真空装置及びサセプタのセット
【課題】基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置を提供する。
【解決手段】第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ1と、複数の被処理基板10a〜10c,20a〜20cをそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタ11,21を搬送する搬送部8とを備え、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかが仕切り第1の凸部に処理室4を定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタ11,21の他のいずれかが仕切り第2の凸部にロードロック室7を定義し、第1及び第2のサセプタ11,21をロードロック室7と処理室4との間を交互に搬送する。
【解決手段】第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ1と、複数の被処理基板10a〜10c,20a〜20cをそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタ11,21を搬送する搬送部8とを備え、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかが仕切り第1の凸部に処理室4を定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタ11,21の他のいずれかが仕切り第2の凸部にロードロック室7を定義し、第1及び第2のサセプタ11,21をロードロック室7と処理室4との間を交互に搬送する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、真空装置に係り、特に加熱部(ヒータ)を有する真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットに関する。
【背景技術】
【0002】
化学気相成長(CVD)装置等の真空装置が太陽電池製造プロセスや半導体製造プロセス等で用いられる。真空装置では、被処理基板を加熱し成膜プロセス等の処理が行われる(例えば、特許文献1及び2参照。)。
【0003】
従来の真空装置では、ロードロック室と処理室とがインラインに配置され、ロードロック室及び処理室の内部には、被処理基板を搬送する搬送系が設置されている。
【0004】
ロードロック室及び処理室内には基板加熱用及び基板保温用のヒータがそれぞれ設けられるため、ロードロック室及び処理室内は高温環境である。また、処理室内は、成膜プロセスによるパウダー状の副生成物や着膜剥離片等のダストの多い環境である。
【0005】
このような環境内に基板の搬送系が設置されると、ベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等により搬送駆動のトラブルが短期間のうちに発生する可能性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平5−295551号公報
【特許文献2】特開2001−239144号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様によれば、(イ)第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、(ロ)複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタを搬送する搬送部とを備え、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義し、第1及び第2のサセプタをロードロック室側から処理室側に交互に搬送し、処理室において複数の被処理基板を処理し、この処理後、処理室側からロードロック室側に第1及び第2のサセプタを交互に搬送する真空装置が提供される。
【0009】
本発明の他の態様は、第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第1及び第2のサセプタを含むサセプタのセットに関する。この他の態様に係る第1及び第2のサセプタのそれぞれによれば、(イ)第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義することが可能な真空仕切板と、(ロ)真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、真空仕切板より小さな専有面積で、真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、(ハ)基板載置部と真空仕切板の間に挟まれ、複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部とを備える。そして、第1及び第2のサセプタが、ロードロック室側から処理室側に交互に搬送され、処理室において複数の被処理基板が処理され、該処理後、処理室側からロードロック室側に第1及び第2のサセプタが交互に搬送される。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の実施の形態に係る真空装置の一例を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る真空装置の第1及び第2のサセプタ及び回転体の一例を示す概略上面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図4】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための概略断面図である。
【図5】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図4に引き続く概略断面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図5に引き続く概略断面図である。
【図7】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図6に引き続く概略断面図である。
【図8】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図7に引き続く概略断面図である。
【図9】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図8に引き続く概略断面図である。
【図10】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための94に引き続く概略断面図である。
【図11】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図10に引き続く概略断面図である。
【図12】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図11に引き続く概略断面図である。
【図13】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図12に引き続く概略断面図である。
【図14】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図13に引き続く概略断面図である。
【図15】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図14に引き続く概略断面図である。
