【課題】種類の異なる半導体チップの間で接合不良が発生することを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面に実装されたチップ積層体３は、配線基板２の一面とは反対側から順に、一面側に第１のバンプ電極１２と他面側に第２のバンプ電極１３とを有する複数のメモリーチップ１０ａ〜１０ｄを、それぞれの一面と他面とを対向させながら、それぞれの間にある第１のバンプ電極１２と第２のバンプ電極１３とを接合して積層し、その上に、一面側に第３のバンプ電極１５と他面側に第４のバンプ電極１６とを有するロジックチップ１１を、その一面と、その下にあるメモリーチップ１０ｄの他面とを対向させながら、その間にある第２のバンプ電極１３と第３のバンプ電極１５とを接合部材１８を介して接合して積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、接合信頼性にも優れた半導体接合用接着剤を提供する。また、該半導体接合用接着剤を用いて製造される半導体接合用接着フィルム、該半導体接合用接着剤を用いた半導体チップの実装方法、及び、該半導体チップの実装方法により製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物、硬化剤及び応力緩和剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記応力緩和剤は、ゴム成分からなるコア層と、アクリル樹脂からなるシェル層とを有する平均粒子径が０．１〜２μｍのコアシェル粒子であり、前記応力緩和剤の含有量は、１〜２０重量％である半導体接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】加圧により基板を接合する場合に、基板縁の角の部分が応力集中により破壊されるおそれがある。
【解決手段】重ね合わされた複数の基板を加圧および加熱して貼り合わせる一対の加圧ユニットを備え、一対の加圧ユニットの各々は、複数の基板の一面を押圧する押圧板と、押圧板を介して複数の基板を加熱する加熱部と、複数の基板の一面の外周より内側の領域において加熱部を加圧することにより、加熱部および押圧板を介して複数の基板の一面を加圧する加圧部とを有する基板貼り合わせ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】半田の接合前の形状に影響されずに半田接合を良好にするための電子デバイスを提供する。
【解決手段】第１の素子１と、第１の素子１の上に形成されて少なくとも露出面が絶縁材から形成される柱状突起５と、柱状突起５の周囲に形成される複数の第１電極３とを有し、柱状突起５は、第１の素子１に対向して配置される第２の素子１１の上に形成された複数の突起電極１４の間に嵌め込まれ、第１電極３と突起電極１４は半田層４、１５を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 加熱加圧システム（７０）は２つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の一方を加熱する第一のヒーター部（ＨＴ）と、他方を加熱する第二のヒーター部（ＨＴ）と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、入力された条件に基づいて二つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板間のボイドの発生を抑制しつつ、基板の同士の接合を適切に効率よく行う。
【解決手段】接合装置４１には、搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２が形成されている。搬送領域Ｔ１には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔを搬送するウェハ搬送体８２と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの水平方向の向きを調節する位置調節機構９０と、上ウェハＷ_Ｕの表裏面を反転させる反転機構１３０とが設けられている。処理領域Ｔ２には、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して保持する下部チャック１００と、下面に上ウェハＷ_Ｕを保持する上部チャック１０１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの接合時に下ウェハＷ_Ｌの一端部と上ウェハＷ_Ｕの一端部とを当接させて押圧する押動部材１２０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーおよび半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに工程が簡便である半導体ウエハー接合体を製造し得る半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】半導体ウエハー２１０と、半導体ウエハー２２０との間に、樹脂組成物６１と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔６２とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介在させ、さらに、加熱することにより、金属箔を溶融し、半導体ウエハーの接続電極２１２，２２２の間に金属箔を凝集、固化させ、さらに、樹脂組成物を硬化または凝固させて、半導体ウエハーと半導体ウエハーとを固着させることにより達成することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱又は冷却により生じる反り及び変形が少なく、突起電極の損傷及び変形を抑制することができ、半導体チップの実装に好適に用いられる接着シート用基材を提供する。また、該接着シート用基材を用いて製造される接着シート及び該接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップの実装に用いられる接着シート用基材であって、硬質層と、該硬質層の両側に積層された柔軟層とを有し、前記硬質層は、４０〜８０℃での引張り弾性率が０．５ＧＰａ以上であり、前記柔軟層は、４０〜８０℃での引張り弾性率が１０ｋＰａ〜３００ＭＰａである接着シート用基材。 （もっと読む）

