップ３ａを貫通している貫通電極３２と、貫通電極２２と貫通電極３２の間に設けられ、貫通電極２２と貫通電極３２を導通させるように接続する導通バンプ７ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの三次元実装の際の歩留まりを向上させる。
【解決手段】制御装置１は、ウェハＷＦに形成されているＩＣチップの試験を回路試験装置２Ａに実行させ、その結果に基づいて不良なＩＣチップが同じ位置に配置されている複数枚のウェハＷＦを一組として選出し、さらに、選出できなったウェハのうちの複数枚のウェハの一部のウェハを所定の角度だけ回転させたときの不良なＩＣチップの位置と回転させなかったときの残りのウェハの不良なＩＣチップの位置とが一致する場合に当複数枚のウェハを一組として選出する。そして、選出した一組の複数枚のウェハＷＦを、不良なＩＣチップ同士が向かい合いかつ良好なＩＣチップ同士が向かうように向きを揃えて重ねて互いに向かい合ったＩＣチップ同士を接合させる処理を、ＩＣチップ接合装置２Ｄに実行させ、接合されたＩＣチップ群を個々に切り分ける処理を切断装置２Ｅに実行させる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装による半導体装置の破壊が防止できるフリップチップ用半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１１と半導体素子１１の一の面に形成された突起電極１２とを備え、半導体素子１１の内部であって突起電極１２の直下の穴１７に、弾性率が半導体素子１１を構成する材料の弾性率よりも低い樹脂１３を充填する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶを有するＳＯＩ基板を積層する場合に余分な圧力を加えることなく、少ない圧力で確実にバンプ間を接合する。
【解決手段】絶縁層および絶縁層に接して形成されたＳＯＩ層を有する基板と、基板の表面および裏面の間を貫通する貫通孔と、貫通孔に形成された、表面および裏面の間を電気的に結合する貫通結合部と、表面または裏面における貫通結合部の端部を露出する窪み部と、貫通結合部の端部に接して窪み部に形成された、他の基板と電気的に接触する部材となる接触部材と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に積層された半導体チップの放熱を改善することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】周辺部に接続パッド２２を有するパッケージ基板２１、上面の周辺部に形成された接続パッド１２、及び上面の接続パッド１２より内側に形成され、接続パッド１２に接続された接続パッド１３を有し、下面をパッケージ基板２１に固定された半導体チップ１１、下面の最も外側の周辺部を取り巻く１列が、電源または接地に接続された接続パッド１６を有し、下面の接続パッド１６の列より内側に、信号線に接続された接続パッド１７を有し、接続パッド１６及び接続パッド１７が半田バンプ２５を介して対応する位置の接続パッド１３に電気的に接続且つ固定された半導体チップ１５、並びに、接続パッド１６が半田バンプ２５及び接続パッド１３を経由して接続された接続パッド１２と、接続パッド２２とを電気的に接続する金属細線２７を備える。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積回路構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法に従うと、第１の能動回路層ウエハが準備される。第１の能動回路層ウエハは、能動回路を含むＰ−層により覆われているＰ＋部分を有する。第１の能動回路層ウエハは第１配線層を含むインターフェース・ウエハにフェイス・ダウン・ボンディングされ、次いで、第１の能動回路層ウエハのＰ−層を残すように第１の能動回路層ウエハのＰ＋部分が選択的に除去される。次に、Ｐ−層の背面に配線層が形成される。更に本発明に従うと、３次元集積回路構造及びこの３次元集積回路構造を製造するための手順を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板同士の接合工程の歩留まりを向上させることが可能な接合方法を提供することにある。
