【課題】本発明は、触媒ＣＶＤにおいて、アモルファスシリコン堆積膜を安定して成膜が可能な装置及び方法を提供する。更には触媒ＣＶＤに用いる触媒体の処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体を収容する反応室と、該反応室内にシリコン原子を含む原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される該原料ガスに接触するように配置された触媒体とを備え、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する触媒ＣＶＤ装置であって、触媒体の触媒体保持部近傍の触媒体表面に炭素皮膜が形成されていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】封止部材の劣化によるシール性の低下およびパーティクルの発生を防止し、稼働率を維持することができるゲートバルブおよび半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置のプロセス処理が行われる処理ユニット１０とプロセス処理が施されるウェハを搬送する搬送室８との間に設けられるゲートバルブ２０であって、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａと、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａに備えたＯリング３４ａと、搬送室８側のゲートバルブ２０ｂと、搬送室８側のゲートバルブ２０ｂに備えたＯリング３４ｂと、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａと搬送室８側のゲートバルブ２０ｂとの間に断熱材３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行うと共に、少なくとも液体原料の気化動作時以外の時に、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を第１の流量で流し、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を第１の流量よりも大きな第２の流量で流す。 （もっと読む）

【課題】ウエハ支持部材を形成するセラミック板状体と筒状体とを接合するロウ材層が腐食性ガスによって腐食し、ガスリークが発生することを防止する。
【解決手段】一方の主面にウエハを載せる載置面を有するセラミック板状体と、前記セラミック板状体の他方の主面にロウ材層を介して端部が接合された筒状体と、前記ロウ材層の外周側の側端部の近傍にガスを供給するためのガス供給部と、を備えたウエハ支持部材である。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
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【課題】 従来のＣＶＤ法と同等の厚い膜厚で、膜質が良質な絶縁膜を低温で形成できる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層上に、ＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜するＣＶＤ工程（ステップＳ２）と、希ガスと酸素を含む処理ガスを用い６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件で発生させたプラズマにより、酸化珪素膜を改質処理するプラズマ改質処理工程（ステップＳ４）とを、酸化珪素膜が所望の膜厚に達するまで繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を極めて平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】ガスの流れやプラズマ形状を均一にすることが可能であり、かつ、装置の占有面積が小さなプロセス装置を提供すること、高周波プラズマプロセスで投入した高周波電力の損失を減らし、効率的にプラズマを発生、維持させることが可能なプロセス装置を提供すること。
【解決手段】 搬送室４０２の上部にゲート４１６（図４）を介して設けられたプロセス室４０３と、外部からシールされ、被処理体４１５を載置する載置部４１２を有するステージ４０６と、搬送室４０２と外部とをシールしつつ、ステージ４０６の載置部４１２をゲート４１６を介して搬送室４０２とプロセス室４０３との間を出入するように移動させるための手段４１０と、載置部４１２がプロセス室４０３内にあるときに搬送室４０２とプロセス室４０３とをシールするための手段（４１３，４１４）と、を有する。 （もっと読む）

基板上に金属含有薄膜を堆積する方法および組成物は、気相金属−有機前駆体を１つまたはそれ以上の基板を含む反応チャンバに導入することを含む。前記前駆体は、少なくとも１つのβ−ジケチミナト配位子を有し、かつ一般式：M(R¹C(NR⁴)CR²C(NR⁵)R³)₂L_nを有する。
ここで、Ｍはニッケル、コバルト、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀および金から選ばれる金属である。それぞれのR^1-5はH; および C₁ − C₄直鎖または分岐アルキル基、アルキルシリル基、アルキルアミド基、アルコキシ基、またはアルキルシリルアミド基から別個に選択される有機配位子である。各Ｌは炭化水素；酸素含有炭化水素：アミン；ポリアミン；ビピリジン；酸素含有へテロ環、窒素含有ヘテロ環、およびそれらの組合せから別個に選択され、およびｎは０も４も含めて０から４の範囲の整数である。
金属含有膜は、前記基板が約100℃と約 500℃の間の温度に維持しながら前記基板上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＳＧのような絶縁層を形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】プロセスは、プロセスガス２８がＳiＨ₄、ＰＨ₃、Ｏ₂およびアルゴンを含む場合、プロセスチャンバ１０にプロセスガス２８を導入する工程を含む。プロセスは、また、初期期間中、約４００から６５０℃の間にペデスタル４４の温度を制御する工程、上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内で、約１から１０ミリトールの間の範囲で圧力を維持する工程を含む。さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

本発明は、６００℃より低い基板温度において高密度プラズマ化学気相堆積技術を使用して基板上に低ウェットエッチング速度の窒化シリコン膜を堆積する方法に関する。この方法は、更に、プラズマ中の窒素対シリコンの比を比較的高く、且つ処理圧力を低く維持することを含む。 （もっと読む）

【課題】 ガスを供給する開口部がスパッタされにくくなるようにする。
【解決手段】 処理室と、基板を載置する基板載置手段と、前記基板載置手段と対向する前記処理室の上部に設けられたガス供給用の開口と、前記開口を塞ぐ接地された蓋体と、前記蓋体に設けられ前記処理室内にガスを供給するためのガス導入口と、前記処理室から処理ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記処理室内に供給されるガスを用いて、前記処理室内にプラズマ生成領域を形成するプラズマ生成手段と、前記基板載置手段と前記蓋体との間に設けられ、前記ガス供給用開口を覆って前記プラズマ生成領域から前記蓋体を見通せないようにする誘電体材料から成る遮蔽プレートと、前記遮蔽プレートの周辺に前記ガス導入口から前記蓋体内に導入される前記ガスを前記処理室内に吹き出すガス吹出口とを備える。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内の圧力を大気圧よりも低くした状態で、加熱された状態の処理室４内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して複数枚の半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、酸化処理後の複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程と、を有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、処理室４内の複数枚の半導体ウエハ１が配列される基板配列領域に対応する領域における複数箇所から供給する。 （もっと読む）

【課題】微結晶膜を形成する結晶粒間の横方向の結合強度を向上させる。
【解決手段】シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。これにより、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とが積層された積層膜２０が形成される。前記方法により、積層膜２０を活性層として機能させるｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの種類の切替え時間を短縮する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられる基板２００と対向して設けられ多数のガス供給孔２４０から処理ガスを供給するためのガス供給部２３６ａ，２３６ｂと、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂ内に処理ガスを導入するガス導入口２３４，２３５と、処理室２０１に連通する排気口２３０と、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂに連通する排気口３０５と、を備える。 （もっと読む）