【図16】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図15に引き続く概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【0013】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【0014】
(真空装置)
本発明の実施の形態に係る真空装置は、図1に示すように、第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ1と、複数の被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cをそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタ(サセプタのセット)11,21を搬送する搬送部8とを備える。本発明の実施の形態に係る真空装置では、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室4がチャンバ1の内部に定義される。また、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタ11,21の他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室7がチャンバ1の内部に定義される。なお、「第1の凸部」及び「第2の凸部」は単なる定義の問題であって、図1では、便宜上、チャンバ30の上部の左側の領域を「第1の凸部」、チャンバ30の上部の右側の領域を「第2の凸部」と定義しているが、逆に、図1の右側を「第1の凸部」、図1の左側を「第2の凸部」と定義しても良く、更には、第1の凸部がなす密閉領域がロードロック室7として定義され、第2の凸部がなす密閉領域が処理室4として定義されるとしても良い。
【0015】
そして、第1及び第2のサセプタ11,21をロードロック室7側から処理室4側に交互に搬送し、処理室4において複数の被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cを処理し、この処理後、処理室4側からロードロック室7側に第1及び第2のサセプタ11,21を交互に搬送する。
【0016】
本発明の実施の形態に係る真空装置としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)、燐ガラス(PSG)膜、硼素ガラス(BSG)膜、硼素燐ガラス(BPSG)膜、シリコン窒化膜(Si3N4膜)又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長(CVD)装置等が採用できる。
【0017】
被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cとしては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cとして用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【0018】
処理室4にはプラズマ放電のための電極5が配置されている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が上記のCVD装置の例では、処理室4には、図示を省略するが、処理室4内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室4の温度を検出する温度センサ、処理室4内を真空排気する真空ポンプ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が分子線エピタキシャル(MBE)装置ならばクヌーセンセルが、スパッタリング装置ならば放電電極が、真空蒸着装置ならば電子ビーム(EB)装置等が処理室4に備えられている。
【0019】
ロードロック室7は、チャンバ1を大気に開放しないよう被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cを出し入れする機構を備える。ロードロック室7は、Oリング61を介してチャンバ1と接続する開閉可能な蓋6を備える。又、ロードロック室7には、図示を省略するが、ロードロック室7内を真空排気する真空ポンプが設置されている。
【0020】
第1のサセプタ11は、第1及び第2の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第1の真空仕切板12と、第1の真空仕切板12上に配置された第1の加熱部(ヒータ)13と、第1の加熱部13上に配置され、複数の被処理基板10a,10b,10cをそれぞれ載置する第1の基板載置部14とを備える。第2のサセプタ21は、第1及び第2の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第2の真空仕切板22と、第2の真空仕切板22上に配置された第2の加熱部(ヒータ)23と、第2の加熱部23上に配置され、複数の被処理基板20a,20b,20cをそれぞれ載置する第2の基板載置部24とを備える。第1及び第2の加熱部13,23としては、プレートヒータやランプヒータ等が使用可能である。第1及び第2の加熱部13,23は、第1及び第2のサセプタ11,21のそれぞれを、設定温度(成膜プロセス温度)に保持する。第1及び第2の加熱部13,23は例えば回転軸2の内部を介して電源に接続されている。第1の真空仕切板12の周辺部は、真空シール部として平坦な上面が露出し、Oリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。第2の真空仕切板22の周辺部も真空シール部として機能するように平坦な上面が露出し、第2の真空仕切板22の周辺部がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。
【0021】
第1の基板載置部14は、図1及び図2に示すように、被処理基板10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10iを載置する。第2の基板載置部24は、被処理基板20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20iを載置する。第1及び第2の基板載置部14,24のそれぞれは、例えばカーボンからなる均熱板である。なお、図2では便宜上、第1の基板載置部14に9つの被処理基板10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10iが載置され、第2の基板載置部24に9つの被処理基板20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20iが載置された場合を図示しているが、第1及び第2の基板載置部14,24の表面のサイズ、第1及び第2の基板載置部14,24に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されないが、第1の真空仕切板12の周辺部及び第2の真空仕切板22の周辺部が真空シール部として露出するように、第1及び第2の基板載置部14,24は、真空仕切板12,22よりも小さな専有面積で、真空仕切板12,22の上方に配置される。
【0022】