【解決手段】各半導体基板１，２それぞれに対して、半導体基板１，２において接合相手の半導体基板２，１に対向させる面側に絶縁層１２，２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層１２，２２の表面をＣＭＰにより平坦化する第１の平坦化工程と、絶縁層１２，２２に貫通孔１２ｃ，２２ｃを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔１２ｃ，２２ｃの内側に貫通配線１５，２５を形成する貫通配線形成工程と、貫通配線形成工程の後に絶縁層１２，２２の表面側をＣＭＰにより平坦化する第２の平坦化工程を行った後に、絶縁層１２，２２の表面上に接合用パッド１４，２４を形成する接合用パッド形成工程を行い、その後、接合用パッド１４，２４同士を常温接合する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】基板にチップ等の部品を効率よく高精度に実装することができる実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部Ｋ５を有する回転テーブル２２の上面にウエハを載置し、開口部Ｋ５において、バックアップ部とチップを保持したヘッド部を昇降してウエハおよびチップを当接して局所的に挟持し、加熱接合する。その後、バックアップ部およびヘッド部を退避し、保持テーブルに備えられたリフトアームをウエハと回転テーブル２２の間に挿入してウエハを上昇し、回転テーブル２２を回転移動してウエハに対して開口部Ｋ５を移動させる。そして、再びウエハを回転テーブル２２の上面に載置して、接合動作を行う。 （もっと読む）

半導体構造を結合するための改善された装置が、第１の半導体構造の第１の表面及び第２の半導体構造の第１の表面を蟻酸で処理するための装置と、第１の半導体構造の第１の表面を第２の半導体構造の第１の表面と向かい合わせに、かつ接触させて配置するための装置と、第１の半導体構造及び第２の半導体構造を互いに押圧することによって、第１の半導体構造の処理された第１の表面と第２の半導体構造の処理された第１の表面との間に結合界面を形成するための装置とを備える。第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を蟻酸で処理するための装置は、一部を液体蟻酸で、及び一部を蟻酸蒸気で満たされた密閉タンクを備える。入口バルブを開くことによって、タンクが窒素ガス源に接続されて、窒素ガスがタンクに流れ込むことができるようになる。出口バルブを開くことによって、蟻酸蒸気と窒素ガスとの混合物が、タンクから流れ出ることができるようになる。混合物は、第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を処理するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】室温でも接合面の洗浄することができ、容易に基板同士を接合できる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】接合装置１は、処理室としてのチャンバー２と、チャンバー２内に設けられ基板３を設置するステージ４と、チャンバー２に連通されたガス導入路５及びガス排出路６とを備える。ガス導入路５に紫外光照射部20が設けられており、供給される酸素ガスを紫外光照射部20によって励起して第１の洗浄ガスを生成し得るように構成されている。第１の洗浄ガスがチャンバー２内へ供給されると、第１の接合面10a及び第２の接合面11aに付着した有機物と酸化反応する。これにより、接合装置１は、第１の接合面10a及び第２の接合面11aから有機物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】フエイスアップ搭載された半導体チップと高低差のある基板上の電極とを、半導体チップのフエイスダウン接続により接続する。
【解決手段】基板１０上にフエイスアップ搭載された第１半導体チップ２１の第１電極１１と、基板１０上に形成された第２電極１２とを、フエイスダウンボンディングされた第２半導体チップ２２〜２４により接続する。この第２半導体チップは、薄く可撓性を有し、フエイスダウンボンディングの際の押圧により弾性変形し、第１電極１１と第２電極１２の間に段差部２２−１を形成する。段差部２２−１が高低差を吸収してボンディングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】全面にわたって均一な条件で、効率よく安全に基板を接合する。
【解決手段】一対の基板を接合する接合装置であって、一方の基板の位置を検出して、検出した位置に基づいて、前記一方の基板が他方の基板に近接する方向及び前記一方の基板が前記他方の基板から離反する方向への前記一方の基板の移動を制御する位置制御部と、前記一対の基板が所定の大きさの間隔以下の大きさの間隔で互いに近接していること、または、前記一対の基板が互いに接触していることを検出する近接検知部と、近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する圧力制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極数を極力低減すると共に、実装時に実装基板との平行度を保って接続不良の防止を図り、且つ半導体回路の破壊をも抑制した半導体チップを提供すること。
