プラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置
【課題】Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハＷを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのＳｉＣＮ系膜を成膜する。
【解決手段】真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハＷを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのＳｉＣＮ系膜を成膜する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、特に、Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進行し、設計ルールは０．１３μｍにまで達している。０．１３μｍ世代においては、半導体デバイスの性能に対する配線の性能が支配的となり、配線遅延がデバイスの動作速度を大きく左右する。このため、高速な回路の製造には、できるだけ配線遅延を抑制することが必要とされる。
【０００３】
配線遅延を低減するため、配線材料はアルミニウム合金から銅へと移行している。銅は比抵抗が低く、また、エレクトロマイグレーション耐性が高く、高速な回路の構成に好適に用いられる。しかし、銅は、アルミニウム合金と異なり、ケミカルエッチングにより配線のパターンの形成することは難しい。このため、銅の配線を形成する方法として、所謂ダマシン法が採用されている。
【０００４】
以下、ダマシン法について図８（ａ）〜８（ｅ）を参照して説明する。まず、図８（ａ）に示すように、シリコン酸化膜等の層間絶縁膜１０１上に、シリコン窒化膜等のハードマスク１０２を形成する。続いて、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ハードマスク１０２に開口１０３を形成する。このとき、エッチングはハードマスク１０２はエッチングされるが、層間絶縁膜１０１はエッチングされない条件で行われる。
【０００５】
続いて、開口１０３を備えたハードマスク１０２をマスクとして、層間絶縁膜１０１のエッチングを行う。これにより、図８（ｃ）に示すようなトレンチホール１０４が形成される。さらに、トレンチホール１０４の内壁を含む表面全体にＴｉＮ等のバリアメタル膜１０５を形成した後、図８（ｄ）に示すように、めっきによりトレンチホール１０４の内部を配線金属１０６で埋め込む。最後に、不要な金属膜を化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）により除去し、図８（ｅ）に示すような銅配線層１０７が形成される。
【０００６】
上記したダマシン法に用いるハードマスク１０２として、近年、ＳｉＣＮ系膜が開発されている。ＳｉＣＮ系膜は、ケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）とを主成分として構成される。ＳｉＣＮ系膜は、例えば、ヘキサメチルジシラザンとアンモニアとを出発物質として形成される。ＳｉＣＮ系膜は、比誘電率が比較的低い、銅に対するバリヤ性が高い等の利点を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＳｉＣＮ系膜からなるハードマスク１０２を用いてダマシン法を行う場合、開口１０３を形成するためのリソグラフィを行う際に、レジストがマスクパターン通りに露光されない現象がしばしば認められる。このような現象はレジストポイズニングと呼ばれている。
【０００８】
ＳｉＣＮ系膜を用いた場合のレジストポイズニングは、膜中の窒素水素結合（Ｎ−Ｈ結合）が多いほど起こりやすいことが確認されている。これは、リソグラフィ工程での加熱処理において、膜中のＮ−Ｈ結合がアンモニア（ＮＨ３）として脱離するためと考えられている。このため、膜中のＮ−Ｈ結合の少ないＳｉＣＮ系膜を得ることが、配線パターンを高精度に形成するために必要である。
【０００９】
しかし、従来より、膜中のＮ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜を成膜することのできる方法はなく、ＳｉＣＮ系膜をハードマスクとして使用した場合に、信頼性の高い半導体デバイスが製造できない虞があった。
【００１０】
上記事情を鑑みて、本発明は、レジストポイズニングの発生を抑制できるプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、埋め込み配線層の形成に好適に使用可能なプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るプラズマＣＶＤ成膜方法は、
チャンバ内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に載置された前記基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第１の周波数の高周波電力の印加及び前記第２の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１２】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低くてもよい。
【００１３】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚであってもよい。
【００１４】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚであってもよい。
【００１５】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であってもよい。
【００１６】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含んでもよい。
【００１７】
前記絶縁膜を形成する工程は、４００℃以下で行われてもよい。
【００１８】
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに備え、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とは、繰り返し行われてもよい。
【００１９】
前記絶縁膜は、前記基板上に形成された層間絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜は、前記層間絶縁膜をエッチングするためのハードマスクとして用いられてもよい。
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバ内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバ内に供給された絶縁膜形成原料を前記基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する第１の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する第２の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に絶縁膜形成原料を供給し、前記第１の高周波電源を制御して前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第２の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする。
【００２１】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低くてもよい。
【００２２】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚであってもよい。
【００２３】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚであってもよい。
【００２４】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であってもよい。
【００２５】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含んでもよい。
【００２６】
前記制御手段は、前記絶縁膜を形成する際、前記チャンバ内を４００℃以下に制御してもよい。
【００２７】
前記制御手段は、
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに制御し、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とを、繰り返し行うよう制御してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、膜へのダメージが低減されたプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本実施の形態にかかる絶縁膜の形成方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態の絶縁膜の形成方法によれば、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）とを主成分として構成される膜（以下、ＳｉＣＮ系膜）が形成される。ＳｉＣＮ系膜は、ダマシン法またはデュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜に埋め込み配線層を形成するためのハードマスクとして機能する。