図1に示した搬送部8は、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ支持する第1及び第2のサセプタ支持部15,25と、第1及び第2のサセプタ支持部15,25にそれぞれ取り付けられ、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ昇降させる第1及び第2の昇降部16,26と、第1及び第2のサセプタ11,21を載置し、第1及び第2のサセプタ11,21が、第1の凸部がなす領域の直下、及び第2の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体3と、回転体を回転させる回転軸2を備える。回転体3には第1及び第2のサセプタ支持部15,25が貫通する大きさの開口部が設けられている。回転体3を回転させる際には、回転体3の上面に第1及び第2のサセプタ11,21が載置される。そして、第1及び第2のサセプタ支持部15,25が第1及び第2のサセプタ11,21と分離し、第1及び第2の加熱部13,23、第1及び第2のサセプタ支持部15,25が回転体3よりも下方に退避される。
【0023】
第1の昇降部16は、第1のサセプタ支持部15を介して、第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかを、回転体3上からロードロック室7の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第2の昇降部26は、第2のサセプタ支持部25を介して、第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかを、回転体3上から処理室4の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第1及び第2の昇降部16,26は、第1及び第2のサセプタ11,21を同時に昇降させてもよく、個別に昇降させることも可能である。
【0024】
回転軸2には、真空導入継手(真空ポンプ)9が取り付けられている。真空ポンプ9により、チャンバ1内は真空に維持される。本発明の実施の形態においては、処理室4の図示を省略した真空ポンプ及びチャンバ1の真空ポンプ9により、処理室4及びチャンバ1内を個々に真空排気しても良い。また、真空ポンプ9により処理室4及びチャンバ1内を一括して真空排気する構成であっても良い。また、真空ポンプ9がなく、処理室4の図示を省略した真空ポンプにより、処理室4及びチャンバ1内を一括して真空排気する構成であっても良い。
【0025】
(真空装置の動作方法)
次に、本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法を、図3のフローチャートを参照しながら説明する。
【0026】
(イ)ステップS11において、図4に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を上昇させる。第1の真空仕切板12がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。ロードロック室7内を大気圧に戻した後、図5に示すように、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて第1の基板載置部14に被処理基板10a,10b,10cを載置する。その後、蓋6を閉じ、ロードロック室7内が真空排気される。第1の加熱部13は常時オンしており、第1の加熱部13により第1の基板載置部14を介して被処理基板10a,10b,10cは加熱され設定温度(成膜プロセス温度)まで瞬時に昇温される。
【0027】
(ロ)ステップS12において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図6に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1のサセプタ11が回転体3上まで降下した後、図7に示すように、回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21が処理室4及びロードロック室7直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図8に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21を同時にそれぞれ上昇させる。この結果、真空シール部として機能する第2の真空仕切板22の周辺部がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、真空シール部として機能する第1の真空仕切板12の周辺部がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0028】
(ハ)ステップS13において、処理室4において被処理基板10a,10b,10cに対して成膜プロセスが行われる。処理室4内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板10a,10b,10cは予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第1の加熱部13により被処理基板10a,10b,10cの温度が設定温度(成膜プロセス温度)に保持される。一方、ロードロック室7側では、ステップS14において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、図9に示すようにロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて第2の基板載置部24に被処理基板20a,20b,20cを載置する。その後、蓋6を閉じ、ロードロック室7内が真空排気される。このとき、第2の加熱部23は常時オンしており、第2の加熱部23により第2の基板載置部24を介して被処理基板20a,20b,20cは加熱され設定温度(成膜プロセス温度)まで瞬時に昇温する。
【0029】
(ニ)ステップS15において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図10に示すように、第1の昇降部16を駆動して第2のサセプタ21を降下させ、第2のサセプタ21を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。一方、処理室4側では、成膜プロセスが終了した後、第2の昇降部26を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1及び第2のサセプタ11,21がそれぞれ回転体3上まで降下した後、図11に示すように回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21がロードロック室7及び処理室4直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図12に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ上昇させる。第2の真空仕切板22がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、第1の真空仕切板12がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0030】
(ホ)ステップS16において、処理室4において被処理基板20a,20b,20cに対して成膜プロセスが行われる。処理室4内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板20a,20b,20cは予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第2の加熱部23により被処理基板20a,20b,20cの温度が設定温度(成膜プロセス温度)に保持される。一方、ロードロック室7側では、ステップS17において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板10a,10b,10cを回収する。ステップS18において、未処理の被処理基板があれば、ステップS19において、図示を省略した移載機を用いて図13に示すように第1の基板載置部14に未処理の被処理基板30a,30b,30cを載置する。
