【目的】本発明は、窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 第一の処理部にて、シリコン基板上にHigh-kゲート絶縁膜を形成する工程と、シリコン基板を第二の処理部に搬入する工程と、前記ゲート絶縁膜を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜を窒化する工程と、 前記窒化された基板を前記第二の処理部でアニール処理する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】触媒線を用いた成膜室における成膜処理と、触媒線を退避させた成膜室におけるクリーニング処理とを円滑に実行可能にした成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤチャンバは、水平方向へ往復移動することにより連通孔３３ｈを開閉するシャッター３７と、シャッター３７に形成されて水平方向へ延びる開放スリット３７ａとを有する。そして、触媒ＣＶＤチャンバは、ホルダ３４が第二位置にある場合には、開放スリット３７ａが直線部分３６ｂを出し入れようにシャッター３７を往復移動することによって連通孔３３ｈを開閉する。 （もっと読む）

【課題】紫外線を利用して、プラズマによるダメージの少ない良質な膜を基板上に形成することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、成膜容器の成膜室内に配設された、基板が載置される基板ステージと、成膜容器の、成膜室の上方に位置するプラズマ発生室内に配設された、紫外線を発生するプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマ発生室と成膜室とを区切るように成膜容器内に配設された、プラズマ発生室から成膜室に紫外線を透過させる紫外線透過板と、を備えている。成膜容器内に供給されたガスは、紫外線透過板を透過した紫外線により活性化されて基板上に酸化膜が生成される。 （もっと読む）

【課題】触媒線を利用した成膜処理において成膜ガスの供給状態を安定させた成膜装置を提供する。
【解決手段】一対の基板Ｓを立てた状態で保持して各基板Ｓを対向させる第一ステージと、各基板Ｓの間隙（反応空間）に配設された複数の触媒線１５と、反応空間へ成膜ガスを供給するガス供給部２０とを有し、ガス供給部２０が、反応空間の外側に配設されて基板Ｓの面方向に沿って延びる複数の噴射孔Ｎ１と、各噴射孔Ｎ１の開口を囲う遮蔽片２２ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】ダメージの無い真空処理を行なえる技術を提供する。
【解決手段】アンテナ２２が内側容器２４と外側容器２６で覆われたラジカル生成装置２０を真空槽１２の壁面から真空槽１２の内部に突き出させ、内側容器２４と外側容器２６の間のガス導入空間３０に処理ガスを導入し、アンテナ２２に高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、ガス導入空間３０でプラズマが形成され、処理ガスのラジカルが生成される。外側容器２６には放出孔２８が複数設けられており、ラジカルは放出孔２８から真空槽１２の内部に放出され、基板８の表面に到達すると、基板８が真空処理される。基板８はプラズマに曝されないのでダメージが生じない。 （もっと読む）

【課題】基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にする回動機構と、同鉛直方向に延びる触媒線を有し、基板主面と触媒線との間の距離の拡大を抑え、かつ、基板の回動領域の拡大を抑えた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】搬送位置の基板Ｓを、９０°の中心角を有した仮想円弧ＣＡの弦にする。そして、回動軸Ａの高さ位置が仮想円弧ＣＡの中心、すなわち基準軸心Ａ０の高さ位置よりも低く、かつ、回動軸Ａの水平位置が基準軸心Ａ０の水平位置よりも触媒線に近くなるように、第一軸心Ａ１あるいは第二軸心Ａ２を回動軸Ａの軸心として選択する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を削減可能にして薄膜の生産性を向上した成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤチャンバ１３は、成膜位置にある基板Ｓの面方向に沿って延びる退避室３１を搭載し、退避室３１に収容されたホルダ３３を昇降させて各触媒線３５をそれぞれ成膜室２１と退避室３１とに選択的に配置する。そして、成膜室２１に成膜ガスを供給する場合には、各触媒線３５をそれぞれ成膜室２１へ移動させ、成膜室２１にクリーニングガスを供給する場合には、各触媒線３５をそれぞれ退避室３１へ移動させ、ゲートバルブＧＶ２を閉じる。 （もっと読む）