【００３０】
図１に、本実施の形態の絶縁膜の形成方法を実施するための装置の構成例を示す。
本実施の形態の処理装置は、上下平行に対向する電極を有する、いわゆる平行平板型プラズマＣＶＤ装置として構成され、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）の表面にＳｉＣＮ系膜をＣＶＤにより成膜する。
【００３１】
図１を参照して、処理装置１１は、円筒形状のチャンバ１２を有する。チャンバ１２は、アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等の導電性材料からなる。また、チャンバ１２は接地されている。
【００３２】
チャンバ１２の底部には排気口１３が設けられている。排気口１３には、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備える排気装置１４が接続されている。排気装置１４は、チャンバ１２内を所定の圧力まで排気する。また、チャンバ１２の側壁にはゲートバルブ１５が設けられている。ゲートバルブ１５を開放した状態で、チャンバ１２の外部との間でのウェハＷの搬入出がなされる。
【００３３】
チャンバ１２の底部には略円柱状のサセプタ支持台１６が設けられている。サセプタ支持台１６の上には、ウェハＷの載置台としてのサセプタ１７が設けられている。サセプタ１７は下部電極としての機能を有し、サセプタ支持台１６とサセプタ１７との間は、セラミックなどの絶縁体１８により絶縁されている。
【００３４】
サセプタ支持台１６の内部には、下部冷媒流路１９が設けられている。下部冷媒流路１９には冷媒が循環している。下部冷媒流路１９を冷媒が循環することにより、サセプタ１７そしてウエハＷは所望の温度に制御される。
【００３５】
サセプタ支持台１６には、半導体ウエハＷの受け渡しをするためのリフトピン２０が設けられており、リフトピン２０はシリンダ（図示せず）により昇降可能となっている。また、サセプタ１７は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の図示しない静電チャックが設けられている。サセプタ１７上に載置されたウェハＷは、直流電圧が印加されることにより静電吸着される。
【００３６】
下部電極として機能するサセプタ１７には、第１の高周波電源２１が第１の整合器２２を介して接続されている。第１の高周波電源２１は０．１〜１３ＭＨｚの範囲の周波数を有している。第１の高周波電源２１に上記範囲の周波数を印加することにより、被処理体に対するダメージを低減させる等の効果が得られる。
【００３７】
サセプタ１７の上方には、このサセプタ１７と平行に対向してシャワーヘッド２３が設けられている。シャワーヘッド２３のサセプタ１７に対向する面には、多数のガス穴２４を有する、アルミニウム等からなる電極板２５が備えられている。また、シャワーヘッド２３は、電極支持体２６により、チャンバ１２の天井部分に支持されている。シャワーヘッド２３の内部には、上部冷媒流路２７が設けられている。上部冷媒流路２７には冷媒が循環し、シャワーヘッド２３は所望の温度に制御される。
【００３８】
さらに、シャワーヘッド２３にはガス導入管２８が接続されている。ガス導入管２８は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガス源２９と、アンモニア（ＮＨ３）ガス源３０と、アルゴン（Ａｒ）ガス源３１と、に、図示しないマスフローコントローラ、バルブ等を介して接続されている。
【００３９】
各ガス源２９〜３１からの処理ガスは、ガス導入管２８を介してシャワーヘッド２３の内部に形成された中空部（図示せず）に混合されて供給される。シャワーヘッド２３内に供給されたガスは、中空部で拡散され、シャワーヘッド２３のガス穴２４からウェハＷの表面に供給される。
【００４０】
シャワーヘッド２３には、第２の高周波電源３２が接続されており、その給電線には第２の整合器３３が介在されている。第２の高周波電源３２は、１３〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加することにより、シャワーヘッド２３は上部電極として機能し、チャンバ１２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成する。
【００４１】
コントローラ３４は、ウェハＷへの成膜処理を含む、処理装置１１全体の動作を制御する。なお、コントローラ３４の詳細な動作については、理解を容易にするため省略する。
【００４２】
以下、上記処理装置１１を用いた絶縁膜の形成方法について説明する。図２に、本実施の形態の製造方法のタイミング図を示す。なお、図２に示すタイミング図は一例であり、同様の効果を奏する構成であればいかなるものであってもよい。
【００４３】
まず、その表面に絶縁膜を備える未処理のウェハＷが、図示しない搬送アームに保持されて開放状態のゲートバルブ１５を介してチャンバ１２内に搬入される。搬送アームは、ウェハＷを上昇位置にあるリフトピン２０に受け渡し、チャンバ１２内から退出する。その後、ウェハＷはリフトピン２０の下降により、サセプタ１７上に載置される。ウェハＷは、静電チャックによりサセプタ１７上に固定される。
【００４４】
次いで、コントローラ３４は、排気装置１４により、チャンバ１２内を、例えば、１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。また同時に、コントローラ３４は、サセプタ１７の温度を、４００℃以下の温度、例えば、３５０℃に設定する。
【００４５】
その後、各ガス源２９〜３１から、ＨＭＤＳ、ＮＨ３およびＡｒガスが、所定の流量でチャンバ１２内に供給される。処理ガスの混合ガスは、シャワーヘッド２３のガス穴２４からウエハＷに向けて均一に吐出される。ＨＭＤＳ、ＮＨ３およびＡｒの供給は、例えば、ＨＭＤＳ／ＮＨ３／Ａｒ＝３０／１０／１００の流量比（各ｓｃｃｍ）で行われる。
【００４６】
その後、第２の高周波電源３２から、例えば、６０ＭＨｚの高周波電力が上部電極（シャワーヘッド２３）に印加される。これにより、上部電極と下部電極（サセプタ１７）との間に高周波電界が生じ、混合ガスのプラズマが生成する。他方、第１の高周波電源２１からは、例えば、２ＭＨｚの高周波電力が下部電極に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ１７側へ引き込まれ、ウェハＷ表面近傍のプラズマ密度が高められる。このような上下の電極２３、１７への高周波電力の印加により、処理ガスのプラズマが生成され、このプラズマによるウェハＷの表面での化学反応により、ウェハＷの表面にＳｉＣＮ系膜が形成される。
【００４７】
ここで、コントローラ３４は、上下電極２３、１７への高周波電力の印加を数秒間行い、ウェハＷ表面に、例えば、１ｎｍ〜５ｎｍ（１０Å〜５０Å）の厚さのＳｉＣＮ系膜の薄膜を形成する。高周波電力の印加開始から所定時間後、コントローラ３４は、上部電極および下部電極への高周波電力の印加を停止するとともに、ＨＭＤＳガス源２９およびＮＨ３ガス源３０からのＨＭＤＳおよびＮＨ３の導入を停止する。以上で成膜工程は終了する。このとき、Ａｒは、チャンバ１２内を流れている。
【００４８】
コントローラ３４は、Ａｒガスによるチャンバ１２内のパージを所定時間行い、チャンバ１２内から、残存したＨＭＤＳおよびＮＨ３を除去する。このとき、コントローラ３４は、サセプタ１７の温度を、４５０℃以下の温度、例えば、４００℃に設定し、また、圧力を、例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒ）とする。
【００４９】
コントローラ３４は、サセプタ１７の４００℃での加熱を所定時間行い、アニールを行う。アニール工程では、ウェハＷ表面に成膜されたＳｉＣＮ系膜中に存在するＮ−Ｈ結合を励起し、これにより、Ｎ−Ｈ結合が解離して水素（Ｈ）が脱離する。脱離したＨは、Ｈ２等として、排気ガスとしてチャンバ１２外に排出される。ここで、成膜されているＳｉＣＮ系膜は、厚さ１ｎｍ〜５ｎｍ程度の、数原子層分の薄膜である。このため、Ｈの脱離は膜表面以外でも容易に起こり、ＳｉＣＮ系膜からのＮ−Ｈ結合の除去は十分に行われる。
【００５０】
ここで、成膜直後の薄膜には存在していた１２００ｃｍ−１付近のＮ−Ｈ結合の吸収ピークが、アニール後には完全に消失していることを、例えば、ＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外分光分析）により確認している。従って、成膜された薄膜からＮ−Ｈ結合が確実に除去されていることがわかる。
【００５１】
コントローラ３４は、膜中のＮ−Ｈ結合からＨを除去するのに十分な時間、上記アニール処理を行う。所定時間後、コントローラ３４は、チャンバ１２内にＡｒを流しつつ、サセプタ１７の温度を成膜時の温度（３５０℃）まで低下させ、また、圧力を１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。
【００５２】
その後、コントローラ３４は、再び、上述したＳｉＣＮ系膜の薄膜の成膜を開始する。すなわち、コントローラ３４は、ガス源からのＨＭＤＳおよびＮＨ３の供給を開始する。次いで、上部電極および下部電極に高周波電力を印加する。成膜処理を上記と同様に所定時間行うことにより、既に成膜された薄膜上に、新たに、１ｎｍ〜５ｎｍの厚さのＳｉＣＮ系膜の薄膜が成膜される。
【００５３】
