【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数の基板に対して成膜ガスを供給して成膜処理を行うにあたり、パーティクルの発生や基板と基板保持具との張り付きを抑えることのできる縦型熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの各々の収納位置毎に、ウエハＷの周方向に互いに離間した位置において当該ウエハＷの周縁部を下方側から各々支持する複数の主保持部３３ａと、これら主保持部３３ａに対してウエハＷの周方向に離れた位置に設けられ、各々の主保持部３３ａに支持されるウエハＷの周縁部に対して前記傾斜軸方向において下方側から臨む位置に配置された補助保持部３３ｂと、を設けて、このウエハボート１１が１回転する度に、ウエハＷの姿勢が各々の主保持部３３ａで支持される姿勢と主保持部３３ａの少なくとも１つ及び補助保持部３３ｂにより支持される姿勢との間で変わるようにする。 （もっと読む）

【課題】アノード電極側に生じる変異電流を整合回路に容易に戻すことができるようにする。
【解決手段】成膜室１０は、表面枠体５及び裏面枠体６により形成されている。表面枠体５は、カソード電極３を保持しており、カソード電極３とは絶縁されている。裏面枠体６は、表面枠体５に対して離間可能であり、アノード電極４を保持し、かつアノード電極４に電気的に接続している。そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。そして成膜室１０は、さらに、接続部材９を備えている。接続部材９は、裏面枠体６の外周面を表面枠体５の外周面に接続している。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて生じるリーク電流を抑えつつ、表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板３０１と、基板３０１に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極３０３と、ゲート電極３０３の上側に配置される微結晶半導体層３０５と、微結晶半導体層３０５上に配置される非晶質半導体層３０６と、を有し、非晶質半導体層３０６の水素濃度が、１２ａｔｏｍ％以下である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製品基板に対して処理を行うステップと、反応炉内に処理後の製品基板を収容した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで、反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第１パージを行うステップと、反応炉内から処理後の製品基板を取り出した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第２パージを行うステップと、を有し、第２パージにおける反応炉内の圧力変化量を、第１パージおける反応炉内の圧力変化量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】Ｌ型ガスノズルを設置する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ガスノズルの設置が容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、複数の基板をＹ方向に積層して処理する反応容器と、反応容器の側壁をＹ方向と垂直なＸ方向に貫通して設けられるガス導入ポートと、Ｘ方向に延在するＸ部とＹ方向に延在するＹ部とを有し反応容器内からガス導入ポート内にＸ部がＸ方向に挿入されＸ部とＹ部を貫通する第１ガス流路が設けられる第１ガス流路部と、反応容器内で第１ガス流路部のＹ部に接続されＹ方向に貫通する第２ガス流路が設けられる第２ガス流路部と、反応容器の内壁からＸ方向に突出して設けられＹ方向の第３ガス流路を有し第２ガス流路部に接続される第３ガス流路部と、第３ガス流路部に支持されＹ方向の第４ガス流路が設けられるとともにガスを基板に対して供給するガス供給口が設けられた第４ガス流路部とから構成する。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】効率的に微粒子を捕集することが可能な捕集装置を提供する。また、微粒子を効率よく回収することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する微粒子捕集装置である。なお、光ファイバ、撮像部、及び電極針は被覆材に覆われている。また、電極及び微粒子捕集装置の一部を有する処理室と、処理室に接続される電源装置、ガス供給源及び排気装置とを有し、微粒子捕集装置は、光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。光電変換層２３０における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が３０％以上８０％以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層２３０を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内１００における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、原料ガスが供給される真空容器２と、真空容器２内を減圧する真空ポンプ３と、真空容器２内に設置されたカソード電極４と、真空容器２内に設置されカソード電極４に対して基板８を略平行に支持する載置面５Ａを有するアノード電極５と、アノード電極５に設けられた基板加熱機構１０と、カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマ９を発生させる高周波電源７とを備える。基板加熱機構１０は、相互に独立して駆動される第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を有し、第１加熱機構１１は載置面５Ａ内の略全面を加熱し、第２加熱機構１２は載置面５Ａ内を部分的に加熱する。 （もっと読む）