【0031】
(ヘ)ステップS20において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図14に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。一方、処理室4側では、成膜プロセスが終了した後、第2の昇降部26を駆動して第2のサセプタ21を降下させ、第2のサセプタ21を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1及び第2のサセプタ11,21がそれぞれ回転体3上まで降下した後、図15に示すように回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21が処理室4及びロードロック室7直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図16に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ上昇させる。第1の真空仕切板12がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、第2の真空仕切板22がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0032】
(ト)処理室4側では、ステップS13に戻り、処理室4内が所定圧力まで真空排気された後、被処理基板30a,30b,30cが加熱部により所定温度に保持されて成膜プロセスが行われる。一方、ロードロック室7側では、ステップS21において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板20a,20b,20cを回収する。ステップS22において、未処理の被処理基板があれば、ステップS14に戻り、移載機を用いて第1の基板載置部14に未処理の被処理基板を載置する。こうして処理室4における成膜処理を順次繰り返し、所定のロット数の成膜処理を行う。
【0033】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、搬送部8が高温環境を形成する第1及び第2の加熱部13,23、ダスト環境である処理室4から隔離されるので、ロードロック室と処理室をインラインに配置した場合と比して、搬送系のベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等の頻度を減少させることができる。よって、搬送駆動のトラブルを回避でき、搬送系の寿命を延ばすことができる。
【0034】
更に、第1及び第2のサセプタ11,21が第1及び第2の加熱部を有しているので、第1及び第2の基板載置部14,24に載置した被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20c,30a,30b,30cを瞬時に加熱することができる。よって、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。
【0035】
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の実施の形態に係る真空装置は、CVD装置の他にも、例えば、SiO2膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、PSG膜、BSG膜、BPSG膜等をリフロー(メルト)する熱真空装置、CVD酸化膜等のデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【0036】
1…チャンバ
2…回転軸
3…回転体
4…処理室
5…電極
6…蓋
7…ロードロック室
8…搬送部
9…真空ポンプ
10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10i,20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20i,30a,30b,30c…被処理基板
11…第1のサセプタ
12…第1の真空仕切板
13…第1の加熱部
14…第1の基板載置部
15…第1のサセプタ支持部
16…第1の昇降部
21…第2のサセプタ
22…第2の真空仕切板
23…第2の加熱部
24…第2の基板載置部
25…第2のサセプタ支持部
26…第2の昇降部
41,61,62…Oリング
【技術分野】
【0001】
本発明は、真空装置に係り、特に加熱部(ヒータ)を有する真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットに関する。
【背景技術】
【0002】
化学気相成長(CVD)装置等の真空装置が太陽電池製造プロセスや半導体製造プロセス等で用いられる。真空装置では、被処理基板を加熱し成膜プロセス等の処理が行われる(例えば、特許文献1及び2参照。)。
【0003】
従来の真空装置では、ロードロック室と処理室とがインラインに配置され、ロードロック室及び処理室の内部には、被処理基板を搬送する搬送系が設置されている。
【0004】
ロードロック室及び処理室内には基板加熱用及び基板保温用のヒータがそれぞれ設けられるため、ロードロック室及び処理室内は高温環境である。また、処理室内は、成膜プロセスによるパウダー状の副生成物や着膜剥離片等のダストの多い環境である。
【0005】
このような環境内に基板の搬送系が設置されると、ベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等により搬送駆動のトラブルが短期間のうちに発生する可能性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平5−295551号公報
【特許文献2】特開2001−239144号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様によれば、(イ)第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、(ロ)複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタを搬送する搬送部とを備え、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義し、第1及び第2のサセプタをロードロック室側から処理室側に交互に搬送し、処理室において複数の被処理基板を処理し、この処理後、処理室側からロードロック室側に第1及び第2のサセプタを交互に搬送する真空装置が提供される。
【0009】
