【課題】成膜速度の向上を図ると共に、基板へのダメージを減少させることを可能とする触媒線化学気相成長装置、この装置を用いた化学気相成長方法及びこの装置のセルフクリーニング方法の提供。
【解決手段】特定の配置形状を有する複数の触媒線と、各触媒線への通電用電源と、各触媒線に印加した電圧の差分の電位差を触媒線間に発生させる電位差を発生させる外部電源回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】 基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来プロセスを大幅に省略でき、微細な直描が可能な製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、材料を貯留するための試料室と、前記材料又は前記材料を前駆体とする化学種を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記化学種を発生させる化学種発生部と、を含む製膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＮは有害物質を含まず太陽電池、高速素子、センサ材料など将来に希望が持てる材料である。しかし良い結晶成長方法がなくよい試料ができないので物性の研究も進んでいない。分子線エピタキシャル成長法は唯一可能性ある方法であるが窒素抜けのため良質の結晶を成長させることができない。
【解決手段】 分子線エピタキシー装置のマニピュレータの基板加熱を抵抗加熱ではなく赤外光・石英ロッドを用いた光加熱機構とする。石英ロッドによって外部の赤外線ランプで発生した赤外光を成長室の内部へ導き基板を裏面から加熱する。基板と基板ホルダ−との熱容量は小さく赤外線ランプの出力パワーは迅速に変化させることができる。２０℃／秒〜１００℃／秒程度の基板温度変化を与え、低温（５００℃〜６００℃）と高温（８００℃〜９００℃）の間で基板温度を５秒〜２０秒といった短時間で変化させる。 （もっと読む）

【課題】 膜厚の安定化、ラジカルの濃度分布の均一化、及びプラズマダメージを抑制できる真空処理装置を提供する。また、当該真空処理装置を利用して、高品位のトンネル接合膜を有するトンネル接合素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ２と、プラズマから取り出されたラジカルを被処理基板７に曝すラジカル源３とを備える真空処理装置１であって、ラジカル源３は、被処理基板７との間に貫通孔を有する板体３５を備え、ラジカル源３の外側には、高周波電流が流れる少なくとも一つの高周波アンテナ３３と、当該高周波アンテナに流れる高周波電流と略直交する方向の磁場を発生すると共に、高周波アンテナに沿って設けられた少なくとも一つの磁場生成手段３４とが設けられ、ラジカル源３における壁部３０の内側の略全面は酸化物誘電体３１，３２からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体１０は、結晶からなる基板１００と、その基板１００上に設けられた燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１と、燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１の表面に接合されたIII族窒化物半導体層１０２とを備え、III族窒化物半導体層１０２は、表面の原子配列構造を（２×２）とする燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１に接合して設けられる、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの基板(5)上に少なくとも１層、特に半導体層を蒸着する方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応装置(1)のプロセスチャンバ内で基板ホルダ(4)により基板(5)が保持され層が一定の化学量論的組成の２種成分からなり第１及び第２プロセスガスとして導入されエネルギー供給によって分解した生成物が層を形成する。熱活性化エネルギーの小さい第１プロセスガスは成長速度を決定し、大きい第２プロセスガスは過剰に供給され、第１プロセスガスはガス流入部品(3)の表面(18)上の多数孔から基板ホルダ(4)の方向(11)へ流れ、第２プロセスガスは前処理されて基板ホルダ(4)の周縁(19)上で入り表面(20)に平行に流れる。
（もっと読む）

【課題】第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明による中性ビーム蒸着装置を利用した蒸着方法は、被処理基板に化学的に吸着されない物質を含む第１の反応ガスを被処理基板がローディングされた反応チャンバ内に供給して化学的に吸着されない物質を含む第１の反応物吸着層を被処理基板上に化学的に吸着させて形成する段階と、第１の反応物吸着層が形成された被処理基板上に第２の反応ガスにより生成された中性ビームを照射して化学的に被処理基板上に吸着されない物質を第１の反応物吸着層から除去して第２の反応物吸着層を形成する段階と、を備える。本発明による中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を利用することによって、チャージングによる損傷なしに工程を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】分子層の吸着および酸化を交互に繰り返す基板処理装置において、前記酸化処理をプラズマ励起されたラジカルにより行うことにより、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、およびかかる基板処理装置を使った基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板を保持する基板保持台を備えた処理容器と、前記処理容器中において前記基板保持台の第１の側に形成された処理ガス導入口と、前記処理容器の、前記基板保持台に対して前記第１の側とは異なる第２の側に形成されたラジカル源と、前記処理容器中において前記第１の側に形成された第１の排気口と、前記処理容器中において前記第２の側に形成された第２の排気口と、前記第１の排気口に第１の可変コンダクタンスバルブを介して結合され、前記第２の排気口に第２の可変コンダクタンスバルブを介して結合された排気系とよりなる。 （もっと読む）

