【課題】緻密な半導体膜を作製するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を提供する。また、結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室にプラズマを生成するための電力が供給される電極を有する。この電極は、基板と対向する面に共通平面を有し、この共通平面に、凹状の開口部を有している。また、ガス供給口は、凹状の開口部の底部または電極の共通平面に設けられている。また、凹状の開口部はそれぞれが孤立するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に対してプラズマの分布を略均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２と、電極フランジ４と、絶縁フランジ８１と、を有する処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、電極フランジに形成されたガス導入口４２から原料ガスをガス導入室内に供給可能に構成されているとともに、ガス導入室を、ガス導入口が配される第１空間５１と、シャワープレートが位置する第２空間５２と、に区画するように圧力調整プレート５５が設けられ、平面視で圧力調整プレートの外周縁より外方へ突出する突出部６５が形成された原料ガス供給配管６０が第１空間に設けられ、突出部に形成されたガス噴出孔６３から原料ガスをシャワープレートに向かって供給可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層保持する基板保持具２１７と、該基板保持具２１７に保持された基板２００を処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内の前記基板２００の積層方向に延在し、前記基板２００の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔２４８を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部２４１と、前記処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部２４３と、前記基板２００の処理中に、複数のガス供給孔２４８の少なくとも一つのガス供給孔２４８から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部２４１、又は前記圧力制御部２４３を制御するコントローラ２８０とから構成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

複数のウェーハを支持する塔とチューブ状のライナとの間の縦型炉内の空間に処理ガスを注入するのに使用するためのガスインジェクタは、第１の遠位端と、第１の軸に沿って延在する第１の内腔とを有し、シリコン、石英、及びシリコンカーバイドで構成される群から選択された第１の単一の材料からなる、チューブ状ストローと、ストロー部に離脱可能に接続され、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコネクタであって、第１の軸に垂直な第２の軸に沿って延在する第２の内腔を有し、第１の内腔と流体連結し、ガス供給ラインに接続可能な遠位端を有する供給チューブを含むコネクタとを含んでいる。
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【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

基板ウェーハの裏側及び縁部断面をシールするためのシステム及び方法である。第１の方法の実施例によれば、第１導電型のシリコンウェーハにアクセスする。第１導電型のエピタキシャル層をシリコンウェーハの前面上で成長する。エピタキシャル層をインプラントし、逆の導電型の領域を形成する。成長及びインプラントを繰り返し、逆の導電型の垂直カラムを形成する。ウェーハに更にインプラントを行い、垂直カラムと垂直方向で整合した逆の導電型の領域を形成する。
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【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化するとともに、放電電極における反射電力を抑制することを目的とする。
【解決手段】所定の周波数の高周波電力を位相変調して出力する高周波電源部１７ａ，１７ｂと、基板を支持する対向電極３と、高周波電源部から出力された高周波電力が供給され、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、夫々が異なるインピーダンスに設定された複数の整合回路２０ａ〜２０ｄを有し、高周波電源部側のインピーダンスに放電電極側のインピーダンスを整合させる整合器１３と、高周波電力の供給時に、複数の前記整合回路のうち、位相変調により変動する放電電極側のインピーダンスが高周波電源部側のインピーダンスに整合する整合回路を選択する選択手段２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの小さいポリシリコン膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水晶発振素子のパルスの立ち上がり時の不安定な発振状態に固体差がある場合においても、プラズマ電極への高周波の給電を複数個所から安定してパルス的に行うこと。
【解決手段】高周波発振器１１２、１１６は、発振素子を駆動する電圧をオン／オフさせつつ発振素子を駆動することで生成した発振信号から所定の振幅以上の発振信号を抽出し、高周波増幅器１１１、１１５は、高周波発振器１１２、１１６にて抽出された所定の振幅以上の発振信号をそれぞれ増幅することにより、パルス状の高周波電圧を生成し、複数の給電点１０９、１１３に印加する。 （もっと読む）

【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。
【解決手段】ウエハ群を保持して回転するボートと、ボートが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、インナチューブ内にガスを導入する第一ガス導入ノズルおよび第二ガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気する排気口と、プロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えているＣＶＤ装置において、インナチューブの側壁に一対のスリットを開設し、インナチューブをインナチューブ受けによって回転かつ昇降可能に支持する。原料ガスをウエハの中心を通すことにより、原料ガスをウエハに均一に接触させることができるので、ウエハ面内均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応炉11と、反応炉11にプロセスガスを供給するためのガス供給機構12と、反応炉11よりガスを排出するためのガス排出機構13と、スリットを有し、ウェーハwを所定の温度に加熱するためのヒータ19aと、上昇させた状態でウェーハwが載置され、下降させた状態でスリット内に収納される突き上げベース22と、突き上げベース22を、上昇、下降させるとともに、上昇させた状態で回転させる上下回転駆動制御機構24と、ウェーハwを所定の位置で回転させるための回転部材17およびこの回転部材と接続される回転駆動制御機構18と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長に用いられ、その表面にポリシリコンコートが０．５〜２．０μｍの膜厚で形成されたサセプタ３であって、前記ポリシリコンコートのグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３、およびそれを用いたエピタキシャル成長装置。また、エピタキシャルウェーハ用サセプタの製造方法であって、表面を洗浄した後、シリコンソースガスとしてトリクロロシランを用い、１１４０℃〜１２００℃の加熱雰囲気中でポリシリコンコートを形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の抵抗率分布が均一であり、また遷移幅の狭い半導体エピタキシャルウエーハを、高品質かつ高生産性で製造し供給する事のできる半導体エピタキシャルウエーハの製造方法やそのような半導体エピタキシャルウエーハを提供する。
【解決手段】半導体エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの裏面側にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、その後該ドーパント揮散防止用保護膜全体を覆うように第１ポリシリコン膜を形成した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、該反応炉内にエピタキシャル成長用ガスを導入することによって前記半導体ウエーハの表面側にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）