本発明の他の態様は、第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第1及び第2のサセプタを含むサセプタのセットに関する。この他の態様に係る第1及び第2のサセプタのそれぞれによれば、(イ)第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室をチャンバの内部に定義し、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室をチャンバの内部に定義することが可能な真空仕切板と、(ロ)真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、真空仕切板より小さな専有面積で、真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、(ハ)基板載置部と真空仕切板の間に挟まれ、複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部とを備える。そして、第1及び第2のサセプタが、ロードロック室側から処理室側に交互に搬送され、処理室において複数の被処理基板が処理され、該処理後、処理室側からロードロック室側に第1及び第2のサセプタが交互に搬送される。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置、及びこの真空装置へ被処理基板を搬入する際に用いるサセプタのセットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の実施の形態に係る真空装置の一例を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る真空装置の第1及び第2のサセプタ及び回転体の一例を示す概略上面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図4】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための概略断面図である。
【図5】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図4に引き続く概略断面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図5に引き続く概略断面図である。
【図7】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図6に引き続く概略断面図である。
【図8】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図7に引き続く概略断面図である。
【図9】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図8に引き続く概略断面図である。
【図10】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための94に引き続く概略断面図である。
【図11】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図10に引き続く概略断面図である。
【図12】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図11に引き続く概略断面図である。
【図13】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図12に引き続く概略断面図である。
【図14】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図13に引き続く概略断面図である。
【図15】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図14に引き続く概略断面図である。
【図16】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図15に引き続く概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【0013】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【0014】
(真空装置)
本発明の実施の形態に係る真空装置は、図1に示すように、第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ1と、複数の被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cをそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタ(サセプタのセット)11,21を搬送する搬送部8とを備える。本発明の実施の形態に係る真空装置では、第1の凸部がなす領域の直下を第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第1の凸部に処理室4がチャンバ1の内部に定義される。また、第2の凸部がなす領域の直下を、第1及び第2のサセプタ11,21の他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、第2の凸部にロードロック室7がチャンバ1の内部に定義される。なお、「第1の凸部」及び「第2の凸部」は単なる定義の問題であって、図1では、便宜上、チャンバ30の上部の左側の領域を「第1の凸部」、チャンバ30の上部の右側の領域を「第2の凸部」と定義しているが、逆に、図1の右側を「第1の凸部」、図1の左側を「第2の凸部」と定義しても良く、更には、第1の凸部がなす密閉領域がロードロック室7として定義され、第2の凸部がなす密閉領域が処理室4として定義されるとしても良い。
【0015】
そして、第1及び第2のサセプタ11,21をロードロック室7側から処理室4側に交互に搬送し、処理室4において複数の被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cを処理し、この処理後、処理室4側からロードロック室7側に第1及び第2のサセプタ11,21を交互に搬送する。
【0016】
本発明の実施の形態に係る真空装置としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)、燐ガラス(PSG)膜、硼素ガラス(BSG)膜、硼素燐ガラス(BPSG)膜、シリコン窒化膜(Si3N4膜)又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長(CVD)装置等が採用できる。
【0017】
被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cとしては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン(Si)等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cとして用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【0018】
処理室4にはプラズマ放電のための電極5が配置されている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が上記のCVD装置の例では、処理室4には、図示を省略するが、処理室4内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室4の温度を検出する温度センサ、処理室4内を真空排気する真空ポンプ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が分子線エピタキシャル(MBE)装置ならばクヌーセンセルが、スパッタリング装置ならば放電電極が、真空蒸着装置ならば電子ビーム(EB)装置等が処理室4に備えられている。
【0019】
ロードロック室7は、チャンバ1を大気に開放しないよう被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20cを出し入れする機構を備える。ロードロック室7は、Oリング61を介してチャンバ1と接続する開閉可能な蓋6を備える。又、ロードロック室7には、図示を省略するが、ロードロック室7内を真空排気する真空ポンプが設置されている。
【0020】