【解決手段】例えば、所定の間隙を持って対向させた各メモリバンク２２Ａ〜２２Ｄ間により形成された十字状の接続バンプ配置領域２３が設けられている。そして、十字状の接続バンプ配置領域２３における領域２３Ａに、信号入出力用接続バンプ２１Ａ（第１の電極）が群をなして配設させている。一方で、当該信号入出力用接続バンプ２１Ａが群をなす領域２３Ａに直交する領域２３Ｂ内に電力・接地用接続バンプ２１Ｂの群を配設させることで、記憶装置チップ２０を配線チップ１０に実装した際、当該記憶装置チップ２０が傾くのを当該電力・接地用接続バンプ２１Ｂが支持し（半田を介して支持し）、最小限のバンプ数で平行度が保たれる。このように、例えば記憶装置チップ２０を構成する。 （もっと読む）

本発明は導電性の機械的相互接続部材（１２）を作る方法に関する。この方法は、サブミクロン直径を有し、且つ金属から作られた基板（２）の表面から突出する複数の金属ワイヤ（２ａ）を含む構造を、電気化学的に堆積する第１の段階と、前記ワイヤの部分的溶解を制御して、それらワイヤの直径を低減する第２の段階とを含む。本発明はまた、機械的及び／又は電気的相互接続を作る方法にも関する。この方法は、前述された方法に従って２つの相互接続部材を作ることと、相互接続部材を対向させて配置し、これらを相互に対向して押圧して、前記部材の表面から突出するナノメトリックワイヤの貫入及び絡み合いを実行することとの各ステップを含む。本発明はまた、そのような相互接続部材によって機械的及び電気的に相互接続されたマイクロ電子チップのスタックを含む３次元電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】十分な接合の基に実装した半導体に所定の電気特性が得られる信頼性の高い半導体装置とする。
【解決手段】基板２に半導体１を基板電極２Ａ、半導体電極３を介し圧接してそれらを電気的に接合した状態で、基板２、半導体１間を接着・封止材４により接着・封止した半導体装置において、基板電極２Ａと半導体電極３との少なくとも１つの組は、それら基板電極２Ａおよび半導体電極３の一方または双方が前記圧接の方向に直角な向きに対して傾斜した圧接面２Ａ−１などを有して接合されていることを特徴として、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０、２２０同士の間にフラックス活性を有する硬化剤と熱硬化性樹脂と半田粉とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を加熱しつつその厚さ方向に加圧することにより、半田粉を溶融し接続部２１２、２２２同士の間に凝集した後、固化するとともに前記熱硬化性樹脂を硬化して半導体ウエハー２１０、２２０同士が固着することにより接続部（半田粉が溶融した凝集物の固化物）２２５で接続部２１２、２２２同士が電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】貫通電極付基板において、貫通電極とパッドとの間の電気的な接触不良の発生を防止できるようにする。
【解決手段】貫通電極３を高さをほぼ同一にできる突起状電極１０にする。そして、第１半導体基板１に形成しておいた電極用貫通孔２ａに挿入したのち、第２半導体基板５に形成しておいたパッド６と電気的に接続し、その後、封止用貫通孔９を通じて封止樹脂４を充填する。これにより、突起状電極１０にて構成した貫通電極３とパッド６との電気的な接続を確実に行うことが可能となる。また、貫通電極３とパッド６との接続を行ってから、封止樹脂４での封止を行うようにしているため、封止樹脂４によって貫通電極３とパッド８との電気的接続が行えなくなることを防止することもできる。 （もっと読む）

２つの異なるチップの各々に一対の接点の各々を提供して、電気的接続を創成する方法であって、一対の接点はそれらの間に容積部を画成し、容積部は各々が融点を有する少なくとも２つの組成物を収容し、第１の温度までの加熱することにより、少なくとも２つの組成物のうちの少なくとも一方に変化を生じさせて、その変化により第２温度である新しい組成物融点を有する新たな組成物が生み出され、第２の温度は第１の温度および少なくとも２つの組成物のうちの少なくとも第１の組成物の融点より高くなるように、組成物は選択され、一対の接点と少なくとも２つの組成物を第１の温度まで加熱する。
（もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ基体１１に可動部１２が形成されたセンサ素子１０において、可動部１２の周辺に４つのセンサ側バンプ１３を形成し（突起部形成工程）、可動部１２に対向する領域を含む４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せ（被覆工程）、センサ素子１０における接着フィルム２０との対向面の反対面からホットプレート５０によって加熱して、接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着して可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０を形成する（中空部形成工程）。 （もっと読む）