【課題】絶縁膜と微結晶シリコン膜との密着性を向上させた微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜５５上に、後のプラズマ酸化等により完全に酸化される高さ（例えば０ｎｍより大きく５ｎｍ以下）の微結晶シリコン粒、または後のプラズマ酸化等により完全に酸化される膜厚（例えば０ｎｍより大きく５ｎｍ以下）の微結晶シリコン膜もしくはアモルファスシリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン粒または前記微結晶シリコン膜もしくはアモルファスシリコン膜に酸素を含むプラズマ処理またはプラズマ酸化を施すことにより、前記絶縁膜上に酸化シリコン粒５７ａまたは酸化シリコン膜を形成し、前記酸化シリコン粒または前記酸化シリコン膜の上に微結晶シリコン膜５９を形成する微結晶シリコン膜の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された薄膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ装置１００は、アンテナ２１〜２４を備える。アンテナ２１〜２４は、反応容器１１０の天板１１２に固定される。アンテナ２１，２４は、基板ホルダー１２０との距離が１２ｃｍに設定され、アンテナ２２，２３は、基板ホルダー１２０との距離が２５ｃｍに設定される。アンテナ２１〜２４は、一方端が平板部材６０に接続され、他方端が接地電位ＧＮＤに接続される。高周波電源１７０は、高周波電力を整合器１６０を介して平板部材６０に供給する。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】軽量かつコンパクトで簡素な構造により、変換器の内部における反射波とプラズマの発生を防止して、放電室において安定したプラズマを発生させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマ処理が施される基板Ｓが配置される放電用のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、この放電室２の長さ方向両端に隣設されて、互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電源５Ａ，５Ｂと、電源接続用の同軸ケーブル４Ａ，４Ｂと、変換器３Ａ，３Ｂの内部において対向するリッジ部３１ａ，３１ｂの間に充填される充填材３５とを備え、充填材３５は、同軸ケーブル４Ａ，４Ｂが変換器３Ａ，３Ｂに接続される電源導入部Ｃの近傍の範囲で電源導入部Ｃと同心円の円柱状に設置されてなる構成の真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管である放電室２と、その両端に隣設され、対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電力をＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、リッジ電極２１ａ，２１ｂ間にプラズマを発生させる一対の変換器と、リッジ電極２１ｂの外側に間隔を空けて平行に設置され、プラズマ処理が施される基板Ｓがセットされ、該基板Ｓの温度を均等に加熱する均熱温調器１１と、リッジ電極２１ａの外側に設置され、該リッジ電極２１ａおよびプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向を通過する熱流束を制御する熱吸収温調ユニット１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に製膜処理を行う製膜室１内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行う真空処理装置の運転方法であって、セルフクリーニングの終了後に、製膜室１内に下地膜３２を形成する下地製膜作業を行う工程を備え、該下地製膜作業を行う工程において、下地膜３２を２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の膜厚とし、製膜圧力が製膜処理時の１．０倍以上１．５倍以下で、かつ、少なくとも製膜初期に放電電極に供給する高周波電力が製膜処理時の０．１倍以上１．０倍以下で実施され、製膜処理の積算膜厚が５００μｍを超えないよう運用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させることのできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】反応容器（１０）と、反応容器内に設けられた接地電極（１２）と、反応容器の開口部に絶縁体を介して設けられ、接地電極と一対の平行平板電極を形成する非接地電極（２１）と、非接地電極に設けられた複数の給電点を介して非接地電極に高周波電力を供給する電力供給手段（４０）とを備え、非接地電極は、方形形状を有し、複数の給電点は、接地電極と対向しない面における対向する２辺に沿った端部に設けられており、絶縁体は、非接地電極の長辺に沿った側面と反応容器が向かい合う領域に設けられた第１の誘電体（１ｂ）と、非接地電極の短辺に沿った側面と反応容器が向かい合う領域に設けられた第２の誘電体（１ｃ）とを含み、第１の誘電体の誘電率と第２の誘電体の誘電率が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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【課題】良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜の作製に際して、連続放電によりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、パルス放電によりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間隙を埋める第２の工程と、を行い、前記第２の工程は前記第１の工程の後に行う。前記第１の工程と前記第２の工程は更に複数回繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）