成膜処理の後、コントローラ３４は、上部電極および下部電極への高周波電力の印加を停止し、ＨＭＤＳおよびＮＨ３の供給を停止する。次いで、サセプタ１７の温度を４００℃に設定し、チャンバ１２内の圧力を１．３×１０−３Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒ）とするとともに、チャンバ１２内をＡｒガスによりパージする。
【００５４】
コントローラ３４は、再び、サセプタ１７を４００℃に所定時間保持し、アニール処理を行う。これにより、ＳｉＣＮ系膜、特に、新たに形成した膜中のＮ−Ｈ結合のＨが脱離する。このようにして、新たに形成されたＳｉＣＮ系膜に対するＮ−Ｈ結合の除去が行われる。
【００５５】
その後、コントローラ３４はサセプタ１７の温度を３５０℃まで低下させ、チャンバ１２内の圧力を１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。コントローラ３４は、このようにして、成膜処理と、アニール処理と、各処理間のパージと、を繰り返す。コントローラ３４は、薄膜が積層して形成されるＳｉＣＮ系膜全体の厚さが、所定の厚さ、例えば、５００ｎｍ（５０００Å）に達する回数、上記各処理を繰り返す。
【００５６】
所定回数上記各処理を繰り返した後、コントローラ３４は、サセプタ１７の加熱を停止するとともに、チャンバ１２内の圧力をチャンバ１２外の圧力程度まで戻す。その後、静電チャックは解除され、リフトピン２０が上昇する。次いで、ゲートバルブ１５が開放されて、搬送アームがチャンバ１２内に侵入する。搬送アームによりウェハＷがチャンバ１２外に搬出される。
【００５７】
以上で、処理装置１１を用いたＳｉＣＮ系膜の形成処理は終了し、図３に示すような、絶縁膜４０上にＳｉＣＮ系膜４１が形成された結果物が得られる。ウェハＷには、その後、ＳｉＣＮ系膜４１のパターニング、次いで、パターニングされたＳｉＣＮ系膜４１をハードマスクとする絶縁膜４０のエッチングが施され、例えば、図４〜図６に示すような埋め込み配線層４２が形成される。
【００５８】
図４〜図６において、配線層４２はバリヤ層４２ａを介して設けられている。ここで、図４に示す配線層４２は、ダマシン法を用いて形成した例である。また、図５および図６に示す配線層４２は、デュアルダマシン法を用いて、トレンチホール４３とビアホール４４とを形成した例である。また、図５に示す配線層４２は、ハードマスク（ＳｉＣＮ系膜４１）を１層用い、図６に示す配線層４２は、ハードマスクを２層用いて形成したものである。
【００５９】
以上説明したように、本発明によれば、ＳｉＣＮ系膜の成膜を、数ｎｍの厚さの薄膜を積層して行っている。薄膜の成膜処理の間には、熱アニールによる、薄膜中（特に、膜表面）のＮ−Ｈ結合の除去が行われる。これにより、最終的に膜中のＮ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜が形成される。
【００６０】
Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜を形成することにより、リソグラフィ工程での加熱時におけるＮＨ３の発生等を抑えることができる。図７に、アニール処理時間を変えて、膜中に残存するＮ−Ｈ結合の量を変化させた薄膜から、レジスト処理条件で発生するＮＨ３をガス分析により検出した結果を示す。図７に示すように、膜中に存在するＮ−Ｈ結合と発生ＮＨ３強度とは正の相関を示し、Ｎ−Ｈ結合の減少に伴って、発生するＮＨ３強度も低下する。このことから、適正なアニール処理で、薄膜から十分にＮ−Ｈ結合を除去することにより形成した絶縁膜を使用することで、レジストの変質（いわゆるレジストポイズニング）を低減することができ、信頼性の高いリソグラフィ処理（パターニング）が可能となることがわかる。従って、ＳｉＣＮ系膜をハードマスクとして用いた、信頼性の高い配線層形成処理（特に、ダマシン処理）が可能となる。なお、レジストポイズニングの定量化は、例えばパターンニングされた基板表面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）撮影し、その画像のパターニングされたラインとラインとの間の間隔により行うことができる。何故なら、レジストポイズニングが発生すると、ラインエッジが削られて顕微鏡の焦点深度が合わず、ラインエッジが所謂ピンぼけ状態となるために、設計間隔よりも測定間隔の方が小さくなるからである。
【００６１】
本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様について、説明する。
【００６２】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜は、ＨＭＤＳとＮＨ３を原料ガス化合物として形成した。しかし、原料化合物としては、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含む化合物であって、単体で、又は、これらを適当に組み合わせた反応によりＳｉＣＮ系膜が形成されるものならいかなるものでもよい。
【００６３】
例えば、Ｓｉ、Ｃ、Ｎをそれぞれ含む３種の原料ガス化合物を用いることもでき、この場合、Ｓｉ含有化合物としてＳｉＨ４を、Ｃ含有化合物としてＣ２Ｈ４、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ２Ｈ２等を、Ｎ含有化合物としてＮ２、ＮＦ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ４、ＮＯ、Ｎ３Ｈ８等を適当に組み合わせればよい。
【００６４】
また、Ｓｉ及びＣを含む原料化合物と、Ｎを含む原料化合物の２種のガスを混合して成膜してもよい。この場合、Ｎ含有化合物としては上記したものを用い、Ｓｉ及びＣを含む化合物としてアルキルシラン、アルコキシシラン等の有機シランを用いて、これらを適当に組み合わせればよい。アルキルシランとしては、例えば、メチルシラン（ＳｉＨ３（ＣＨ３））、ジメチルシラン（ＳｉＨ２（ＣＨ３）２）、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ３）３）、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４）といったメチル化シランが挙げられ、アルコキシシランとしては、例えば、トリメトキシメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）３）といったメトキシ化シランが挙げられる。また、これとは逆に、Ｓｉ及びＮを含む原料ガスとＣを含む原料ガスを混合するようしてもよい。この場合、Ｃ含有化合物としては、上記のものから選択し、Ｓｉ及びＮを含む化合物としては、例えば、ジシラザン（ＳｉＨ３−ＮＨ−ＳｉＨ３）を用いて、これらを適当に組み合わせればよい。
【００６５】
さらには、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを全て含む、ＨＭＤＳ以外の化合物を原料ガスとして用いることも可能である。このような化合物としては、シラザン結合（−Ｓｉ−Ｎ−）を有する有機シラザン化合物を用いることができる。有機シラザン化合物を用いる場合、例えば、プラズマＣＶＤ法により熱重合させて成膜することができる。使用可能な有機シラザン化合物としては、例えば、トリエチルシラザン（ＳｉＥｔ３ＮＨ２）、トリプロピルシラザン（ＳｉＰｒ３ＮＨ２）、トリフェニルシラザン（ＳｉＰｈ３ＮＨ２）、テトラメチルジシラザン（ＳｉＭｅ２Ｈ−ＮＨ−ＳｉＭｅ２Ｈ）、ヘキサエチルジシラザン（ＳｉＥｔ３−ＮＨ−ＳｉＥｔ３）、ヘキサフェニルジシラザン（ＳｉＰｈ３−ＮＨ−ＳｉＰｈ３）、ヘプタメチルジシラザン（ＳｉＭｅ３−ＮＭｅ−ＳｉＭｅ３）、ジプロピル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＰｒＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＰｒＭｅ２）、ジ−ｎ−ブチル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＢｕＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＢｕＭｅ２）、ジ−ｎ−オクチル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＯｃＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＯｃＭｅ２）、ジビニル−テトラメチルジシラザン（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＭｅ２−ＣＨ＝ＣＨ２）などの鎖状シラザン化合物、トリエチル−トリメチルシクロトリシラザン（（ＳｉＥｔＨ−ＮＭｅ）３）、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）や１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロトリシラザンなどの異性体を含むヘキサメチルシクロトリシラザン（（ＳｉＭｅ２−ＮＨ）３）、ヘキサエチルシクロトリシラザン（（ＳｉＥｔ２−ＮＨ）３）、ヘキサフェニルシクロトリシラザン（（ＳｉＰｈ２−ＮＨ）３）、オクタメチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＭｅ２−ＮＨ）４）、オクタエチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＥｔ２−ＮＨ）４）、テトラエチル−テトラメチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＨＥｔ−ＮＭｅ）４）、シアノプロピルメチルシクロシラザン（ＳｉＭｅＮＣ（ＣＨ２）３−ＮＨ）、テトラフェニルジメチルジシラザン（ＳｉＭｅＰｈ２−ＮＨ−ＳｉＭｅＰｈ２）、ジフェニル−テトラメチルジシラザン（（ＳｉＭｅ２Ｐｈ）２−ＮＨ）、トリビニル−トリメチルシクロトリシラザン（（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ−ＮＨ）３）、テトラビニル−テトラメチルシクロテトラシラザン（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ−ＮＨ）４などの環状シラザン化合物が挙げられる。上記式中、Ｍｅはメチル基（ＣＨ３）、Ｅｔはエチル基（Ｃ２Ｈ５）、Ｐｒはプロピル基（Ｃ３Ｈ７）、Ｏｃはｎ−オクチル基（ｎ−Ｃ８Ｈ１７）、Ｐｈはフェニル基（Ｃ６Ｈ５）を示す。
