【課題】微細なトレンチに対しても、ゲート構造または埋込み層などの層を再現性良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ１６に対して、１００Ｐａ以下の減圧下で、チャネル層１７、ゲート絶縁膜１８およびゲート電極１９を形成する。具体的には、炭素原料として不飽和炭化水素および有機シランの少なくとも一方を含む原料ガスを用い、１００Ｐａ以下の減圧下で、エピタキシャル成長を行うことによって、ＳｉＣから成るチャネル層１７またはゲート電極１９を形成する。また１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種を供給することによる酸化および、１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種およびシラン原料を供給することによる堆積の少なくとも一方によって、ゲート絶縁膜１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ナノ結晶シリコン薄膜において、成膜初期におけるインキュベーション層の生成を抑制し、成膜初期から結晶性の良い膜を得ることができる成膜方法と、該成膜方法により得られるナノ結晶シリコン薄膜、並びに該薄膜を成膜する成膜装置を提供すること。
【解決手段】 基板上にナノ結晶シリコン薄膜を形成する成膜方法であって、該薄膜は少なくとも水素ガス及びシラン系ガスを原料としてプラズマ化学気相成長法により成膜され、成膜室内が減圧されるとともに前記基板にパルスバイアスが印加されることを特徴とするナノ結晶シリコン薄膜の成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の高品質化を図るとともに、大面積化および製膜速度の高速化を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマを生成するリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２に隣接して配置され、リッジ電極に向かってプラズマの形成に用いられる母ガスを供給するガス供給部１０と、放電室２との間にガス供給部１０を挟む位置に配置され、プラズマによる処理が施される基板Ｓと、少なくとも放電室２、ガス供給部１０および基板Ｓを内部に収納する減圧容器７と、減圧容器７におけるガス供給部１０との間に放電室２を挟む位置に連通され、減圧容器７内部の圧力を低減させる排気部９と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜を形成する際の下地である金属膜の酸化を抑制する。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、アルミニウムを含む絶縁膜上に、アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置された複数組のカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、バッキングプレート３およびシャワープレート２から構成される。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６が形成されている。このため、シャワープレート２に加えられたプラズマの熱は、中間締結部６を介してバッキングプレート３に伝達され、カソード電極１０１の温度の均一性は向上する。よって、カソード電極１０１の反りや歪みは防止される。 （もっと読む）

【課題】弾性シール部材を透過して処理容器内に侵入する酸素や水素成分を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理容器２０３と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器内でプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記処理容器は複数の部材で構成されると共に、前記各部材間は弾性シール部材３０２で密閉されており、前記処理容器の外部には、前記弾性シール部材による密閉部の外周側を不活性ガス２７６雰囲気に保つ不活性ガス雰囲気形成部２７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に良好なステップカバレッジを得ることができるシリコン酸化膜用成膜原料およびそれを用いたシリコン酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜するにあたり、カルボニル基を有するシロキサン系化合物からなり、エネルギーが与えられることにより分解してＣＯが脱離し、ＣＯが脱離して生成された成膜に寄与する生成物が化学構造上ダングリングボンドが存在しないシリコン酸化膜用成膜原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する空間を成す処理室２０１に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ２００に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の２倍より長く供給するように制御する。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
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【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内に前処理ガスを供給して前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内に処理ガスを供給して前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内に前記前処理ガスとしてシラン系ガスを供給し、前記反応炉内の温度を２００℃以上４３０℃以下の温度に設定し、前記反応炉内の圧力を１Ｐａ以上１０Ｐａ以下の圧力に設定する。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされた例えばアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物を、高温にすることなく容易に除去できるようにする。
【解決手段】下部電極１０２，上部電極１０３，および絶縁シール部１０４とを備え、これらで密閉可能な成膜室１０１を構成している。下部電極１０２には、高周波供給部１０９が接続され、上部電極１０３にも高周波供給部１１０が接続されている。また、下部電極１０２にはバイアス印加部１１１が接続され、上部電極１０３にもバイアス印加部１１２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内におけるパーティクルの発生を抑制すると共に、処理容器内のクリーニング周期を延伸して成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給して基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に処理済基板がない状態で、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して処理容器内に付着または堆積した物質を酸化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原子層成長装置の洗浄がより容易に行えるようにする。
【解決手段】成膜容器上部１０１の上部には、洗浄液を成膜室に導入するための洗浄液導入配管１１０を備え、洗浄液導入配管１１０にはバルブ１１１が設けられている。また、排出配管１０７は、排気配管１０８に加えて洗浄液排出配管１１２も接続している。排出配管１０７と排気配管１０８との接続および排出配管１０７と洗浄液排出配管１１２との接続は、切り替えバルブ１１３により切り替え可能としている。また、切り替えバルブ１１３により、排出配管１０７を閉じた状態とすることを可能としている。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）