【課題】Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハＷを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのＳｉＣＮ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶分率を向上させるシリコン層の形成方法及びそれを用いた表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の形成方法は、ＳｉＦ４、ＮＨ３及びＳｉＦ４−Ｈ２ガスのうち選択されたガスを第１反応ガスとして使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて基板に形成されたシリコン窒化物層表面をプラズマ前処理する工程と、ＳｉＦ４、Ｈ２及びＡｒが混合された第２反応ガスを使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて前記前処理されたシリコン窒化物層上にシリコン層を形成する工程を含む。従って、シリコン層でシリコン結晶の結晶分率が向上され、シリコン結晶のグレインサイズ及び分布の均一性が向上されたシリコン層を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成におけるアンテナインピーダンスの変化に拘らず、安価に均一にプラズマを生成させ得るプラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】各アンテナ２は同一とし、各アンテナ２への高周波電力の印加を、各アンテナ２に共通に設けた高周波電源４から一つの整合器５及び一本のブスバー３を介して行うようにし、ブスバー３を整合器５との接続部位を基準にアンテナ数と同数に区間分けし、各アンテナ一端部を、対応する区間部分３１、３２又は３３に電力供給線３１１、３２１又は３３１にて接続し、各アンテナ他端部は接地し、各ブスバー区間部分のインピーダンス及び各電力供給線のインピーダンスを各アンテナに流れる電流及び各アンテナに印加される電圧のそれぞれが同一となるように調整することで、各アンテナ２に供給される高周波電力を均一化して誘導結合プラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管３６を取付け、その保護管３６の外周面に熱電対３８を取付け、その起電圧をセンサ入力部９８でアナログ／デジタル変換して全体制御部９０へ入力し、処理ガスの流量制御弁９２３をフィードバック制御する。したがって、プラズマの点灯状態を反映した制御が可能になり、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】全体のｒｆ電極表面の下にほぼ均一な磁束分布パターンを生成し均一なウェハー処理速度を実現できるプラズマ処理方法および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理方法は、下部電極２上に搭載されたウェハー２３の表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、ウェハーを処理するプラズマ処理方法であって、下部電極に対向する上部電極１の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネット６を、その周縁領域に広がる方向に、同じマグネット配列によって延長して配列し、上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界７を作り、このポイントカスプ磁界７に基づき容量結合型プラズマを生成してウェハーを処理する。 （もっと読む）

【課題】経済的に、均一化された誘導結合プラズマを生成させることができるプラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１内における一つの又は隣り合うもの同士が間隔をあけることなく連なる複数の、一辺０．４〔ｍ〕の立方体空間Ｃのそれぞれに高周波アンテナ２を割り当て設置し、各立方体空間Ｃにおける高周波アンテナの合計長Ｌ〔ｍ〕を、プラズマ生成室１内に設定する誘導結合プラズマ生成圧力Ｐ〔Ｐａ〕との間で、（０．２／Ｐ）＜Ｌ＜（０．８／Ｐ）の関係を満たす範囲の長さＬ〔ｍ〕に設定する。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、均一なプラズマ照射を可能にする。
【解決手段】各プラズマ発生ノズル３１において、チューブ３６によってノズルピース３７を伸縮可能とし、そのノズルピース３７を変位手段３９によって昇降可能にするとともに、ワークＷの高さ検知を行う高さ検知手段３８を設け、その検知結果に応答して前記ノズルピース３７の高さを制御する。したがって、基板Ｗ１に実装される電子部品Ｗ２の高さにばらつきがあるなどしても、ワークＷに対するプラズマ発生ノズルの高さを一定に維持し、均一な密度でプラズマ照射を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】反応容器１と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管６と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管４と、容器内に収容した第一電極２及び第二電極３からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源９とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極２には、ガス導入管６に連通するガス導入用穴１１及び前記ガス排気管６に連通する排ガス用穴１２の双方を設ける。好ましくは、第一電極２の第二電極３に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成および作業でコイルを用いた磁界や電磁波によるプラズマ発生の範囲、内外周でのアンバランスの調整がきめ細かくできるようにする。
【解決手段】真空容器１内にガス６を供給しながら排気し、コイル３からの磁界を直接またはコイル３から誘電体２を介し電磁波を真空容器１内に働かせてプラズマを発生させ、被処理物５を処理するのに、コイル３の外端３ａまたはおよび内端３ｂを移動させて巻き域を拡縮しプラズマ発生域を調整することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】異常放電により半導体素子に不良品が発生することを抑制する。
【解決手段】第１の電極２と第２の電極５を互いに向き合うように離間して配置し、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち少なくとも一方を接地し、かつ他方にプラズマ発生用の電力を印加することによりプラズマを発生させ、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち一方に載置された半導体ウェハＷａｆを前記プラズマを用いて処理しつつ、接地電位に対するプラズマ電位Ｖｐと、接地電位に対す前記半導体基板表面上の電位の差Ｖｄｃの変動を測定し、該測定した値の変動に基づいて異常放電の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】放電電極と対向電極との間に形成される高周波プラズマを容易に均一にすることが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】製膜室６と放電電極３と対向電極２と高周波電源６０と整合器１３と電極インピーダンス調整部４０とを具備する薄膜製造装置を用いる。放電電極３は製膜室６内に設けられている。対向電極２は放電電極３に対向するように接地されて設けられ、基板８を保持可能である。高周波電源６０は放電電極の給電点５３、５４に伝送線路１２、１４を介して高周波電力を供給する。整合器１３は伝送線路１２、１４の途中に接続され、高周波電源６０と放電電極３とのインピーダンスを整合する。電極インピーダンス調整部４０は放電電極３に電気的に接続され、放電電極３のインピーダンスを調整する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】 本発明にかかるガス供給装置は，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを流す処理ガス供給配管２０２から分岐して，処理室内の異なる部位からガスを導入する第１，第２ガス導入部３３０，３４０にそれぞれ接続する第１，第２分岐流路２０４，２０６と，処理ガス供給流路から第１，第２分岐流路に分流される処理ガスの分流量を第１，第２分岐流路内の圧力に基づいて調整する分流量調整手段２３０と，所定の付加ガスを供給する付加ガス供給手段２２０からの付加ガスを流す付加ガス供給配管２０８とを備え，第１，第２ガス導入部のいずれか一方は，分岐流路を接続する処理ガス導入部と，付加ガス供給流路を接続する付加ガス導入部とに分けて構成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生状態の変化を高感度に検出可能なプラズマ処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、高周波電源１３の出力からマッチングボックス１４によるインピーダンス整合を介してチャンバ１１内にプラズマを生成するプラズマ処理装置を用い、インピーダンス整合に伴い自動調整されるマッチングボックス１４内の可変容量Ｃ１，Ｃ２のポジション電圧をサンプリング収集しながら半導体ウエハＷのプラズマ処理を行う。そして、各サンプリングポイントで収集したポジション電圧の内、デバイスプロセスが実際に行われている区間で収集したポジション電圧を対象として、Δ監視部１８ｂにより連続するサンプリングポイント間でのポジション電圧の差分値を評価し、σ監視部１８ｃにより収集したポジション電圧の標準偏差を評価する。 （もっと読む）