【００６６】
また、上記の例では、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含む原料ガスが各１種類あればよいものとしたが、これに限らず、例えば、有機シランとＮ２の他にＣ２Ｈ２を加えたガスや、有機シラザンの他にＮ２を加えたガスを用いてもよい。
【００６７】
上記実施の形態では、成膜処理には平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。しかし、これに限らず、ＥＣＲ型、ＩＣＰ型、ＴＣＰ型、ヘリコン型等のプラズマ処理を用いてもよい。また、プラズマＣＶＤに限らず、熱ＣＶＤを用いてもよい。さらに、反応物質を一原子層づつ吸着させて原子層レベルでの膜形成を行う、いわゆるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）またはＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy）を適用してもよい。
【００６８】
上記実施の形態では、Ｎ−Ｈ結合の除去処理は、減圧下での加熱によりＮ−Ｈ結合を励起して行うものとした。しかし、Ｎ−Ｈ結合を励起する方法はこれに限られない。例えば、プラズマアニールを用いてもよく、この場合、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｎ２等の不活性ガスのプラズマに、ＳｉＣＮ系膜の薄膜を曝露するようにすればよい。プラズマアニールを用いることにより、Ｎ−Ｈ結合のＨの脱離だけでなく、Ａｒイオン等の活性種によるＨの引き抜き等によりＮ−Ｈ結合を活性化して、これを除去することができる。
【００６９】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜をエッチングのハードマスクとして用いるものとした。しかし、これに限らず、配線層上に設けて配線材料の拡散を抑えるバリヤ層など、他の用途膜として用いてもよい。
【００７０】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜を例として説明した。しかし、これに限らず、少なくとも窒素と水素とを含むＳｉＮ系膜等の、Ｎ−Ｈ結合を含む絶縁膜に対して本発明を適用することができる。
【００７１】
また、上記実施の形態の処理装置１１をエッチャー等と組み合わせた構成としてもよい。この場合、処理装置１１を含むクラスタリングシステム、インライン型のシステムとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる絶縁膜の形成方法のタイミング図である。
【図３】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図５】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図６】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図７】アニール処理条件を変更して形成した薄膜のＮ−Ｈ結合量とレジスト処理時に発生するＮＨ３ガスの検出強度との関係を示す図である。
【図８】ダマシン法を用いた配線層の形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１１ 処理装置
１２ チャンバ
１３ 排気口
１４ 排気装置
１５ ゲートバルブ
１６ サセプタ支持台
１７ サセプタ
１８ 絶縁体
１９ 下部冷媒流路
２０ リフトピン
２１ 第１の高周波電源
２２ 第１の整合器
２３ シャワーヘッド
２４ ガス穴
２５ 電極板
２６ 電極支持体
２７ 上部冷媒流路
２８ ガス導入管
２９ ＨＭＤＳガス源
３０ ＮＨ３ガス源
３１ Ａｒガス源
３２ 第２の高周波電源
３３ 第２の整合器
３４ コントローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、特に、Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進行し、設計ルールは０．１３μｍにまで達している。０．１３μｍ世代においては、半導体デバイスの性能に対する配線の性能が支配的となり、配線遅延がデバイスの動作速度を大きく左右する。このため、高速な回路の製造には、できるだけ配線遅延を抑制することが必要とされる。
【０００３】
配線遅延を低減するため、配線材料はアルミニウム合金から銅へと移行している。銅は比抵抗が低く、また、エレクトロマイグレーション耐性が高く、高速な回路の構成に好適に用いられる。しかし、銅は、アルミニウム合金と異なり、ケミカルエッチングにより配線のパターンの形成することは難しい。このため、銅の配線を形成する方法として、所謂ダマシン法が採用されている。
【０００４】
以下、ダマシン法について図８（ａ）〜８（ｅ）を参照して説明する。まず、図８（ａ）に示すように、シリコン酸化膜等の層間絶縁膜１０１上に、シリコン窒化膜等のハードマスク１０２を形成する。続いて、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ハードマスク１０２に開口１０３を形成する。このとき、エッチングはハードマスク１０２はエッチングされるが、層間絶縁膜１０１はエッチングされない条件で行われる。
【０００５】
続いて、開口１０３を備えたハードマスク１０２をマスクとして、層間絶縁膜１０１のエッチングを行う。これにより、図８（ｃ）に示すようなトレンチホール１０４が形成される。さらに、トレンチホール１０４の内壁を含む表面全体にＴｉＮ等のバリアメタル膜１０５を形成した後、図８（ｄ）に示すように、めっきによりトレンチホール１０４の内部を配線金属１０６で埋め込む。最後に、不要な金属膜を化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）により除去し、図８（ｅ）に示すような銅配線層１０７が形成される。
【０００６】
上記したダマシン法に用いるハードマスク１０２として、近年、ＳｉＣＮ系膜が開発されている。ＳｉＣＮ系膜は、ケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）とを主成分として構成される。ＳｉＣＮ系膜は、例えば、ヘキサメチルジシラザンとアンモニアとを出発物質として形成される。ＳｉＣＮ系膜は、比誘電率が比較的低い、銅に対するバリヤ性が高い等の利点を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＳｉＣＮ系膜からなるハードマスク１０２を用いてダマシン法を行う場合、開口１０３を形成するためのリソグラフィを行う際に、レジストがマスクパターン通りに露光されない現象がしばしば認められる。このような現象はレジストポイズニングと呼ばれている。
【０００８】
ＳｉＣＮ系膜を用いた場合のレジストポイズニングは、膜中の窒素水素結合（Ｎ−Ｈ結合）が多いほど起こりやすいことが確認されている。これは、リソグラフィ工程での加熱処理において、膜中のＮ−Ｈ結合がアンモニア（ＮＨ３）として脱離するためと考えられている。このため、膜中のＮ−Ｈ結合の少ないＳｉＣＮ系膜を得ることが、配線パターンを高精度に形成するために必要である。
【０００９】
しかし、従来より、膜中のＮ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜を成膜することのできる方法はなく、ＳｉＣＮ系膜をハードマスクとして使用した場合に、信頼性の高い半導体デバイスが製造できない虞があった。
【００１０】
上記事情を鑑みて、本発明は、レジストポイズニングの発生を抑制できるプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、埋め込み配線層の形成に好適に使用可能なプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るプラズマＣＶＤ成膜方法は、
チャンバ内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に載置された前記基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第１の周波数の高周波電力の印加及び前記第２の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１２】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低くてもよい。
