【課題】球切れの加熱ランプを容易に交換可能とする。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０はウエハ処理室１４を構成するプロセスチューブ１１と、熱線を照射する複数本の加熱ランプ４２と、加熱ランプ４２の熱線を処理室１４の方向に反射させるリフレクタ４７とを備えており、加熱ランプ４２群は上下に分配され、リフレクタ４７の上下に設置された加熱ランプ保持装置７０により保持されている。加熱ランプ保持装置７０のサポートリング７１に周方向に等間隔に開設された各ガイド穴７２にはキャップ７７に反力をとったスプリング７８により付勢される押さえ具７４が嵌入される。加熱ランプ４２の被保持部４２ｂは押さえ具７４とガイド穴７２との間で保持され、雄コネクタ４２ａが雌コネクタ８０に接続される。押さえ具７４を移動させて被保持部４２ｂの保持を解除し、球切れの加熱ランプ４２を径方向に引き抜くことで交換できる。
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【課題】大面積化した被処理基板に対するプラズマ処理の成膜品質を向上させること。
【解決手段】内部圧力を調整可能に設けられたチャンバー１０と、チャンバー１０内に被処理基板１１を保持するように設けられ、接地されている基板電極３と、チャンバー１０内に基板電極１１に対向して間隔を空けて設けられ、高周波電源２６の給電を受けて放電する対向電極２１と、を備えたプラズマ処理装置において、対向電極２１の長尺方向に複４カ所の給電点２４を設け、各給電点２４に給電するケーブル２５の長さＬを、高周波電源２６の周波数とケーブル２５の構造で決まるケーブル２５の高周波電力の波長をλとしたとき、Ｌ＝ｎλ／２（ｎは正の整数、ｎ≠０）で表される略同一長さに設定するとともに、４カ所の給電点２４を位相の異なる二つの給電系統Ｅ１，Ｅ２に分割し、互いに隣接する各給電点２４の位相が異なるように配置した。 （もっと読む）

【課題】 生産性の向上及び生産コストの大幅な低減並びに品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空処理可能なチャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生源１と、被処理基板１００をプラズマ発生源１と対向配置させた状態で搬送するローラ２とを備え、プラズマ発生源１から発生したプラズマを用いて、被処理基板１００に処理を行うプラズマ処理装置であって、プラズマ発生源１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、マイクロ波発生器から発せられたマイクロ波が伝播する導波管と、導波管の長手方向に延在して設けられ、プラズマを発生させ、チャンバ内へ導くギャップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給ノズル内の反応生成物の堆積レートを遅くして、ガス供給ノズルのメンテナンスサイクルを、処理室内の他の構成部材と同程度に延ばすことができるようにする。
【解決手段】 反応管（処理室）を構成するインナチューブ２０４の内側に沿ってロングノズル（ガス供給ノズル）２３２が延在される。Ｌ字型のロングノズル２３２は、立上り部分内に圧力差が生じない程度に、立上り部分に十分大きな口径を持ち、それにより立上り部分内の圧力が処理室内の圧力と略同等となるように構成される。例えば、立上り部分の口径（φ）が４ｍｍと小さいと、その部分のノズル２３２内の圧力差が大きく、その部分のノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等とならないが、立上り部分の口径がφ１２ないしφ１６ｍｍと大きくなると、その部分のノズル内の圧力差が小さく、ノズル内の圧力は処理室内の圧力と略同等となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ポリシリコン膜の界面特性を改善させることが可能な半導体素子のポリシリコン膜形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体基板を蒸着チャンバーの内部にロードさせた後、前記蒸着チャンバーの内部にＳｉＨ_４またはＳｉ_２Ｈ_６ガスを１５０ｓｃｃｍ以上、且つ２５０ｓｃｃｍ以下程度の流量でフローさせ、前記半導体基板上にアンドープトポリシリコン膜を蒸着する段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間の膜厚分布の均一性を向上させる。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０は、有天筒形状のインナチューブ３３およびインナチューブ３３を取り囲むアウタチューブ３２から成るプロセスチューブ３１と、複数枚のウエハ１を保持してインナチューブ３３の処理室３４に搬入するボート２３と、処理室３４にガスを供給するガス供給管４１と、プロセスチューブ３１内を排気する排気口３８とを備えており、インナチューブ３３の天井壁であってガス供給管４１と１８０度反対側の位置には、排気孔３６が開設されている。処理室のガス供給管が配置された側の圧力が高く、排気口が配置された反対側の圧力が低いことにより、ボートに保持されたウエハ間にガスの流れが強制的に形成されるために、ウエハ面内およびウエハ相互間の膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

ウェハを支持するための領域を有する表面および本体を備えるステージと、ステージに結合されたシャフトと、第１および第２の加熱素子とを含む加熱装置。第１の加熱素子は、ステージの本体の第１の平面内に配置される。第２の加熱素子は、第１の加熱素子よりステージの表面から離れた距離にあるステージの本体の第２の平面内に配置され、第２の加熱素子は、第１の平面および第２の平面の少なくとも１つに対して実質的に平行な平面に第１の加熱素子からずらされる。
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【課題】石英部品を起因とする汚染を防止する。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０に使用される石英部品としてのボート２１、アウタチューブ１３、インナチューブ１２、シールキャップ２０上のベース２０ａおよび断熱キャップ部２６等の表層部分を１μｍ以上、濃度が１〜５０％のＨＦ水溶液で予め除去する。石英部品の表面から１μｍ以上の部分をエッチングする。石英部品の不純物の濃い部分を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができ、ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
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複数の半導体ウェーハを保持する装置においてサポートとして使用するレールが提供される。レールは垂直列に配置された複数の歯を有し、１つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハを受け入れるためのスロットを形成するようにされている。ウェーハを支持する支持構造がスロットの底を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置されており、支持構造は側壁および頂面から間隔のとられた上面を有する。各支持構造上で、側壁と上面の各交点に半径が形成される。支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ５０％に対して延びている。
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本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、酸素とフルオロカーボンとを含む供給ガス混合物への窒素源の追加を伴う。改良は、窒素源を含む前処理ガス混合物を活性化し、活性化前処理ガスを、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路に通過させることによる、経路の内面の前処理も伴う。
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選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
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マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

処理中にコンポーネント(200,300)の状態をモニタリングする方法およびシステム。本方法は、処理中にコンポーネントを反応ガス(エロージョン生成物発生のためコンポーネント材をエッチングできる)に曝露することと、コンポーネントの状態を判定するため処理中にエロージョン生成物の放出をモニタリングすることを含む。モニターできる処理はチャンバークリーニング、同コンディショニング、基板エッチングおよび薄膜形成処理を含む。コンポーネントは、チューブ(25)、シールド、リング、バッフル、インジェクター、基板ホルダー(35,12)、ライナー、ペデスタル、キャップカバー、電極およびヒーター(15,20,65,70,122)等消耗部品でもよく、それらは保護コーティングを有していてもよい。処理システム(1,100)は、処理チャンバー(10,102)内のコンポーネント、ガス噴射システム(94,102)、チャンバー保護システム(92,108)およびコントローラ(90,124)を含む。
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【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内に複数個の高周波アンテナ１６を配置し、各高周波アンテナ１６にインピーダンス素子１７を接続する。高周波電源２０に、銅板１８を介して複数の高周波アンテナ１６を並列に接続する。各インピーダンス素子１７をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源２０から各高周波アンテナ１６に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器１１内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）