【課題】被処理体に対して処理を行う処理容器を備えた処理装置において、処理容器及び被処理体の金属汚染を防ぐこと。
【解決手段】被処理体に対して処理を行うための処理容器を備えた処理装置において、少なくとも一部が金属により構成され、ハロゲンを含む腐食性ガスを前記処理容器に供給するためのガス供給流路と、前記ガス供給流路における金属部分を通流した前記腐食性のガスに光エネルギー、熱エネルギー及び衝突エネルギーの少なくとも一つを供給して、前記腐食性ガス中のハロゲンと前記金属とを含む化合物を安定化させるためのエネルギー供給部と、このエネルギー供給部によりエネルギーが供給されて安定化した化合物を捕捉する捕捉手段と、を備えるように処理装置を構成し、前記化合物が処理容器に供給されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の周囲を覆うように下部電極に取り付けられるフォーカスリングを電極温度から独立して任意・簡便かつ効率的に加熱すること。
【解決手段】
このプラズマエッチング装置において、チャンバ１０の処理空間に処理ガスを供給しない時は高周波放電が起こらず、プラズマ生成用負荷は実質的に存在しない。この場合、プラズマ生成用負荷に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷が高周波電源２８に対して実質上の負荷となり、整合器３２Ａは高周波電源２８に対してその負荷をインピーダンス整合させるように動作する。ここで、サセプタ１２からフォーカスリング３６および誘電体４４を介して接地電位の筒状支持部材１６に至る高周波伝搬経路がフォーカスリング加熱用負荷として利用される。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なαＳｉ薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及Ｓｉ系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空容器２と、それを減圧するための排気系と、被成膜基板を置く接地電極１０と、排気孔と原料ガス導入路とを有する放電電極３と、それに高周波電力を印加する高周波電源１４と、を備え、前記排気孔には、その壁面に前記原料ガス導入路につながる原料ガス供給口が形成され、前記原料ガス導入路が、前記原料ガス供給口から吐出される原料ガスの流れ方向の延長線上に前記排気孔の壁面が位置するように構成されているものである。また、シリコン系薄膜の製造方法は、上記装置で珪素を含む原料ガスを導入し、該排気孔中において該原料ガスをプラズマ化させ、高次シランを真空容器外へ排気し、プラズマ化したＳｉＨ３ラジカルを被成膜基板上に到達させる方法である。 （もっと読む）

プロセスチャンバ用の基板支持体が、基板を受け取るための受取り表面を有する静電チャックと、静電チャックの下にあるガス分散器ベースプレートとを備える。ガス分散器ベースプレートが、複数のガス出口を有する円周側壁を備え、ガス出口が互いに離隔して設けられて、プロセスガスを基板の外周縁の周りから半径方向外方向へプロセスチャンバ内に導入する。
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【課題】基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ１と、複数の被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜２０ｃをそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタ１１，２１を搬送する搬送部８とを備え、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切り第１の凸部に処理室４を定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切り第２の凸部にロードロック室７を定義し、第１及び第２のサセプタ１１，２１をロードロック室７と処理室４との間を交互に搬送する。 （もっと読む）

【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、真空チャンバ２内に設けられた上部電極３と、この上部電極３の一方の面に対向し、基板１０を保持できる下部電極５と、この真空チャンバ２内にガスを供給するガス供給手段と、を備えたプラズマ処理装置を用いて基板１０上に光電変換層３０を形成するものであって、この上部電極３の他方の面には、底部が曲面状の凹部４ａが設けられ、更にこの凹部４ａの底部に複数の貫通孔４ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、チャンネル領域、イオンを含むソース／ドレイン領域及びオフセット領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に位置する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記ソース／ドレイン領域上の前記ゲート絶縁膜及び前記第１絶縁膜の厚さの合計は、０を超え前記ソース／ドレイン領域に含まれたイオンの垂直浸透深さより小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内で前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内で前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内にシリコン原子を含むガスと、塩素原子を含むガスとを別々に供給する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】太陽電池製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、膜分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】高品質の結晶質シリコン層を製膜して高性能の光電変換装置を製造する方法、及び、高品質の結晶質シリコン層を製膜するための製膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に、ｉ層を含む結晶質シリコン系光電変換層をプラズマＣＶＤ法により形成する光電変換装置の製造方法であって、前記ｉ層の形成工程が、初期層製膜段階と、バルクｉ層製膜段階とを備え、前記初期層製膜段階が、前記初期層製膜段階でのシラン系ガス流量を、前記バルクｉ層製膜段階でのシラン系ガス流量より低く、前記初期層製膜段階の製膜時間を、前記ｉ層の全製膜時間の５％以上２０％以下として、前記初期層を製膜する。 （もっと読む）

【課題】
加熱触媒体の腐食劣化を低減することのできる薄膜形成装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】
第二の電極に高周波電力を印加する工程と、水素ガスまたは不活性ガスを含んだキャリアガスを前記第一供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、分子式にフッ素（Ｆ）を含んだガスまたは分子式に塩素（Ｃｌ）を含んだクリーニングガスを前記第二供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記第一の電極と第二の電極間に生じるグロー放電によるプラズマ空間において活性化する工程と、を有し、前記第一供給口の個数をｎ_１、開口径をｄ_１、前記第一供給口を流れるキャリアガスの全流量Ｑ_１、前記第二供給口の個数をｎ_２、前記開口径をｄ_２、前記第二供給口を流れるクリーニングガスの全流量Ｑ_２、チャンバー内の圧力をＰとしたとき、Ｑ_１≧（ｄ_１^２・ｎ_１）／（ｄ_２^２・ｎ_２）×Ｑ_２、Ｐ≦２００Ｐａを満たす。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜とゲート電極との間の界面層にカーボン層を導入して、低い閾値電圧を実現している例では、カーボン層中のカーボンはＳｉ半導体基板中に入り、欠陥準位を形成するため、ＥＷＦが不安定であった。本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、ｐ−ｍｅｔａｌを用いたＭＩＳ型半導体装置において、ＥＷＦを安定して増加させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基１０上に形成された絶縁膜２０と、絶縁膜２０上に形成され、且つ、ＣＮ基又はＣＯ基を含む界面層３０と、界面層３０上に形成された金属層４０とを備えて半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な半導体膜を成膜する。
【解決手段】処理室１０と、処理室１０の内部に互いに対向するように配置された第１電極２１及び第２電極２５とを備え、第１電極２１の第２電極２５側にはガス導入口２３を内部に有する凹部２２が設けられ、凹部２２は、ガス導入口２３から導入された原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部２２ｈと、ホロー放電部２２ｈで解離させた原料ガスの反応を促進させて処理室１０の内部に供給するためのバッファ部２２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体製造装置から排出される排ガスを処理する装置や工程を簡略化する。
【解決手段】排ガス処理装置１０は、複数の半導体製造装置２０から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置１０であって、複数の半導体製造装置２０から排出されるそれぞれの排ガスを集めて混合し収容するガス収容部４０と、ガス収容部４０で混合された混合ガスを希釈ガスで希釈する希釈部５０と、混合ガスを除害する除害部５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張で機械的強度が高く、耐食性に優れたサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の内部には、サセプタ１０５が設けられている。サセプタ１０５は、基板Ｇを載置する基材１１０を有する。基材１１０の形成には、チタンの母材１１０ａとニッケル又はアルミニウムの合材１１０ｂとから形成されたクラッド材が複数用いられる。複数のクラッド材は、母材１１０ａが合材１１０ｂにより覆われるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）