第1のサセプタ11は、第1及び第2の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第1の真空仕切板12と、第1の真空仕切板12上に配置された第1の加熱部(ヒータ)13と、第1の加熱部13上に配置され、複数の被処理基板10a,10b,10cをそれぞれ載置する第1の基板載置部14とを備える。第2のサセプタ21は、第1及び第2の凸部がなす領域の直下を仕切ることが可能な第2の真空仕切板22と、第2の真空仕切板22上に配置された第2の加熱部(ヒータ)23と、第2の加熱部23上に配置され、複数の被処理基板20a,20b,20cをそれぞれ載置する第2の基板載置部24とを備える。第1及び第2の加熱部13,23としては、プレートヒータやランプヒータ等が使用可能である。第1及び第2の加熱部13,23は、第1及び第2のサセプタ11,21のそれぞれを、設定温度(成膜プロセス温度)に保持する。第1及び第2の加熱部13,23は例えば回転軸2の内部を介して電源に接続されている。第1の真空仕切板12の周辺部は、真空シール部として平坦な上面が露出し、Oリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。第2の真空仕切板22の周辺部も真空シール部として機能するように平坦な上面が露出し、第2の真空仕切板22の周辺部がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。
【0021】
第1の基板載置部14は、図1及び図2に示すように、被処理基板10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10iを載置する。第2の基板載置部24は、被処理基板20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20iを載置する。第1及び第2の基板載置部14,24のそれぞれは、例えばカーボンからなる均熱板である。なお、図2では便宜上、第1の基板載置部14に9つの被処理基板10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10iが載置され、第2の基板載置部24に9つの被処理基板20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20iが載置された場合を図示しているが、第1及び第2の基板載置部14,24の表面のサイズ、第1及び第2の基板載置部14,24に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されないが、第1の真空仕切板12の周辺部及び第2の真空仕切板22の周辺部が真空シール部として露出するように、第1及び第2の基板載置部14,24は、真空仕切板12,22よりも小さな専有面積で、真空仕切板12,22の上方に配置される。
【0022】
図1に示した搬送部8は、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ支持する第1及び第2のサセプタ支持部15,25と、第1及び第2のサセプタ支持部15,25にそれぞれ取り付けられ、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ昇降させる第1及び第2の昇降部16,26と、第1及び第2のサセプタ11,21を載置し、第1及び第2のサセプタ11,21が、第1の凸部がなす領域の直下、及び第2の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体3と、回転体を回転させる回転軸2を備える。回転体3には第1及び第2のサセプタ支持部15,25が貫通する大きさの開口部が設けられている。回転体3を回転させる際には、回転体3の上面に第1及び第2のサセプタ11,21が載置される。そして、第1及び第2のサセプタ支持部15,25が第1及び第2のサセプタ11,21と分離し、第1及び第2の加熱部13,23、第1及び第2のサセプタ支持部15,25が回転体3よりも下方に退避される。
【0023】
第1の昇降部16は、第1のサセプタ支持部15を介して、第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかを、回転体3上からロードロック室7の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第2の昇降部26は、第2のサセプタ支持部25を介して、第1及び第2のサセプタ11,21のいずれかを、回転体3上から処理室4の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第1及び第2の昇降部16,26は、第1及び第2のサセプタ11,21を同時に昇降させてもよく、個別に昇降させることも可能である。
【0024】
回転軸2には、真空導入継手(真空ポンプ)9が取り付けられている。真空ポンプ9により、チャンバ1内は真空に維持される。本発明の実施の形態においては、処理室4の図示を省略した真空ポンプ及びチャンバ1の真空ポンプ9により、処理室4及びチャンバ1内を個々に真空排気しても良い。また、真空ポンプ9により処理室4及びチャンバ1内を一括して真空排気する構成であっても良い。また、真空ポンプ9がなく、処理室4の図示を省略した真空ポンプにより、処理室4及びチャンバ1内を一括して真空排気する構成であっても良い。
【0025】
(真空装置の動作方法)
次に、本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法を、図3のフローチャートを参照しながら説明する。
【0026】
(イ)ステップS11において、図4に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を上昇させる。第1の真空仕切板12がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。ロードロック室7内を大気圧に戻した後、図5に示すように、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて第1の基板載置部14に被処理基板10a,10b,10cを載置する。その後、蓋6を閉じ、ロードロック室7内が真空排気される。第1の加熱部13は常時オンしており、第1の加熱部13により第1の基板載置部14を介して被処理基板10a,10b,10cは加熱され設定温度(成膜プロセス温度)まで瞬時に昇温される。
【0027】
(ロ)ステップS12において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図6に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1のサセプタ11が回転体3上まで降下した後、図7に示すように、回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21が処理室4及びロードロック室7直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図8に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21を同時にそれぞれ上昇させる。この結果、真空シール部として機能する第2の真空仕切板22の周辺部がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、真空シール部として機能する第1の真空仕切板12の周辺部がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0028】