本発明は、電子集積回路パッケージの製作、より具体的には３次元でパッケージされた集積回路を製造する際の静電放電ダメージの軽減に関する。一実施形態では、第２層ダイが第１層ダイと接触して配置されるとき、第２層ダイおよび第１層ダイ上の他の信号導電バンプおよびパワー導電バンプが電気的に接触する前に、第２層の基板と電気的に結合された第２層の周辺部付近の導電バンプが、第１層の基板と電気的に結合された第１層の対応する導電バンプと接触する。
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【課題】ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、耐リフロー性及び信頼性に優れた半導体装置を製造するために用いることのできる接着剤組成物を提供する。また、該接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを含有する接着剤組成物であって、ボンディング温度での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、ボンディング温度でのゲルタイムが１０秒以上であり、かつ、２４０℃でのゲルタイムが１秒以上１０秒以下である接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品を積層接続して構成される電子回路において、耐熱性を低下させることなく接合不良を解消することにより高性能化を図る。
【解決手段】接続用電極を含む複数の電子部品が積層接続されて構成される電子回路であって、対向配置される電子部品１０，２０は、対向する接続用電極同士が直接接合している直接接合部（第１接合部、第３接合部）と、対向する接続用電極同士が金属間化合物３０を介して接合している間接接合部（第２接合部）とにより接続されている。 （もっと読む）

【課題】両被接合物の相互間の電気的接続を実現するに際して、樹脂層を設けることを必ずしも要することなく、両被接合物の接合強度を良好に確保することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。当該接合システムは、２つの被接合物９１，９２の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行い、その後、２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ１同士を接触させ且つ２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ２同士を接触させた状態で２つの被接合物９１，９２を加圧し接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体部品と回路基板との位置合わせを容易にすること。
【解決手段】表面に複数の第１の電極２２が形成された第１の回路基材２０と、第１の回路基材２０の上方に設けられ、第１の電極２２の各々の上方に第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂとが形成された第２の回路基材３０と、第２の回路基材３０の上方に設けられた半導体パッケージ５０と、第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂ内に設けられ、第１の電極２２と半導体パッケージ５０とを接続する複数の第１のバンプ５１とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の位置合せ精度や接続性を維持しつつ、フラックス剤を用いることなく、半田バンプ表面の酸化膜に起因するボイドや接続不良の発生を有効に抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを位置合せして接触させた後、半田バンプ１、３の融点以上の温度に加熱し、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて仮接続した後に冷却する。仮接続体１３を還元性雰囲気中で半田バンプ１、３の融点以上の温度に加熱し、仮接続体１３の表面に存在する酸化膜７を除去しつつ、仮接続体１３を溶融させて本接続体１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】２枚の半導体チップをフリップチップ接続したＣＯＣ構造の半導体装置を製造するにあたり、半導体チップの反りの発生を抑え、バンプ接続部における接続不良の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１の表面に絶縁樹脂の硬化膜１４を形成する工程（ａ）と、絶縁樹脂の硬化膜が形成された第１の半導体チップ上に第２の半導体チップ１２をバンプ１６を介してフリップチップ接続する工程（ｂ）と、を含む半導体装置の製造方法であって、工程（ａ）では、前記絶縁樹脂を（Ａ−５０）℃以上（Ａ＋５０）℃以下の温度（ここで、Ａは前記バンプの凝固点である）で硬化させる半導体装置１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを実装精度の低下を招くことなく積層して実装することができる実装装置を提供する。
【解決手段】基板３に複数の半導体チップＴを積層して実装する実装装置であって、２つ目以降の半導体チップを実装ツール５によってすでに実装ステージ１に供給された半導体チップに積層して実装するため、上下撮像カメラ１４によって実装ツールに保持された２つ目以降の半導体チップと実装ステージにすでに供給された半導体チップを撮像する際、制御装置は、実装ツールと上下撮像カメラの高さを変えずに、実装ステージの高さを前の回に上記実装ステージに供給された半導体チップの厚さ分だけ下方に駆動して位置決めする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのＣｏＣ接続工程の時間短縮を実現することができ、半導体装置の製造工程のスループットを向上させる手段を提供する。
【解決手段】ウエハステージ１３上にバンプ電極１５が上になるように半導体ウエハ１４を載せ、バンプ電極１６が下になるように仮圧着ヘッド１１に半導体チップ２を吸着し、先ず、半導体ウエハ１４のバンプ電極１５と半導体チップ２のバンプ電極１６を仮圧着する。その後、先に仮圧着した複数の半導体チップ２を本圧着ヘッド１２で強く圧着する。 （もっと読む）

【課題】ウエハまたはチップからなる基体が積層されている場合に、積層された基体と基体との間の接触部の接続抵抗値を容易に精度良く予測する予測方法を提供する。
【解決手段】面接触部における第１接続部と第２接続部との接触面積（被接触面積Ｓ_１）を算出する工程と、第１接続部と同じ抵抗率を有する第１基準接続部を有する基準値設定用第１基体と、第２接続部と同じ抵抗率を有する第２基準接続部を有する基準値設定用第２基体とを積層し、第１基準接続部と第２基準接続部とを面接触させて形成した基準面接触部における第１基準接続部と第２基準接続部との接触面積（基準接触面積Ｓ_０）を算出する工程と、基準面接触部の接続抵抗値（基準接続抵抗値Ｒ_０）を得る工程と、Ｒ＝Ｒ_０｛１／（S_１／S_０）｝（式１）を用いて面接触部の接続抵抗値Ｒを算出する工程とを備える接続抵抗値の予測方法とする。 （もっと読む）