【課題】 基板に対してより多量の処理ガスを供給する。
【解決手段】 積層された基板を収納する処理室と、処理室内に基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、開口部から基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、ガス供給部が有する各開口部の上下側には開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁との間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に、薄膜１０２を形成し、薄膜１０２上に、レジスト膜１０３を形成し、レジスト膜１０３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン１０３´に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜１０３´、及び薄膜１０２上に、薄膜１０２及びレジスト膜１０３´とは異なったシリコン酸化膜１０５を形成し、シリコン酸化膜１０５を後退させ、加工されたレジスト膜１０３´の側壁上に側壁スペーサ１０５´を形成し、加工されたレジスト膜１０３´を除去し、側壁スペーサ１０５´をマスクに用いて、薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上に配設された複数の細長いナノ構造体、及び細長いナノ構造体上にコンフォーマルに堆積して複数の光活性接合を形成する多層膜を含んでなる光起電力デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０２表面上に複数の細長いナノ構造体１０１を生成し、及び多層膜１０３をコンフォーマルに堆積させて複数の光活性接合を形成する段階を含んでなり、複数の光活性接合は異なる波長の光を捕獲するように設計される。ソーラーパネルは１以上の光起電力デバイスを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させず生産性を低下させることなく、基板上に形成する薄膜の平坦性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内にハフニウム原子を含む原料を供給する工程と、前記処理室内をパージする工程と、前配処理室内に酸素原子を含む反応物を供給する工程と、前記処理室内をパージする工程と、をこの順で複数回繰り返すことにより基板上に所定膜厚のハフニウムを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記成膜工程での基板温度を２００℃以上３９０℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体３の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。熱触媒体３はコイル状であり、コイルの軸方向が基板９の表面に対して平行である。熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 （もっと読む）

【課題】複数のウェーハ基板上にラジカルアシストにより同時膜成形するためのプロセスを提供する。
【解決手段】複数のウェーハ基板が所要の膜堆積温度にまで加熱される反応器内に装荷される。酸化物又は窒化物の対イオンの安定化学種源が反応器内に導入される。原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。堆積温度は、原位置ラジカル発生反応物が存在しない従来型の化学蒸着温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】基板表面に窒化シリコン膜を成膜するにあたって、パーティクルの発生を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】縦型熱処理装置の反応容器内にてシラン系のガスと活性化したアンモニアガスとを交互に供給することにより基板表面にシリコン窒化膜を成膜する。次に反応容器から基板保持具を搬出して基板を取り出し、空になった基板保持具を反応容器内に搬入し、反応容器内の温度を、シリコン窒化膜の成膜時の処理温度よりも高いパージ処理温度まで昇温する。そして反応容器内にアンモニアガスを供給し、パージ処理温度にてアンモニアガスの分圧を８０００Ｐａ以上の圧力に維持し、しかる後、反応容器内に付着しているシリコン窒化膜を熱応力により剥離するために反応容器内を強制的に冷却する。 （もっと読む）

【課題】実用的な処理プロセス速度や処理効果を得る事が可能な触媒化学処理装置および触媒化学処理方法の提供。
【解決手段】被処理基体に吸収される波長の光を放射する光源が、装置内または外に配設されてなる。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加する事のできる電源が設けられている。加熱触媒体に反応ガスを接触させ、光源から放射される光を触媒体を経て基体表面に照射し、触媒体から発生するフリーラジカルを固体光化学的に励起されている状態の基体表面に供給し、表面処理する。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加し、触媒体からの熱電子および光電子の放出を制御して基体表面を処理する。 （もっと読む）

本発明は一般的に、材料の堆積のための方法を提供し、さらに詳細には、本発明の実施形態は、障壁層、シード層、導電材料および誘電材料を堆積するために、光励起技術を利用する化学気相堆積処理および原子層堆積処理に関する。本発明の実施形態は一般的に、支援型処理の方法および装置を提供し、支援型処理は、均一に堆積される材料を提供するために行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】処理室内部構成部材および処理室内壁などからの放出されるＨ₂Ｏなどの放出ガスや付着堆積物に起因するパーティクル対策を行い、所望膜質の成膜を行い得る触媒体化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理室２１内に配置した基板４と、基板４に対向するシャワープレート７と、シャワープレート７からの原料ガスを活性化する金属タングステン線などから成る触媒体５とを備え、触媒体５を基板４とシャワープレート７との間に介在させる構成に、処理室２１内の基板４とシャワープレート７とが対向する空間を筒状周壁２３で囲繞する構成を加え、さらに筒状周壁２３の内側即ち成膜領域２６内の圧力がその他の領域より高くなるよう真空排気手段を設けたことを特徴とする触媒体化学気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ法において、フィラメント群の配置の最適化により基材温度の一様性を満足させることによって膜厚、膜質が均一な大面積ダイヤモンド膜の成膜を実現すること。
【解決の手段】基材に対向して配置され、各々がおおむね平行に配置された、１８００℃以上に加熱された金属フィラメント群の表面に炭素を含む原料ガスと水素との混合ガスを導入して該混合ガスを分解して基材表面にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの合成法において、金属フィラメント群の中央部のフィラメント−フィラメント間隔又はフィラメント−基材間隔を、フィラメント群端部のフィラメント−フィラメント間隔又はフィラメント−基材間隔よりも広くすることによって基材表面の温度が均一になるようにしたダイヤモンドの合成方法。 （もっと読む）