【００１３】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚであってもよい。
【００１４】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚであってもよい。
【００１５】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であってもよい。
【００１６】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含んでもよい。
【００１７】
前記絶縁膜を形成する工程は、４００℃以下で行われてもよい。
【００１８】
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに備え、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とは、繰り返し行われてもよい。
【００１９】
前記絶縁膜は、前記基板上に形成された層間絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜は、前記層間絶縁膜をエッチングするためのハードマスクとして用いられてもよい。
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバ内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバ内に供給された絶縁膜形成原料を前記基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する第１の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する第２の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に絶縁膜形成原料を供給し、前記第１の高周波電源を制御して前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第２の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする。
【００２１】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低くてもよい。
【００２２】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚであってもよい。
【００２３】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚであってもよい。
【００２４】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であってもよい。
【００２５】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含んでもよい。
【００２６】
前記制御手段は、前記絶縁膜を形成する際、前記チャンバ内を４００℃以下に制御してもよい。
【００２７】
前記制御手段は、
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに制御し、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とを、繰り返し行うよう制御してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、膜へのダメージが低減されたプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本実施の形態にかかる絶縁膜の形成方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態の絶縁膜の形成方法によれば、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）とを主成分として構成される膜（以下、ＳｉＣＮ系膜）が形成される。ＳｉＣＮ系膜は、ダマシン法またはデュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜に埋め込み配線層を形成するためのハードマスクとして機能する。
【００３０】
図１に、本実施の形態の絶縁膜の形成方法を実施するための装置の構成例を示す。
本実施の形態の処理装置は、上下平行に対向する電極を有する、いわゆる平行平板型プラズマＣＶＤ装置として構成され、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）の表面にＳｉＣＮ系膜をＣＶＤにより成膜する。
【００３１】
図１を参照して、処理装置１１は、円筒形状のチャンバ１２を有する。チャンバ１２は、アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等の導電性材料からなる。また、チャンバ１２は接地されている。
【００３２】
チャンバ１２の底部には排気口１３が設けられている。排気口１３には、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備える排気装置１４が接続されている。排気装置１４は、チャンバ１２内を所定の圧力まで排気する。また、チャンバ１２の側壁にはゲートバルブ１５が設けられている。ゲートバルブ１５を開放した状態で、チャンバ１２の外部との間でのウェハＷの搬入出がなされる。
【００３３】
チャンバ１２の底部には略円柱状のサセプタ支持台１６が設けられている。サセプタ支持台１６の上には、ウェハＷの載置台としてのサセプタ１７が設けられている。サセプタ１７は下部電極としての機能を有し、サセプタ支持台１６とサセプタ１７との間は、セラミックなどの絶縁体１８により絶縁されている。
【００３４】
サセプタ支持台１６の内部には、下部冷媒流路１９が設けられている。下部冷媒流路１９には冷媒が循環している。下部冷媒流路１９を冷媒が循環することにより、サセプタ１７そしてウエハＷは所望の温度に制御される。
【００３５】
サセプタ支持台１６には、半導体ウエハＷの受け渡しをするためのリフトピン２０が設けられており、リフトピン２０はシリンダ（図示せず）により昇降可能となっている。また、サセプタ１７は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の図示しない静電チャックが設けられている。サセプタ１７上に載置されたウェハＷは、直流電圧が印加されることにより静電吸着される。
【００３６】
下部電極として機能するサセプタ１７には、第１の高周波電源２１が第１の整合器２２を介して接続されている。第１の高周波電源２１は０．１〜１３ＭＨｚの範囲の周波数を有している。第１の高周波電源２１に上記範囲の周波数を印加することにより、被処理体に対するダメージを低減させる等の効果が得られる。
【００３７】
サセプタ１７の上方には、このサセプタ１７と平行に対向してシャワーヘッド２３が設けられている。シャワーヘッド２３のサセプタ１７に対向する面には、多数のガス穴２４を有する、アルミニウム等からなる電極板２５が備えられている。また、シャワーヘッド２３は、電極支持体２６により、チャンバ１２の天井部分に支持されている。シャワーヘッド２３の内部には、上部冷媒流路２７が設けられている。上部冷媒流路２７には冷媒が循環し、シャワーヘッド２３は所望の温度に制御される。
【００３８】
さらに、シャワーヘッド２３にはガス導入管２８が接続されている。ガス導入管２８は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガス源２９と、アンモニア（ＮＨ３）ガス源３０と、アルゴン（Ａｒ）ガス源３１と、に、図示しないマスフローコントローラ、バルブ等を介して接続されている。
【００３９】
各ガス源２９〜３１からの処理ガスは、ガス導入管２８を介してシャワーヘッド２３の内部に形成された中空部（図示せず）に混合されて供給される。シャワーヘッド２３内に供給されたガスは、中空部で拡散され、シャワーヘッド２３のガス穴２４からウェハＷの表面に供給される。
【００４０】
シャワーヘッド２３には、第２の高周波電源３２が接続されており、その給電線には第２の整合器３３が介在されている。第２の高周波電源３２は、１３〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加することにより、シャワーヘッド２３は上部電極として機能し、チャンバ１２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成する。
【００４１】
コントローラ３４は、ウェハＷへの成膜処理を含む、処理装置１１全体の動作を制御する。なお、コントローラ３４の詳細な動作については、理解を容易にするため省略する。
【００４２】
以下、上記処理装置１１を用いた絶縁膜の形成方法について説明する。図２に、本実施の形態の製造方法のタイミング図を示す。なお、図２に示すタイミング図は一例であり、同様の効果を奏する構成であればいかなるものであってもよい。
【００４３】
まず、その表面に絶縁膜を備える未処理のウェハＷが、図示しない搬送アームに保持されて開放状態のゲートバルブ１５を介してチャンバ１２内に搬入される。搬送アームは、ウェハＷを上昇位置にあるリフトピン２０に受け渡し、チャンバ１２内から退出する。その後、ウェハＷはリフトピン２０の下降により、サセプタ１７上に載置される。ウェハＷは、静電チャックによりサセプタ１７上に固定される。