(ハ)ステップS13において、処理室4において被処理基板10a,10b,10cに対して成膜プロセスが行われる。処理室4内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板10a,10b,10cは予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第1の加熱部13により被処理基板10a,10b,10cの温度が設定温度(成膜プロセス温度)に保持される。一方、ロードロック室7側では、ステップS14において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、図9に示すようにロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて第2の基板載置部24に被処理基板20a,20b,20cを載置する。その後、蓋6を閉じ、ロードロック室7内が真空排気される。このとき、第2の加熱部23は常時オンしており、第2の加熱部23により第2の基板載置部24を介して被処理基板20a,20b,20cは加熱され設定温度(成膜プロセス温度)まで瞬時に昇温する。
【0029】
(ニ)ステップS15において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図10に示すように、第1の昇降部16を駆動して第2のサセプタ21を降下させ、第2のサセプタ21を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。一方、処理室4側では、成膜プロセスが終了した後、第2の昇降部26を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1及び第2のサセプタ11,21がそれぞれ回転体3上まで降下した後、図11に示すように回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21がロードロック室7及び処理室4直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図12に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ上昇させる。第2の真空仕切板22がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、第1の真空仕切板12がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0030】
(ホ)ステップS16において、処理室4において被処理基板20a,20b,20cに対して成膜プロセスが行われる。処理室4内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板20a,20b,20cは予め設定温度(成膜プロセス温度)まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第2の加熱部23により被処理基板20a,20b,20cの温度が設定温度(成膜プロセス温度)に保持される。一方、ロードロック室7側では、ステップS17において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板10a,10b,10cを回収する。ステップS18において、未処理の被処理基板があれば、ステップS19において、図示を省略した移載機を用いて図13に示すように第1の基板載置部14に未処理の被処理基板30a,30b,30cを載置する。
【0031】
(ヘ)ステップS20において、ロードロック室7内が所定圧力となったら、図14に示すように、第1の昇降部16を駆動して第1のサセプタ11を降下させ、第1のサセプタ11を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。一方、処理室4側では、成膜プロセスが終了した後、第2の昇降部26を駆動して第2のサセプタ21を降下させ、第2のサセプタ21を予め真空排気されたチャンバ1に導入する。第1及び第2のサセプタ11,21がそれぞれ回転体3上まで降下した後、図15に示すように回転体3を回転させ、第1及び第2のサセプタ11,21が処理室4及びロードロック室7直下にそれぞれ位置するように、第1及び第2のサセプタ11,21を水平移動させる。その後、図16に示すように、第1及び第2の昇降部16,26を駆動して、第1及び第2のサセプタ11,21をそれぞれ上昇させる。第1の真空仕切板12がOリング41を介して処理室4の下部に接続し、処理室4が密閉される。又、第2の真空仕切板22がOリング62を介してロードロック室7の下部に接続し、ロードロック室7が密閉される。
【0032】
(ト)処理室4側では、ステップS13に戻り、処理室4内が所定圧力まで真空排気された後、被処理基板30a,30b,30cが加熱部により所定温度に保持されて成膜プロセスが行われる。一方、ロードロック室7側では、ステップS21において、ロードロック室7内が大気圧に戻された後、ロードロック室7の蓋6を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板20a,20b,20cを回収する。ステップS22において、未処理の被処理基板があれば、ステップS14に戻り、移載機を用いて第1の基板載置部14に未処理の被処理基板を載置する。こうして処理室4における成膜処理を順次繰り返し、所定のロット数の成膜処理を行う。
【0033】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、搬送部8が高温環境を形成する第1及び第2の加熱部13,23、ダスト環境である処理室4から隔離されるので、ロードロック室と処理室をインラインに配置した場合と比して、搬送系のベアリングのグリス劣化、ダストのかみこみ等の頻度を減少させることができる。よって、搬送駆動のトラブルを回避でき、搬送系の寿命を延ばすことができる。
【0034】
更に、第1及び第2のサセプタ11,21が第1及び第2の加熱部を有しているので、第1及び第2の基板載置部14,24に載置した被処理基板10a,10b,10c,20a,20b,20c,30a,30b,30cを瞬時に加熱することができる。よって、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。
【0035】
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の実施の形態に係る真空装置は、CVD装置の他にも、例えば、SiO2膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、PSG膜、BSG膜、BPSG膜等をリフロー(メルト)する熱真空装置、CVD酸化膜等のデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【0036】
1…チャンバ
2…回転軸
3…回転体
4…処理室
5…電極
6…蓋
7…ロードロック室
8…搬送部
9…真空ポンプ
10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10i,20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20i,30a,30b,30c…被処理基板
11…第1のサセプタ
12…第1の真空仕切板
13…第1の加熱部
14…第1の基板載置部
15…第1のサセプタ支持部
16…第1の昇降部
21…第2のサセプタ
22…第2の真空仕切板
23…第2の加熱部
24…第2の基板載置部
25…第2のサセプタ支持部
26…第2の昇降部
41,61,62…Oリング
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、
複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタを搬送する搬送部とを備え、
前記チャンバの内部において、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第1の凸部に処理室を定義し、
