【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による膜成長初期段階においては結晶性の良いシリコン層を形成させることが困難である。
【解決手段】基板上に、基板側から順に、酸化チタンを主成分とする酸化チタン層と、結晶性シリコン層と、を有し、酸化チタン層と結晶性シリコン層が接していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】製膜レートを下げることなく、膜全体に亘って膜質が均一なアモルファスシリコン膜を形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板が載置されるアノード電極と、前記アノード電極に対向する位置に配置されるカソード電極を有するカソードユニットと、原料ガスが供給されるガス供給部と、前記チャンバ内のガスを排気するガス排気部とを備えており、前記カソードユニットは、前記カソード電極に前記ガス供給部と連通するガス供給孔が複数一方向に沿って配列されて形成されており、前記ガス排気部と連通するガス排気溝が前記カソード電極に隣接する位置にガス供給孔の配列方向に沿って連続的に開口して形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】排気配管の温度変化によりクリーニング完了時を判断することにより、より適切なクリーニングを行なうことができる、プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法およびプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜室２の内部に、エッチングガスを導入した状態においてプラズマを発生させる第１工程を備える。また、排気配管の温度が、クリーニング開始前における排気配管の温度から所定の温度以上上昇した後に、プラズマの発生を停止する第２工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
ガス噴出孔を有する電極の表面に、原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔と希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該希釈ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。原料ガスのプラズマ化と希釈ガスのプラズマ化を空間的に分離し、かつ、それらを接触させて、混合させることが可能となる。これにより、高品質・高速の製膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電極を大面積化しても、電極の中心部と電極の周辺部とでプラズマ生成空間におけるガスの組成が異なることを抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１００は、第１電極１２０及び第２電極１４０を有している。第１電極１２０には高周波が入力される。第２電極１４０は、第１電極１２０に対向して配置され、孔を有するフレキシブル基板１０が接する。第２電極１４０には、排気孔が形成されている。排気孔は、フレキシブル基板１０の孔を介して第１電極１２０及び第２電極１４０の間のプラズマ生成空間を排気する。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に発生させたプラズマにより原料ガスを分解し、基板上にアモルファスシリコン膜を製膜するＣＶＤ装置であって、チャンバと、基板が載置される基板載置部と、載置された基板の温度が製膜に適した温度になるように温度調節可能な基板ヒーター部とを有するアノード電極と、前記基板載置部に載置された基板に対向する位置に設けられるカソード電極と、前記カソード電極と基板載置部との間に設けられ、開状態で基板載置部に載置された基板とカソード電極との対面を許容し、閉状態で基板とカソード電極との対面を遮断するシャッター部と、を備えており、前記シャッター部には、基板の温度に応じた温度に調整可能なヒーター部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ｉ層に微結晶シリコンゲルマニウムを用いたｐｉｎ型光電変換層を備えた光電変換装置及びその製造方法において、ｉ層のゲルマニウム濃度の増加に伴う発電特性の低下を抑制する。
【解決手段】ｐ型シリコン系半導体の層を製膜する工程、ｉ型シリコン系半導体の層を製膜する工程、及びｎ型シリコン系半導体の層を製膜する工程によりｐｉｎ接合を形成して光電変換層を形成する光電変換装置の製造方法であって、ｉ型シリコン系半導体の層を製膜する工程が、微結晶シリコンゲルマニウムの層を１００℃以上１６０℃以下の製膜温度でプラズマＣＶＤ法により製膜する工程である。 （もっと読む）

高純度シリコン被覆粒子の生産用の流動床反応器システムを開示する。容器は、外部壁と、該外部壁の内面に面する断熱層と、該断熱層の内側に配置された少なくとも一つのヒーターと、該ヒーターの内側の着脱式同心状ライナーと、中央注入ノズルと、複数の流動化ノズルと、少なくとも一つの冷却ガスノズルと、および少なくとも一つの生成物排出口とを有する。システムは、ライナーの内側に着脱式同心状スリーブを含み得る。特定のシステムにおいて、中央注入ノズルは、反応器チャンバーの中央に第一ガスの垂直プルームを生成し、反応器表面上へのシリコン堆積を最小限にするように構成される。
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【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３６を窒化シリコン膜５０と酸化シリコン膜５３とで構成する。酸化シリコン膜５３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜５１と、組成式ＳｉＯ_x（ｘは１．２以上２未満の数）で表される組成を有する低酸化シリコン（ＳｉＯ_x）膜５２とで構成する。またはＳｉＯ₂膜５１と、屈折率が１．４６よりも大きく１．７以下であるＳｉＯ_x膜５２とで構成する。ＳｉＯ_x膜５２に接するように、活性層３７の微結晶シリコン膜６２を形成する。これによって、ＳｉＯ_x膜５２上に高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。したがって、オン特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、凹凸部を設け、該凸部に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該凹部に希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該原料ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

水素化ケイ素を、分子フッ素または分子フッ素から発生する反応種を含むガスで処理する工程を含む、水素化ケイ素を固形体の表面から除去するための方法。 （もっと読む）

半導体、光電地、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび微小電気機械システムのプラズマによって補助された製造のために、およびチャンバの清浄化のために、Ｆ_２またはＣＯＦ_２がエッチング剤として適用される。１５ＭＨｚ以上の周波数を有するマイクロ波を提供するプラズマエミッターがプラズマを非常に有効に提供することが見出された。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に基板を収納し、電磁波源から前記処理室の内部に露出している１または２以上の誘電体を透過させて前記処理室内に電磁波を供給し、前記処理室内にプラズマを励起させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板の処理に先立ち前記処理室の内部に露出する前記誘電体の表面を膜で被覆するプリコート工程を有する、プラズマ処理方法が提供される。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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