【課題】複数種類の材料ガスを反応室に導入して触媒体との接触により解離するようにした触媒接触型ラジカル生成装置において、従来の場合よりも高い分解率でもって解離できるようにする。
【解決手段】各々、反応室４０に複数種類の材料ガスＧ−１，Ｇ−２をそれぞれ導入する複数のガス導入手段５０−１，５０−２と、反応室４０内に各ガス導入手段５０−１，５０−２毎に１つ以上設けられ、ガス導入手段５０−１，５０−２により反応室４０に導入された材料ガスＧ−１，Ｇ−２を解離可能な触媒体１３−１，１３−２と、各ガス導入手段５０−１（又は５０−２）毎に設けられた触媒体１３−１（又は１３−２）に該ガス導入手段５０−１（又は５０−２）とは異なる他のガス導入手段５０−２（又は５０−１）により反応室４０に導入された材料ガスＧ−２（又はＧ−１）が接触するのを抑える接触抑制手段１４とを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 広い面積にわたって均一に薄膜を形成することのできるシリコン含有固体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー内でシラン誘導体からなる原料流体と二酸化炭素からなるキャリア流体を混合して超臨界状態を形成し、さらに白金、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄またはその合金から選ばれたすくなくとも１種の金属触媒による触媒反応により超臨界流体中の原料流体に活性種を発生させ、その流体を基板に吹き付けることにより、基板上にシリコン含有固体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 広い面積にわたって均一に炭素含有固体膜を形成することのできる薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー内で炭化水素誘導体からなる原料流体と二酸化炭素からなるキャリア流体を混合して超臨界状態を形成し、白金、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄またはその合金から選ばれたすくなくとも１種の金属触媒での触媒反応により超臨界流体中の原料流体に活性種を発生させ、その流体を基板に吹き付けることにより、基板上に炭素含有固体膜を形成する。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
（もっと読む）

【課題】可動基板ホルダに取付けられた基板上に薄膜を作成する方法および装置を開示する。堆積チャンバ内で、基板は一連の専用の堆積ゾーンを通過し、少なくとも２つの異なる反応物質で表面反応が繰り返される。反応物質は、ガス供給システムから専用の排気ゾーンに送られる。該システムは、基板の通過を調整するよう時間設定された高速弁を有し、それにより、反応ガスは堆積ゾーンに繰り返し注入される。専用の堆積ゾーンは、専用の排気ゾーンによって区切られ、該排気ゾーンは、排気ガス中に異なる反応化学種が混合することを最小化するか解消するために分離した通路に沿って反応ガスを指向させる。その結果、排気システム内の堆積が減少する。 （もっと読む）

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。
（もっと読む）

【課題】成膜処理空間に配置されている基板がプラズマによるダメージを受けることなしに多品種の薄膜形成などの基板処理に柔軟に対応することが可能で、かつ、薄膜形成等の基板処理を、高速・低温で実現できる基板処理装置と基板処理方法を提案する。
【解決手段】真空反応室内が、接地されている導電性の隔壁板１４によって上下に分離され、当該隔壁板より上側がプラズマ放電空間１５、当該隔壁板より下側が基板処理空間１６となる。隔壁板はこれを上下方向に貫通する複数個の隔壁板貫通孔２５ｂと、前記プラズマ放電空間と隔離され、かつ、前記基板処理空間と連通する内部空間を備えている。プラズマ放電空間と基板処理空間とは前記複数個の隔壁板貫通孔によってのみ連通され、基板処理空間への材料ガスの導入は隔壁板の内部空間を介してのみ行われる。前記隔壁板が備えている複数個の隔壁板貫通孔は、いずれも、上下方向の大きさが５ｍｍ乃至３０ｍｍ、口径が５ｍｍ乃至３０ｍｍでかつアスペクト比が１以上２以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）