【００４４】
次いで、コントローラ３４は、排気装置１４により、チャンバ１２内を、例えば、１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。また同時に、コントローラ３４は、サセプタ１７の温度を、４００℃以下の温度、例えば、３５０℃に設定する。
【００４５】
その後、各ガス源２９〜３１から、ＨＭＤＳ、ＮＨ３およびＡｒガスが、所定の流量でチャンバ１２内に供給される。処理ガスの混合ガスは、シャワーヘッド２３のガス穴２４からウエハＷに向けて均一に吐出される。ＨＭＤＳ、ＮＨ３およびＡｒの供給は、例えば、ＨＭＤＳ／ＮＨ３／Ａｒ＝３０／１０／１００の流量比（各ｓｃｃｍ）で行われる。
【００４６】
その後、第２の高周波電源３２から、例えば、６０ＭＨｚの高周波電力が上部電極（シャワーヘッド２３）に印加される。これにより、上部電極と下部電極（サセプタ１７）との間に高周波電界が生じ、混合ガスのプラズマが生成する。他方、第１の高周波電源２１からは、例えば、２ＭＨｚの高周波電力が下部電極に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ１７側へ引き込まれ、ウェハＷ表面近傍のプラズマ密度が高められる。このような上下の電極２３、１７への高周波電力の印加により、処理ガスのプラズマが生成され、このプラズマによるウェハＷの表面での化学反応により、ウェハＷの表面にＳｉＣＮ系膜が形成される。
【００４７】
ここで、コントローラ３４は、上下電極２３、１７への高周波電力の印加を数秒間行い、ウェハＷ表面に、例えば、１ｎｍ〜５ｎｍ（１０Å〜５０Å）の厚さのＳｉＣＮ系膜の薄膜を形成する。高周波電力の印加開始から所定時間後、コントローラ３４は、上部電極および下部電極への高周波電力の印加を停止するとともに、ＨＭＤＳガス源２９およびＮＨ３ガス源３０からのＨＭＤＳおよびＮＨ３の導入を停止する。以上で成膜工程は終了する。このとき、Ａｒは、チャンバ１２内を流れている。
【００４８】
コントローラ３４は、Ａｒガスによるチャンバ１２内のパージを所定時間行い、チャンバ１２内から、残存したＨＭＤＳおよびＮＨ３を除去する。このとき、コントローラ３４は、サセプタ１７の温度を、４５０℃以下の温度、例えば、４００℃に設定し、また、圧力を、例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒ）とする。
【００４９】
コントローラ３４は、サセプタ１７の４００℃での加熱を所定時間行い、アニールを行う。アニール工程では、ウェハＷ表面に成膜されたＳｉＣＮ系膜中に存在するＮ−Ｈ結合を励起し、これにより、Ｎ−Ｈ結合が解離して水素（Ｈ）が脱離する。脱離したＨは、Ｈ２等として、排気ガスとしてチャンバ１２外に排出される。ここで、成膜されているＳｉＣＮ系膜は、厚さ１ｎｍ〜５ｎｍ程度の、数原子層分の薄膜である。このため、Ｈの脱離は膜表面以外でも容易に起こり、ＳｉＣＮ系膜からのＮ−Ｈ結合の除去は十分に行われる。
【００５０】
ここで、成膜直後の薄膜には存在していた１２００ｃｍ−１付近のＮ−Ｈ結合の吸収ピークが、アニール後には完全に消失していることを、例えば、ＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外分光分析）により確認している。従って、成膜された薄膜からＮ−Ｈ結合が確実に除去されていることがわかる。
【００５１】
コントローラ３４は、膜中のＮ−Ｈ結合からＨを除去するのに十分な時間、上記アニール処理を行う。所定時間後、コントローラ３４は、チャンバ１２内にＡｒを流しつつ、サセプタ１７の温度を成膜時の温度（３５０℃）まで低下させ、また、圧力を１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。
【００５２】
その後、コントローラ３４は、再び、上述したＳｉＣＮ系膜の薄膜の成膜を開始する。すなわち、コントローラ３４は、ガス源からのＨＭＤＳおよびＮＨ３の供給を開始する。次いで、上部電極および下部電極に高周波電力を印加する。成膜処理を上記と同様に所定時間行うことにより、既に成膜された薄膜上に、新たに、１ｎｍ〜５ｎｍの厚さのＳｉＣＮ系膜の薄膜が成膜される。
【００５３】
成膜処理の後、コントローラ３４は、上部電極および下部電極への高周波電力の印加を停止し、ＨＭＤＳおよびＮＨ３の供給を停止する。次いで、サセプタ１７の温度を４００℃に設定し、チャンバ１２内の圧力を１．３×１０−３Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒ）とするとともに、チャンバ１２内をＡｒガスによりパージする。
【００５４】
コントローラ３４は、再び、サセプタ１７を４００℃に所定時間保持し、アニール処理を行う。これにより、ＳｉＣＮ系膜、特に、新たに形成した膜中のＮ−Ｈ結合のＨが脱離する。このようにして、新たに形成されたＳｉＣＮ系膜に対するＮ−Ｈ結合の除去が行われる。
【００５５】
その後、コントローラ３４はサセプタ１７の温度を３５０℃まで低下させ、チャンバ１２内の圧力を１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）とする。コントローラ３４は、このようにして、成膜処理と、アニール処理と、各処理間のパージと、を繰り返す。コントローラ３４は、薄膜が積層して形成されるＳｉＣＮ系膜全体の厚さが、所定の厚さ、例えば、５００ｎｍ（５０００Å）に達する回数、上記各処理を繰り返す。
【００５６】
所定回数上記各処理を繰り返した後、コントローラ３４は、サセプタ１７の加熱を停止するとともに、チャンバ１２内の圧力をチャンバ１２外の圧力程度まで戻す。その後、静電チャックは解除され、リフトピン２０が上昇する。次いで、ゲートバルブ１５が開放されて、搬送アームがチャンバ１２内に侵入する。搬送アームによりウェハＷがチャンバ１２外に搬出される。
【００５７】
以上で、処理装置１１を用いたＳｉＣＮ系膜の形成処理は終了し、図３に示すような、絶縁膜４０上にＳｉＣＮ系膜４１が形成された結果物が得られる。ウェハＷには、その後、ＳｉＣＮ系膜４１のパターニング、次いで、パターニングされたＳｉＣＮ系膜４１をハードマスクとする絶縁膜４０のエッチングが施され、例えば、図４〜図６に示すような埋め込み配線層４２が形成される。
【００５８】
図４〜図６において、配線層４２はバリヤ層４２ａを介して設けられている。ここで、図４に示す配線層４２は、ダマシン法を用いて形成した例である。また、図５および図６に示す配線層４２は、デュアルダマシン法を用いて、トレンチホール４３とビアホール４４とを形成した例である。また、図５に示す配線層４２は、ハードマスク（ＳｉＣＮ系膜４１）を１層用い、図６に示す配線層４２は、ハードマスクを２層用いて形成したものである。
【００５９】
以上説明したように、本発明によれば、ＳｉＣＮ系膜の成膜を、数ｎｍの厚さの薄膜を積層して行っている。薄膜の成膜処理の間には、熱アニールによる、薄膜中（特に、膜表面）のＮ−Ｈ結合の除去が行われる。これにより、最終的に膜中のＮ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜が形成される。
【００６０】
Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないＳｉＣＮ系膜を形成することにより、リソグラフィ工程での加熱時におけるＮＨ３の発生等を抑えることができる。図７に、アニール処理時間を変えて、膜中に残存するＮ−Ｈ結合の量を変化させた薄膜から、レジスト処理条件で発生するＮＨ３をガス分析により検出した結果を示す。図７に示すように、膜中に存在するＮ−Ｈ結合と発生ＮＨ３強度とは正の相関を示し、Ｎ−Ｈ結合の減少に伴って、発生するＮＨ３強度も低下する。このことから、適正なアニール処理で、薄膜から十分にＮ−Ｈ結合を除去することにより形成した絶縁膜を使用することで、レジストの変質（いわゆるレジストポイズニング）を低減することができ、信頼性の高いリソグラフィ処理（パターニング）が可能となることがわかる。従って、ＳｉＣＮ系膜をハードマスクとして用いた、信頼性の高い配線層形成処理（特に、ダマシン処理）が可能となる。なお、レジストポイズニングの定量化は、例えばパターンニングされた基板表面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）撮影し、その画像のパターニングされたラインとラインとの間の間隔により行うことができる。何故なら、レジストポイズニングが発生すると、ラインエッジが削られて顕微鏡の焦点深度が合わず、ラインエッジが所謂ピンぼけ状態となるために、設計間隔よりも測定間隔の方が小さくなるからである。
【００６１】
本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様について、説明する。
【００６２】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜は、ＨＭＤＳとＮＨ３を原料ガス化合物として形成した。しかし、原料化合物としては、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含む化合物であって、単体で、又は、これらを適当に組み合わせた反応によりＳｉＣＮ系膜が形成されるものならいかなるものでもよい。
【００６３】
例えば、Ｓｉ、Ｃ、Ｎをそれぞれ含む３種の原料ガス化合物を用いることもでき、この場合、Ｓｉ含有化合物としてＳｉＨ４を、Ｃ含有化合物としてＣ２Ｈ４、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ２Ｈ２等を、Ｎ含有化合物としてＮ２、ＮＦ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ４、ＮＯ、Ｎ３Ｈ８等を適当に組み合わせればよい。
