【課題】 成膜中における選択性のモニタリングを実現する。
【解決手段】 半導体基板上の所定領域に選択的に膜を成長させる膜の選択成長法における選択性のモニタリング方法であって、前記半導体基板の表面上に非接触状態で輻射温度計を設けるステップと、前記半導体基板の表面の輻射率を前記輻射温度計を用いて測定しながら、前記半導体基板の表面上に前記膜を選択的に成長させていくステップと、前記輻射率が所定値以上に、あるいは所定角度以上をもって変化した時点で、前記膜の成長における選択性が劣化したと判定するステップとを備える。 （もっと読む）

本発明は、ＣＶＤ反応炉の反応チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのＣＶＤ反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ（１２）中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ（１２）から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、ＣＶＤ反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。
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【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】鉄ドープされたＩＩＩ族窒化物を含む高品質な半導体膜を安定形成する。
【解決手段】反応管１０１と、反応管１０１内に設けられている基板ホルダ１０３と、ＩＩＩ族原料ガスを反応管１０１内に供給するＩＩＩ族原料ガス供給部１１９と、窒素原料ガスを反応管１０１内に供給する窒素原料ガス供給部１１７と、ドーピングガスを反応管１０１内に供給するドーピングガス供給管１０５と、を備える気相成長装置１００を提供する。このドーピングガス供給管１０５は、棒状の鉄原料１１１と、ハロゲン含有ガスと、を反応させてハロゲン化鉄を含むドーピングガスを生成するハロゲン化鉄含有ガス生成部１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１０８にウエハ１３０を搬入し、ウエハ１３０を加熱し、処理室１０８にシリコン含有ガス、エッチング性ガス、キャリアガスである水素を同時に供給し、ウエハ１３０上にシリコン膜を選択成長させる際に、水素を、エッチング性ガスの２０倍〜５０００倍の流量で供給する。 （もっと読む）

特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、ＩＩＩ−Ｖ族及びＶＩ族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法は、パターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を約８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップを含む。本方法は更に、パターニングされた前記基板上の単結晶物質上に、約３ｎｍ ｍｉｎ^−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップを含む。
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本発明の実施形態により、高ドーパント濃度を含有するエピタキシャルシリコンゲルマニウム材料を選択的に堆積するなど、シリコン含有材料を堆積するためのプロセスが提供される。一実施例において、１つの層を別の層の上部に堆積するために、少なくとも２つの異なるプロセスガスに基板が曝される。１つのプロセスガスは、ジクロロシラン、ゲルマニウム源、およびエッチャントを含有し、次のプロセスガスは、シランおよびエッチャントを含有する。他の実施例において、プロセスガスが、ジクロロシラン、メチルシラン、および塩化水素、またはシラン、メチルシラン、および塩化水素を含有する。一態様において、堆積された層が、結晶格子内に格子間部位を有し、格子間部位内に約３ａｔ％以下の炭素を含有し、引き続き、結晶格子の置換部位内に炭素を包含するようにアニーリングされる。別の態様において、シリコンゲルマニウム積層体が、約２５ａｔ％以下、約２５ａｔ％以上、および約５ａｔ％以下のゲルマニウム濃度を含有する第１、第２、および第３の層を有する。 （もっと読む）

【課題】 高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する薄いシリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＧｅ層（１０４）をＳＯＩウェハ（１０２、１００）上に堆積する（３００）。ＳｉＧｅ及びＳｉ層の熱混合を遂行し（３０２）、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する厚いＳＧＯＩ（１０６）を形成する。次に、ＳｉＧｅ層（１１０）が所望の最終の厚さにまで薄くする（３０６）。この薄層化処理によって、Ｇｅ濃度、緩和量、及び積層欠陥密度は不変に保持される。このようにして、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有するＳＧＯＩ薄膜が得られる。次に、Ｓｉ層（１１２）を薄いＳＧＯＩウェハ上に堆積する。薄層化方法には、低温（５５０℃−７００℃）ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化法、エピタキシ・チャンバ内でのその場の（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ＨＣｌエッチング法、又はＣＭＰ法がある。ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化薄層化から得られる粗いＳｉＧｅ表面は、タッチ・アップＣＭＰ法、歪みＳｉ堆積中でのその場の水素ベーク及びＳｉＧｅバッファ層、又は、ＨＣｌ、ＤＣＳ及びＧｅＨ_４の気体混合物を有する水素環境中でウェハを加熱する方法、を用いて平坦化される。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料の選択的体積のための方法を含む。基板が反応室内に置かれる。基板は第１の面と第２の面とを有する。第１の面と第２の面は半導体材料先駆物質に対して露出されるが、それは、先駆物質からの半導体材料の成長が成長段階の前に誘導期を有し、且つ、成長段階の開始が第１の面におけるよりも第２の面における方が長い時間を要するという条件の下で行われる。第１の面と第２の面の露出は、成長段階が第１の面で生じるのには十分であるが成長段階が第２の面で生じるに足るほどには長くない時間にわたって行われる。
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【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）

ケイ素クラスターを気相中で分裂させる、炭化ケイ素層の形成方法。ケイ素クラスターは、ＶＩＩ族含有成分等のケイ素エッチングガスにより分裂させることができる。本発明の方法により形成した層を有する半導体デバイスも開示される。
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【課題】 欠陥のないエピタキシャル膜を形成する
【解決手段】 異物除去処理を有し、ドライエッチング処理を行って形成した開口部５内の単結晶シリコン基板１に、ＳｉＧｅエピタキシャルベース７を成長させる半導体装置の製造方法である。異物除去処理は、前記ドライエッチング処理後からＳｉＧｅエピタキシャルベース７の成長までの間に、被成長基板を酸素雰囲気中において、熱処理を行い、ドライエッチング処理によって、シリコン酸化膜２に堆積した炭素系付着物１０を、シリコン酸化膜２から完全に除去し、これによって、欠陥のないエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）