【課題】 良好な表面モホロジーを有する化合物半導体基板、その製造方法及び半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】 六方晶のＣ軸に対して傾斜した基準軸Ｃ’に垂直な平面で切断されてなる階段状の露出表面を有する下地基板１１０と、下地基板１１０の露出表面上に成長し複数の溝ＧＲを有する六方晶の第１のＧａＮ系半導体層１と、第１のＧａＮ系半導体層１の溝ＧＲ内に成長した第２のＧａＮ系半導体層２とを備えている。階段状の露出表面は複数のテラスＴＲが段差ＳＴＰを介して連続してなり、このテラスＴＲの長手方向と、第１のＧａＮ系半導体層１の溝の長手方向Ｇとは交差している。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの面内全域において良好な均一性を有する薄膜を気相成長させることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 密閉可能な反応炉（１）と、該反応炉内に設置され所定の位置にウェハ（Ｗ）を載置する１または２以上の収容部（円形のポケット孔３ａ）を有するウェハ収容体（ウェハホルダ３）と、ウェハに向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段（ガス導入管７）と、前記ウェハを加熱するための加熱手段（加熱ヒータ５）とを少なくとも備え、前記反応炉内において前記加熱手段により前記ウェハ収容体を介してウェハを加熱しつつ、高温状態で原料ガスを供給することにより、前記ウェハ表面に成長膜を形成する気相成長装置において、前記ウェハ収容体は、前記ウェハを収容部に載置した際に、ウェハ表面（１０）がウェハ収容体の上面（３ｂ）よりも上方に位置し、且つ、前記ウェハの周縁部の面取り加工により側部に形成された頂点（１１）が、ウェハ収容体の上面（３ｂ）より下方に位置するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、誘電層を形成する方法、及びそれに関連するデバイスを提供する。
【解決手段】 誘電層は、中間の厚さまで誘電層を沈着することによって、かつ中間の厚さの誘電層に窒化処理を適用することによって形成されてよい。次いで、誘電層は最終的な所望の厚さまで沈着されてよい。 （もっと読む）

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を有する半導体発光素子において、動作電圧を低減するとともに発光効率を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ｎ型III族窒化物半導体から成るｎ型基板１上には、ｎ型クラッド層２と、ｎ型光ガイド層３と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層４と、ｐ型電子障壁層５と、ｐ型光ガイド層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型コンタクト層８とがこの順で積層されている。ｐ型電子障壁層５はｐ型Ａｌ_x2Ｇａ_(1-x2)Ｎ（０＜ｘ２＜１）から成り、ｐ型クラッド層７はｐ型Ａｌ_x3Ｇａ_(1-x3)Ｎ（０＜ｘ３＜１）から成り、ｐ型コンタクト層８はｐ型ＧａＮから成る。ｐ型電子障壁層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８はそれぞれｐ型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高品質の半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板３１を準備する。（ｂ）基板３１上にバッファ層３２を形成する。（ｃ）基板３１を第１の温度にして、バッファ層３２上または上方に第１導電型の第１の３族窒化物半導体層３３を形成する。（ｄ）基板３１の温度を第１の温度以下の温度範囲で下げながら、第１の３族窒化物半導体層３３上に第２の３族窒化物半導体層３４を形成する。（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。（ｆ）第３の３族窒化物半導体層４１上に、第１導電型とは逆導電型の第２導電型を有する第４の３族窒化物半導体層３５を形成する。（ｇ）第１の３族窒化物半導体層３３に電気的に接続される電極３６、及び、第４の３族窒化物半導体層に電気的に接続される電極３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、供給装置に依存せず、長期間一定の濃度で安定して有機金属化合物を供給することが可能な気相成長用担体担持有機金属化合物及びその製法、並びに当該化合物を充填した気相成長用有機金属化合物充填装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、常温で固体の気相成長用有機金属化合物に対して不活性な担体に該有機金属化合物を担持させた後に破砕した気相成長用担体担持有機金属化合物であって、粒径0.84mm未満の担体担持有機金属化合物を含まないことを特徴とする、気相成長用担体担持有機金属化合物によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５を堆積する工程と、禁制帯幅がｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５よりも小さいｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１６を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素（Ｈ）をｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に接して、金属薄膜１８を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】窒化物化合物半導体素子を形成するためにエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体の湾曲を抑制するシリコン基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１において、窒化物系化合物半導体層２の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面１ａには、窒化物系化合物半導体層２の成長後にその反りを減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されている。 （もっと読む）