前記チャンバの内部において、前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第2の凸部にロードロック室を定義し、
前記第1及び第2のサセプタを前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送し、前記処理室において前記複数の被処理基板を処理し、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第1及び第2のサセプタを交互に搬送することを特徴とする真空装置。
【請求項2】
前記搬送部が、
前記第1及び第2のサセプタをそれぞれ支持して、前記第1及び第2のサセプタをそれぞれ昇降させる第1及び第2の昇降部と、
前記第1及び第2のサセプタを、前記第1の凸部がなす領域の直下、及び前記第2の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体
とを備えることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
【請求項3】
前記第1及び第2の昇降部が、前記第1及び第2のサセプタを同時に昇降させることを特徴とする請求項2に記載の真空装置。
【請求項4】
前記第1及び第2のサセプタが上昇して、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切り、
前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の真空装置。
【請求項5】
第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第1及び第2のサセプタを含むサセプタのセットであって、
前記第1及び第2のサセプタのそれぞれが、
前記チャンバの内部において、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第1の凸部に処理室を定義し、前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第2の凸部にロードロック室を定義することが可能な真空仕切板と、
前記真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、前記真空仕切板より小さな専有面積で、前記真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、
前記基板載置部と前記真空仕切板の間に挟まれ、前記複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部
とを備え、前記第1及び第2のサセプタが、前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送され、前記処理室において前記複数の被処理基板が処理され、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第1及び第2のサセプタが交互に搬送されることを特徴とするサセプタのセット。
【請求項1】
第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバと、
複数の被処理基板をそれぞれ載置し加熱する第1及び第2のサセプタを搬送する搬送部とを備え、
前記チャンバの内部において、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第1の凸部に処理室を定義し、
前記チャンバの内部において、前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第2の凸部にロードロック室を定義し、
前記第1及び第2のサセプタを前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送し、前記処理室において前記複数の被処理基板を処理し、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第1及び第2のサセプタを交互に搬送することを特徴とする真空装置。
【請求項2】
前記搬送部が、
前記第1及び第2のサセプタをそれぞれ支持して、前記第1及び第2のサセプタをそれぞれ昇降させる第1及び第2の昇降部と、
前記第1及び第2のサセプタを、前記第1の凸部がなす領域の直下、及び前記第2の凸部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体
とを備えることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
【請求項3】
前記第1及び第2の昇降部が、前記第1及び第2のサセプタを同時に昇降させることを特徴とする請求項2に記載の真空装置。
【請求項4】
前記第1及び第2のサセプタが上昇して、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切り、
前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の真空装置。
【請求項5】
第1及び第2の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバを有する真空装置に用いられる第1及び第2のサセプタを含むサセプタのセットであって、
前記第1及び第2のサセプタのそれぞれが、
前記チャンバの内部において、前記第1の凸部がなす領域の直下を前記第1及び第2のサセプタのいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第1の凸部に処理室を定義し、前記第2の凸部がなす領域の直下を、前記第1及び第2のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより閉じた空間を構成し、前記第2の凸部にロードロック室を定義することが可能な真空仕切板と、
前記真空仕切板の周辺部が真空シール部として露出するように、前記真空仕切板より小さな専有面積で、前記真空仕切板の上方に配置され、複数の被処理基板をそれぞれ載置する基板載置部と、
前記基板載置部と前記真空仕切板の間に挟まれ、前記複数の被処理基板をそれぞれ加熱する基板載置部
とを備え、前記第1及び第2のサセプタが、前記ロードロック室側から前記処理室側に交互に搬送され、前記処理室において前記複数の被処理基板が処理され、該処理後、前記処理室側から前記ロードロック室側に前記第1及び第2のサセプタが交互に搬送されることを特徴とするサセプタのセット。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
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【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【公開番号】特開2010−242152(P2010−242152A)
【公開日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−91035(P2009−91035)
【出願日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【出願人】(000001993)株式会社島津製作所 (3,708)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【出願人】(000001993)株式会社島津製作所 (3,708)
【Fターム(参考)】
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