【００６４】
また、Ｓｉ及びＣを含む原料化合物と、Ｎを含む原料化合物の２種のガスを混合して成膜してもよい。この場合、Ｎ含有化合物としては上記したものを用い、Ｓｉ及びＣを含む化合物としてアルキルシラン、アルコキシシラン等の有機シランを用いて、これらを適当に組み合わせればよい。アルキルシランとしては、例えば、メチルシラン（ＳｉＨ３（ＣＨ３））、ジメチルシラン（ＳｉＨ２（ＣＨ３）２）、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ３）３）、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４）といったメチル化シランが挙げられ、アルコキシシランとしては、例えば、トリメトキシメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）３）といったメトキシ化シランが挙げられる。また、これとは逆に、Ｓｉ及びＮを含む原料ガスとＣを含む原料ガスを混合するようしてもよい。この場合、Ｃ含有化合物としては、上記のものから選択し、Ｓｉ及びＮを含む化合物としては、例えば、ジシラザン（ＳｉＨ３−ＮＨ−ＳｉＨ３）を用いて、これらを適当に組み合わせればよい。
【００６５】
さらには、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを全て含む、ＨＭＤＳ以外の化合物を原料ガスとして用いることも可能である。このような化合物としては、シラザン結合（−Ｓｉ−Ｎ−）を有する有機シラザン化合物を用いることができる。有機シラザン化合物を用いる場合、例えば、プラズマＣＶＤ法により熱重合させて成膜することができる。使用可能な有機シラザン化合物としては、例えば、トリエチルシラザン（ＳｉＥｔ３ＮＨ２）、トリプロピルシラザン（ＳｉＰｒ３ＮＨ２）、トリフェニルシラザン（ＳｉＰｈ３ＮＨ２）、テトラメチルジシラザン（ＳｉＭｅ２Ｈ−ＮＨ−ＳｉＭｅ２Ｈ）、ヘキサエチルジシラザン（ＳｉＥｔ３−ＮＨ−ＳｉＥｔ３）、ヘキサフェニルジシラザン（ＳｉＰｈ３−ＮＨ−ＳｉＰｈ３）、ヘプタメチルジシラザン（ＳｉＭｅ３−ＮＭｅ−ＳｉＭｅ３）、ジプロピル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＰｒＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＰｒＭｅ２）、ジ−ｎ−ブチル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＢｕＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＢｕＭｅ２）、ジ−ｎ−オクチル−テトラメチルジシラザン（ＳｉＯｃＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＯｃＭｅ２）、ジビニル−テトラメチルジシラザン（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ２−ＮＨ−ＳｉＭｅ２−ＣＨ＝ＣＨ２）などの鎖状シラザン化合物、トリエチル−トリメチルシクロトリシラザン（（ＳｉＥｔＨ−ＮＭｅ）３）、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）や１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロトリシラザンなどの異性体を含むヘキサメチルシクロトリシラザン（（ＳｉＭｅ２−ＮＨ）３）、ヘキサエチルシクロトリシラザン（（ＳｉＥｔ２−ＮＨ）３）、ヘキサフェニルシクロトリシラザン（（ＳｉＰｈ２−ＮＨ）３）、オクタメチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＭｅ２−ＮＨ）４）、オクタエチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＥｔ２−ＮＨ）４）、テトラエチル−テトラメチルシクロテトラシラザン（（ＳｉＨＥｔ−ＮＭｅ）４）、シアノプロピルメチルシクロシラザン（ＳｉＭｅＮＣ（ＣＨ２）３−ＮＨ）、テトラフェニルジメチルジシラザン（ＳｉＭｅＰｈ２−ＮＨ−ＳｉＭｅＰｈ２）、ジフェニル−テトラメチルジシラザン（（ＳｉＭｅ２Ｐｈ）２−ＮＨ）、トリビニル−トリメチルシクロトリシラザン（（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ−ＮＨ）３）、テトラビニル−テトラメチルシクロテトラシラザン（ＣＨ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ−ＮＨ）４などの環状シラザン化合物が挙げられる。上記式中、Ｍｅはメチル基（ＣＨ３）、Ｅｔはエチル基（Ｃ２Ｈ５）、Ｐｒはプロピル基（Ｃ３Ｈ７）、Ｏｃはｎ−オクチル基（ｎ−Ｃ８Ｈ１７）、Ｐｈはフェニル基（Ｃ６Ｈ５）を示す。
【００６６】
また、上記の例では、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含む原料ガスが各１種類あればよいものとしたが、これに限らず、例えば、有機シランとＮ２の他にＣ２Ｈ２を加えたガスや、有機シラザンの他にＮ２を加えたガスを用いてもよい。
【００６７】
上記実施の形態では、成膜処理には平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。しかし、これに限らず、ＥＣＲ型、ＩＣＰ型、ＴＣＰ型、ヘリコン型等のプラズマ処理を用いてもよい。また、プラズマＣＶＤに限らず、熱ＣＶＤを用いてもよい。さらに、反応物質を一原子層づつ吸着させて原子層レベルでの膜形成を行う、いわゆるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）またはＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy）を適用してもよい。
【００６８】
上記実施の形態では、Ｎ−Ｈ結合の除去処理は、減圧下での加熱によりＮ−Ｈ結合を励起して行うものとした。しかし、Ｎ−Ｈ結合を励起する方法はこれに限られない。例えば、プラズマアニールを用いてもよく、この場合、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｎ２等の不活性ガスのプラズマに、ＳｉＣＮ系膜の薄膜を曝露するようにすればよい。プラズマアニールを用いることにより、Ｎ−Ｈ結合のＨの脱離だけでなく、Ａｒイオン等の活性種によるＨの引き抜き等によりＮ−Ｈ結合を活性化して、これを除去することができる。
【００６９】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜をエッチングのハードマスクとして用いるものとした。しかし、これに限らず、配線層上に設けて配線材料の拡散を抑えるバリヤ層など、他の用途膜として用いてもよい。
【００７０】
上記実施の形態では、ＳｉＣＮ系膜を例として説明した。しかし、これに限らず、少なくとも窒素と水素とを含むＳｉＮ系膜等の、Ｎ−Ｈ結合を含む絶縁膜に対して本発明を適用することができる。
【００７１】
また、上記実施の形態の処理装置１１をエッチャー等と組み合わせた構成としてもよい。この場合、処理装置１１を含むクラスタリングシステム、インライン型のシステムとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる絶縁膜の形成方法のタイミング図である。
【図３】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図５】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図６】本発明の実施の形態の絶縁膜の形成方法により形成された結果物に配線層を形成した図である。
【図７】アニール処理条件を変更して形成した薄膜のＮ−Ｈ結合量とレジスト処理時に発生するＮＨ３ガスの検出強度との関係を示す図である。
【図８】ダマシン法を用いた配線層の形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１１ 処理装置
１２ チャンバ
１３ 排気口
１４ 排気装置
１５ ゲートバルブ
１６ サセプタ支持台
１７ サセプタ
１８ 絶縁体
１９ 下部冷媒流路
２０ リフトピン
２１ 第１の高周波電源
２２ 第１の整合器
２３ シャワーヘッド
２４ ガス穴
２５ 電極板
２６ 電極支持体
２７ 上部冷媒流路
２８ ガス導入管
２９ ＨＭＤＳガス源
３０ ＮＨ３ガス源
３１ Ａｒガス源
３２ 第２の高周波電源
３３ 第２の整合器
３４ コントローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に載置された前記基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第１の周波数の高周波電力の印加及び前記第２の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項２】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項３】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項４】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項６】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項７】