【課題】基板温度の調整を容易に行うことができ、特に、複数枚の基板に同時に気相成長を行う際の各基板毎の温度差を解消して同一特性の薄膜を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ヒーター１７により加熱されるサセプタ１３の上面に、サセプタの材質とは異なる材質からなる調整板１８を介して基板１１を支持し、サセプタ及び調整板を介して基板を加熱するとともに、基板上面に気相原料を供給して薄膜を気相成長させる。気相成長時の基板温度を、調整板の厚さを調節することによって調節する。 （もっと読む）

【課題】下層からのマグネシウムの拡散を利用した電界効果トランジスタの製造。
【解決手段】マスク層２ｍでｐ型層１ｐの表面の一部を覆い、Ｍｇ原料を導入せずにＧａＮ層を形成するべくエピタキシャル成長を行うと、下層のｐ型層１ｐに接触する部分においては、当該ｐ型層１ｐからＭｇが拡散してｐボディ層４ｐが形成され、マスク層２ｍの上部は、アンドープＧａＮから成るチャネル形成層４ｉが形成される。同様に、ｐボディ層４ｐの上部には、ｐボディ層４ｐからＭｇが拡散してｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐが形成され、チャネル形成層４ｉの上部には、アンドープＡｌＧａＮ層５ｉが形成される。このようにして製造されたＨＥＭＴ１００は、ボディ電極Ｂｄの形成されるｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐ表面がエッチング処理されていないのでオーミック性が良好であり、ボディ電極Ｂｄからチャネル形成層４ｉの電位を安定して保つことができ、素子特性の安定した素子となる。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドノズルを用いた原子層成長方法による薄膜の形成で、成膜速度を向上できるようにする。
【解決手段】成膜室１０１及びシャワーヘッドノズル１０６には、例えば、ロータリーポンプなどの真空ポンプからなる排気機構１０９が接続されている。排気機構１０９は、成膜室排気バルブ１２１を介して成膜室１０１に接続され、ヘッド排気バルブ１２２を介してシャワーヘッドノズル１０６に接続されている。このように、シャワーヘッドノズル１０６にも排気機構１０９が接続されているので、シャワーヘッドノズル１０６の内部に残留するガスも、より迅速に排気（除去）することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することなく、優れた結晶性で成膜されたＡｌＮまたはＧａＮからななり、発光ダイオード、レーザ発光素子、高速高温動作可能電子素子等の他、高周波デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 載置台の外周領域における温度の制御性を改善し、外周領域の温度低下や、外周領域からの熱輻射によるシャワーヘッドの温度上昇に起因する処理の不良や不均一を低減することが可能な載置台および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置は、半導体ウエハＷを収容する処理容器２と、処理容器２内に配置され、半導体ウエハＷが載置される載置台５と、この載置台５と対向する位置に設けられ、処理容器２内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構としてのシャワーヘッド４０と、処理容器２内を排気する排気装置１０１とを具備し、載置台５は、半導体ウエハＷが載置される領域よりも外側の領域に、載置台５からシャワーヘッド４０への熱拡散を低減する熱遮蔽体２００を有している。 （もっと読む）

【課題】 シャワーヘッド等の処理ガス吐出機構の温度の不均一に起因する処理の不良や不均一を低減することができる基板処理装置および処理ガス吐出機構を提供する。
【解決手段】 成膜装置は、半導体ウエハＷを収容する処理容器２と、処理容器２内に配置され、半導体ウエハＷが載置される載置台５と、この載置台５と対向する位置に設けられ、処理容器２内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構としてのシャワーヘッド４０と、処理容器２内を排気する排気装置１０１とを具備し、シャワーヘッド４０は、処理ガスが導入されるガス流路を有しており、ガス流路を囲むように環状の温度調節室４００を設けた。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層（２０）と、半導体層（２０）上に設けられた電極（２２、２４、２６）と、を具備することを特徴とする半導体装置および半導体装置製造用基板並びにその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】原子層成長法を用いた絶縁層の形成において、より低温で吸着しやすいなどの特徴を備える有機金属原料を用い、良質な絶縁層を形成する。
【解決手段】成膜室の内部に３つのアミノ基を有するアミノシランからなる原料ガス１１１を導入する。次いで、導入した原料ガス１１１を加熱し、導入された原料ガス１１１を構成している３つのアミノ基を有するアミノシランからアミノ基が１つ離脱した分子が生成された状態とし、この生成された分子がシリコン基板１０１の上に供給された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】生産性とキャリア濃度が向上し、低抵抗ｎ型ＡｌＮ半導体結晶を得ることを目的とし、短波長発光素子やパワーデバイスを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,
Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原
子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０¹⁸cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aである
ことが好ましい。またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 （もっと読む）