【課題】複数のガスにより成膜を行う際に、ガスの利用効率を高めるとともに成膜特性を良好にする。
【解決手段】成膜装置１００は、成膜処理を行う反応室１０２と、第１の原料ＡおよびガスＢをそれぞれ反応室１０２に供給する第１のガス供給ライン１１２および第２のガス供給ライン１５２と、反応室１０２に供給されるガスをプラズマ励起する励起部１０６とを含む。このような構成の成膜装置１００において、第１の原料Ａ由来のガスおよびガスＢを反応室１０２に供給して、第１の原料Ａ由来のガスを基板上に吸着させて堆積層を形成する第１の工程と、第２のガスを反応室１０２に供給して、プラズマ励起した状態で、堆積層に作用させる第２の工程と、により成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の形成条件を最適化して変換効率の向上及び光劣化の抑制を高レベルで両立させることができ、また実験装置により求めた最適堆積膜形成条件を生産装置等に対して容易に転用することができる堆積膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、微結晶シリコンを含む堆積膜を形成する方法であって、高周波電力密度、電極間距離に対するバイアス電圧、電極面積に対するバイアス電流、原料ガス流量に対する高周波電力、原料ガス流量に対する希釈ガス流量の比率、基板温度、圧力、電極間距離から選択される条件の少なくとも１つを、微結晶領域の堆積膜を形成する条件とアモルファス領域の堆積膜を形成する条件との間で変化させた場合に、堆積膜の晶系が実質的にアモルファスと微結晶とで変化する境界条件近傍の決められた範囲の条件で堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１の成膜チャンバ２の互いに対向した両側面部の相対するコーナ部８近傍の対称な位置にラジカル導入口33,34を設ける。ラジカル導入口33,34にラジカル発生器35,36を取り付ける。ラジカル発生器35,36からのエッチングラジカルＲをラジカル導入口33,34から成膜チャンバ２の内端面４,５に沿って流入させる。エッチングラジカルＲを成膜チャンバ２内のコーナ部８に効率良く流入できる。エッチングラジカルＲを成膜チャンバ２内の全体に亘って均一に導入できる。エッチングラジカルＲによる成膜チャンバ２内でのエッチングレートを等しくできる。 （もっと読む）

【課題】サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性が大きく変化することがなく、パーティクルの発生も少なく、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することが可能であり、さらに、サセプタ装置を静電チャック装置として用いた場合においても、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する虞がないサセプタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置は、基体と温度調節ベース部材とをシリコン樹脂系接着剤により接着一体化し、この基体の最上部を構成する誘電体板２１の上面２１ａに円柱状の突起部３１を複数個設け、これらの突起部３１それぞれの頂面３１ａの中心部に円柱状の微小突起部３２を１つ設け、この微小突起部３２の頂面３２ａを板状試料Ｗを載置する載置面としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイなどの製造装置や検査装置など、異物を嫌う基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置のクリーニング方法において、耐熱性樹脂材からなるクリーニング材を装置内に搬送して被洗浄部位に接触させることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法、特に耐熱性樹脂材のガラス転移温度が１５０℃以上である上記構成の基板処理装置のクリーニング方法、またクリーニング材がシート状または搬送部材の形状である上記構成の基板処理装置のクリーニング方法である。 （もっと読む）

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）