前記絶縁膜を形成する工程は、４００℃以下で行われることを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項８】
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに備え、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とは、繰り返し行われることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項９】
前記絶縁膜は、前記基板上に形成された層間絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜は、前記層間絶縁膜をエッチングするためのハードマスクとして用いられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項１０】
チャンバと、
前記チャンバ内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバ内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバ内に供給された絶縁膜形成原料を前記基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する第１の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する第２の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に前記絶縁膜形成原料を供給し、前記第１の高周波電源を制御して前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第２の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１１】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低いことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１２】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１３】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含むことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、前記絶縁膜を形成する際、前記チャンバ内を４００℃以下に制御することを特徴とする請求項１４又は１５に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１７】
前記制御手段は、
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに制御し、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とを、繰り返し行うよう制御することを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１】
チャンバ内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に載置された前記基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第１の周波数の高周波電力の印加及び前記第２の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項２】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項３】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項４】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項６】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項７】
前記絶縁膜を形成する工程は、４００℃以下で行われることを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項８】
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに備え、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とは、繰り返し行われることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項９】
前記絶縁膜は、前記基板上に形成された層間絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜は、前記層間絶縁膜をエッチングするためのハードマスクとして用いられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項１０】
チャンバと、
前記チャンバ内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバ内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバ内に供給された絶縁膜形成原料を前記基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加する第１の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加する第２の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に前記絶縁膜形成原料を供給し、前記第１の高周波電源を制御して前記サセプタに第１の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第２の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第２の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１１】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より低いことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１２】
前記第１の周波数は、０．１〜１３ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１３】
前記第２の周波数は、１３〜１５０ＭＨｚである、ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜は、ＳｉＣＮ系膜であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜形成原料は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、及びＨを含むことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、前記絶縁膜を形成する際、前記チャンバ内を４００℃以下に制御することを特徴とする請求項１４又は１５に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項１７】
前記制御手段は、
前記絶縁膜中に含まれるＮ−Ｈ結合を励起し、前記Ｎ−Ｈ結合を解離させて水素を除去する水素除去工程をさらに制御し、
前記絶縁膜形成原料を供給する工程と、前記第１の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記第２の周波数の高周波電力を印加する工程と、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程と、前記水素除去工程とを、繰り返し行うよう制御することを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００７−２２１１６５（Ｐ２００７−２２１１６５Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１３５４２（Ｐ２００７−１１３５４２）
【出願日】平成１９年４月２３日（２００７．４．２３）
【分割の表示】特願２００２−２５４９９４（Ｐ２００２−２５４９９４）の分割
【原出願日】平成１４年８月３０日（２００２．８．３０）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月２３日（２００７．４．２３）
【分割の表示】特願２００２−２５４９９４（Ｐ２００２−２５４９９４）の分割
【原出願日】平成１４年８月３０日（２００２．８．３０）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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